[实用新型]一种碳化硅功率器件终端结构有效
| 申请号： | 202020123248.8 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN210956680U | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;曾丹;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 刘红彬 |
| 地址： | 519015 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端结构，该终端结构包括：N型碳化硅衬底；形成于N型碳化硅衬底一侧的N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底的一侧形成有沿平行N型碳化硅衬底方向排列的P+区、第一JTE区以及第二JTE区，第一JTE区与第二JTE区不同层设置；形成于N型碳化硅外延层背离N型碳化硅衬底一侧的介质钝化层，第一JTE区或者第二JTE区与介质钝化层接触。上述终端结构中第一JTE区与第二JTE区位于不同层，第一JTE区与第二JTE区中的一个与介质钝化层接触，减小了JTE区与介质钝化层之间的接触面积，可降低介质钝化层界面电荷对JTE终端耐压的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
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