[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成绝缘结构于衬底中；形成堆叠结构于衬底上；形成第一导电接触结构，其底面与衬底接触，其在衬底上的垂直投影位于绝缘结构的外侧面所包围的区域内并与绝缘结构的外侧面间隔预设距离；从衬底背面形成第二导电接触结构，其往衬底正面方向延伸，并与第一导电接触结构的底面接触，其在衬底上的垂直投影位于绝缘结构的外侧面所包围的区域内并与绝缘结构的外侧面间隔预设距离。本发明先在衬底中形成绝缘结构，再形成堆叠结构与第一、第二导电接触结构。本发明不增加额外工艺，绝缘材料填充成本较低，隔离宽度可以自由调控，极大改善了器件输入/输出电容，同时不影响工艺窗口。