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[发明专利]一种VCSEL和APD集成芯片及其制备方法-CN201810791393.0有效
发明人：杨晓杰;宋院鑫;杨国文;赵卫东 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明涉及探测技术领域，公开了一种VCSEL和APD集成芯片及其制备方法，集成芯片包括信号发射单元、信号接收单元、控制单元和数据处理单元，信号发射单元包括叠层的第一信号接收结构层和第一信号发射结构层，信号接收单元包括叠层的第二信号接收结构层和第二信号发射结构层，第一信号发射结构层上的电极电连接至信号发射单元一侧，形成接触点，第二信号接收结构层上的电极电连接至信号接收单元的一侧，形成接触点，各接触点分别连接控制单元和数据处理单元。第一信号接收结构层和第二信号接收结构层为APD结构层，第一信号发射结构层和第二信号发射结构层为VCSEL结构层。本发明实现了VCSEL和APD高度集成的光电感测系统。
一种 vcsel apd 集成芯片及其制备方法

[发明专利]一种铜表面结构、制备方法及其焊接方法-CN202310079820.3在审
发明人：唐奇;狄九文;雷谢福;张艳春;赵卫东;杨国文 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司;度亘光电科技（南通）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B23K31/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种铜表面结构、铜表面结构的制备方法及铜表面结构与半导体激光器的焊接方法。该铜表面结构与待焊接物的焊接方法，采用该方法实现铜表面结构与待焊接物之间的焊接可以大大增加焊接强度。在第一加工槽中先填充10％‑30％的第一金属，并采用超声波振动铜表面结构，可以最大限度的减少焊接空洞。进一步提供焊料实现焊料与铜表面结构、第一金属和待焊接物之间均具有接触面，增大了焊料与铜表面结构的接触力，使得铜表面结构与待焊接物的接触更牢固。
一种表面结构制备方法及其焊接

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202210250438.X有效
发明人：杨国文;白龙刚;惠利省 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，涉及半导体加工的技术领域，在光阻层的上方设置具有开口的掩模版，通过开口对顶部部分上方的光阻层部分以及位于侧壁部分横行外侧第一宽度范围内的光阻层部分进行曝光；对曝光后的光阻层进行显影处理，以使顶部部分上方的光阻层部分全部去除，并使光阻层在第一宽度范围内形成凹陷结构，凹陷结构与侧壁部分围成凹槽，凹槽的最低点低于顶部部分的上表面；对光阻层进行热处理，以使凹陷结构向凹槽内回流，直到凹槽中的光刻胶的液面位于顶部部分的上表面的上方。以光刻胶为掩模对电介质层进行刻蚀，将顶部部分去除，以形成电极接触窗口。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种导热结构及其制备方法、间接导热结构-CN202310071595.9有效
发明人：刘杰;雷谢福;张艳春;赵卫东 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请涉及一种导热结构及其制备方法、间接导热结构。导热结构焊接于半导体激光器，并对其进行散热。导热结构包括：在第二方向上层叠设置的第一助焊单元、第一金属单元、第一导热单元和基体。第一助焊单元在第一方向上的延伸长度大于或等于半导体激光器的谐振腔的腔长。第一助焊单元、第一金属单元、第一导热单元和基体在第一端面上齐平。上述结构设置可以使得导热结构的热导率达到490W/m.k，导热效果显著提高，热膨胀系数达到6‑6.5ppm/k，与焊料具有较好的粘附性，提高导热结构与半导体激光器的焊接强度。另外，导热结构具有齐平的第一端面可以方便半导体激光器与导热结构焊接过程中的对位，避免对半导体激光器出光面有遮挡。
一种导热结构及其制备方法间接

[发明专利]一种热沉结构、制备方法及焊接方法-CN202310072342.3在审
发明人：唐奇;狄九文;雷谢福;张艳春;赵卫东;杨国文 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司;度亘光电科技（南通）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本申请涉及一种热沉结构、制备方法及焊接方法。该热沉结构包括第一铜基体和第二铜基体。第一铜基体的第一表面具有至少一个第一加工槽，第二铜基体的第一表面具有至少一个第一对位部。第一铜基体和第二铜基体对位焊接之后，形成至少一个第一加工通道。该第一加工通道为密封负压状态，并且内部填充有第一液体。当半导体激光器芯片温度升高时，第一液体汽化吸热升温，可以快速、高效的将半导体激光器产生的热量传递至散热器。
一种结构制备方法焊接

