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- [发明专利]VCSEL集成晶圆及其制造方法-CN202310811939.5在审
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林珊珊;李念宜;刘赤宇
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浙江睿熙科技有限公司
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2023-07-04
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2023-10-13
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H01S5/026
- 公开了一种VCSEL集成晶圆及其制造方法。所述VCSEL集成晶圆包括：至少一VCSEL芯片和与所述VCSEL芯片相间隔的至少一光电二极管芯片。每一VCSEL芯片包括至少一VCSEL发光点和在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光学调制部，每一所述VCSEL发光点包括VCSEL主体，以及，电连接于所述VCSEL主体的VCSEL正电极和VCSEL负电极，每一所述VCSEL主体包括衬底层、N‑DBR层、有源区、具有限制孔的限制层和P‑DBR层，所述光学调制部对应于所述限制孔。每一所述光电二极管包括至少一二极管主体、电连接于所述二极管主体的二极管正电极和二极管负电极，每一所述二极管主体包括所述衬底层、N型掺杂半导体层、内耗尽层、P型掺杂半导体层和防反射层，所述VCSEL主体和所述二极管主体共用所述衬底层。
- vcsel集成及其制造方法
- [发明专利]VCSEL集成芯片和VCSEL晶圆-CN202310811945.0在审
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林珊珊;李念宜;刘赤宇
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浙江睿熙科技有限公司
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2023-07-04
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2023-10-13
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H01S5/026
- 公开了一种VCSEL集成芯片和VCSEL晶圆。所述VCSEL集成芯片包括：至少一VCSEL发光点、与所述VCSEL发光点相间隔的至少一光电二极管，以及，在晶圆级别上集成于所述VCSEL发光点的光调制部。每一所述VCSEL发光点包括VCSEL主体，以及，电连接于所述VCSEL主体的VCSEL正电极和VCSEL负电极，每一所述VCSEL主体包括衬底层、N‑DBR层、有源区、具有限制孔的限制层和P‑DBR层，所述光调制部对应于所述限制孔；每一所述光电二极管包括二极管主体、电连接于所述二极管主体的二极管正电极和二极管负电极，每一所述二极管主体包括所述衬底层、N型掺杂半导体层、内耗尽层、P型掺杂半导体层和防反射层，所述VCSEL主体和所述二极管主体共用所述衬底层。
- vcsel集成芯片晶圆
- [发明专利]VCSEL晶圆-CN202310816578.3在审
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林珊珊;李念宜;刘赤宇
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浙江睿熙科技有限公司
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2023-07-05
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2023-10-10
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H01S5/42
- 公开了一种VCSEL晶圆。所述VCSEL晶圆包括：晶圆主体和在晶圆级别上集成于所述晶圆主体的测试电路结构，所述晶圆主体包括焊盘和多个VCSEL芯片，其中，多个所述VCSEL芯片中至少部分VCSEL芯片为待测点，所述测试电路结构包括电连接于所述待测点与所述焊盘之间多条电连接线。这样，所述VCSEL晶圆无需进行切割、封装等工序即可进行测试，可降低测试难度和测试成本，还可以避免切割、封装等工序对测试结果的准确性的影响，且能够较大程度地缩短测试周期，较快地得到测试结果。进一步地，由于可以在切割之前得到测试结果并确定VCSEL芯片是否存在缺陷，如果存在缺陷则可提前筛选出去，省去切割、封装等工序。
- vcsel晶圆
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