[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011561350.7 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113054018A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄禹轩;蔡庆威;陈豪育;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供半导体结构及其形成方法。半导体结构包含基底和从基底突出的鳍片结构。半导体结构还包含在鳍片结构上方形成的纳米结构和围绕纳米结构的栅极结构。半导体结构还包含连接至纳米结构的源极/漏极结构以及夹设在鳍片结构和源极/漏极结构之间的隔离部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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