[发明专利]半导体激光器封装设备及方法-CN202211430111.7有效
发明人：陆翼森;于学成;刘杰;雷谢福;张艳春 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01S5/0237 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器封装设备及方法，涉及半导体技术领域，半导体激光器封装设备包括夹具和遮挡组件；夹具用于固定热沉；夹具的顶面具有中心线；遮挡组件包括驱动机构、第一挡件和第二挡件；第一挡件和第二挡件分别与夹具的顶面相对设置，且第一挡件和第二挡件分别设置在中心线的两侧；第一挡件和第二挡件分别与夹具活动连接；驱动机构能够驱动第一挡件和第二挡件沿第一方向彼此靠近或远离；第一方向与中心线的延伸方向垂直，能够使金属焊料层的厚度由中部向两侧递减，使得高温回流焊之后的芯片与热沉之间的金属焊料层分布更加均匀，减小smile效应。
半导体激光器封装设备方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202211524357.0有效
发明人：李齐柱;张艳春;杨国文 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直腔面发射激光器，涉及激光器的技术领域，包括：有源区结构以及位于有源区结构相对两侧的材料为AlxGa(1‑x)As/AlyGa(1‑y)As的N‑DBR和AlmGa(1‑m)As/AlnGa(1‑n)As的P‑DBR；所述有源区结构包括发光单元，所述发光单元包括材料为InAs的量子点和材料为IneGa(1‑e)As/InfGa(1‑f)As的短周期超晶格层，所述量子点的上侧和/或下侧设置有所述短周期超晶格层。由于有源区增加了短周期超晶格层，短周期超晶格层可以产生多纵向光子‑声子，在多纵向光子‑声子散射辅助载流子驰豫的过程中，有源区两侧的载流子的驰豫速率提高了。
垂直发射激光器

[发明专利]侧泵模块封装方法及侧泵模块-CN202211204691.8在审
发明人：朱永刚;张继宇;雷谢福;张艳春;李颖;于学成;刘杰 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01S5/0233 文献下载
摘要：本发明提供一种侧泵模块封装方法及侧泵模块，涉及半导体技术领域，侧泵模块封装方法包括以下步骤：组装步骤：沿第一方向，将多个芯片和多个热沉依次交替设置，并在芯片与热沉之间设置焊料层，以使多个芯片、多个热沉和多个焊料层组装形成组装模块；遮挡步骤：利用掩膜板遮挡组装模块中的芯片的腔面上的腔面膜；镀高反膜步骤：向组装模块中的热沉的第二端面镀高反膜；封装步骤：加热焊料层，以使组装模块完成封装。与现有技术相比，本发明提供的侧泵模块封装方法，能够省去多个热沉紧密排列和分离的工序，从而简化侧泵模块封装工艺的工序，降低侧泵模块封装工艺的复杂度。
模块封装方法

[发明专利]电极接触窗口的制作方法及半导体器件的制备方法-CN202210249550.1有效
发明人：杨国文;惠利省;白龙刚 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种电极接触窗口的制作方法及半导体器件的制备方法，涉及半导体加工技术领域，方法包括以下步骤：在光阻材料层的上方设置掩模版，掩模版上具有透光结构，透光结构包括第一区域、第二区域和第三区域；第二区域的透光率分别小于第一区域和第三区域的透光率；第一区域位于脊波导的上方，且第一区域的横向上的两边沿在基材上的投影分别位于脊波导的两侧；对曝光后的光阻材料层进行显影处理，以使覆盖在上侧结构的光阻材料层全部去除，并使位于第二区域的正下方的光阻材料层形成上凸形态；对上凸形态进行热处理，上凸形态自球化，以形成球冠形态，球冠形态横向上靠近所述脊波导的边沿位于所述上侧结构的上表面的边沿处。
电极接触窗口制作方法半导体器件制备方法

[发明专利]半导体激光器-CN202211587458.2有效
发明人：周听飞;张通;赵卫东;杨国文;张艳春;惠利省 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01S5/0239 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体激光器，涉及半导体技术领域，半导体激光器包括封装壳体、芯片、热沉和恒流源电路；所述芯片、所述热沉和所述恒流源电路均设置在所述封装壳体内；所述芯片包括第一电极和第二电极，通过所述第一电极的电流小于通过所述第二电极的电流；所述恒流源电路包括电阻元件，所述电阻元件为贴片电阻器；或；所述恒流源电路的外侧套设有第一密封结构；或；所述芯片的外侧套设有第二密封结构。本发明提供的半导体激光器将恒流源电路内置在封装壳体内部，以实现对第一电极和第二电极提供不同大小的电流，该方案无需改变封装壳体的外部结构，能够使半导体激光器适应现有的封装壳体标准件进行封装，提高半导体激光器封装的便捷性。
半导体激光器

[发明专利]光刻胶去除工艺及半导体制造工艺-CN202210412459.7有效
发明人：于良成;惠利省;杨国文 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶去除工艺及半导体制造工艺，涉及半导体制造工艺技术领域。该光刻胶去除工艺包括：剥离衬底上的光刻胶并得到附着有残留光刻胶的衬底；将附着有残留光刻胶的衬底放入腔室内，并将腔室内的环境温度调节至大于或等于预设温度，再向腔室内持续通入惰性气体，同时每隔第一时长向腔室内通入含氢气体以去除衬底上的残留光刻胶。本发明提供的光刻胶去除工艺利用大于或等于预设温度(预设温度可以为290℃‑310℃)的环境温度和含氢气体可以有效去除残留光刻胶，且间断通入含氢气体，可以在去除光刻胶的同时防止衬底长时间持续处于高温高比例含氢气体环境而被损伤，进而可以提升产品良率。
光刻去除工艺半导体制造

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202210071789.4有效
发明人：杨国文;唐松 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件：1、第一方向，电注入区的延伸长度小于波导槽的延伸长度，载流子不会在电注入区的边缘大量堆积，消除近场光斑中边缘区域功率较强的尖峰，避免局部光场过强导致腔面损伤，提高器件可靠性。2、第一方向，第二槽区比第一槽区更靠近同一侧的腔面；层叠方向第二槽区比第一槽区更浅，降低腔面附近对光场的限制作用，由此脊波导中限定的多模激光中的高阶模式在第二槽区扩散，被一定程度的消耗，模式数量减少，减小光束的水平远场发散角。3、第一方向，第三槽区比第二槽区更靠近同一侧的腔面；层叠方向，第三槽区比第二槽区更深，在对半导体器件进行电注入时，第三槽区对载流子起到更强的限制作用。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种泵浦系统及泵浦系统调节方法-CN202211092311.6有效
发明人：罗薇;刘杰;雷谢福;祝磊;于学成 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01S3/0941 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种泵浦系统及泵浦系统调节方法。本发明提供的泵浦系统包括沿着光路依次设置的泵浦源、配光元件和激光晶体；其中泵浦源发出泵浦光，泵浦光包括偏振方向正交的P光和S光；而配光元件能够调整P光和S光的比例，因此针对不同种类的激光晶体可以通过调整配光元件来调整进入激光晶体内泵浦光中P光和S光的比例，以使激光晶体达到最大的吸收效率，进而在泵浦系统使用不同的激光晶体时都能够达到最大输出功率，提升输出激光的光束质量。
一种系统调节方法

[发明专利]激光器老化测试装置-CN202211281514.X在审
发明人：于洋;赵卫东;张艳春;杨国文;雷谢福;刘杰 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种激光器老化测试装置，涉及半导体技术领域，安装件上设有多个半导体激光器，将安装件与第一驱动组件连接后，可以一次性上料多个半导体激光器，并且在第一驱动组件和第二驱动组件的带动下，能够自动带动多个半导体激光器移动至预设位置，对多个半导体激光器进行批量通电和断电，老化完成后，第一驱动组件能够带动多个半导体激光器批量回到初始位置，以进行下料。该激光器老化测试装置能够批量化进行上料、通电、断电和下料，能够批量化完成半导体激光器的老化测试，并且半导体激光器移动至预设位置可以自动进行，上述因素均能够提高半导体激光器老化测试的效率。
激光器老化测试装置

[发明专利]芯片及半导体激光器-CN202210838858.X有效
发明人：杨国文;唐松;惠利省 -专利权人： 度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片及半导体激光器，涉及激光器的技术领域，芯片包括：主体，所述主体的上表面设置有脊结构，所述主体具有沿前后方向间隔设置的第一腔面和第二腔面，所述第一腔面为出光腔面；由后向前，所述脊结构具有依次且间隔设置的激光区域和透明区域，所述脊结构的上表面具有与激光区域对应的第一电极结构以及与透明区域对应的第二电极结构；沿左右方向，所述第二电极结构包括间隔设置的两个第二侧边，所述脊结构包括间隔设置的两个第三侧边；且两个所述第二侧边分别与其相近的第三侧边之间均具有间隙。
芯片半导体激光器

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