[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，形成绝缘结构于所述衬底中，所述绝缘结构自所述衬底顶面起始，并往所述衬底底面方向延伸，但未贯穿所述衬底；

形成堆叠结构于所述衬底上，所述堆叠结构包括在垂直方向上交替堆叠的绝缘层与导电层，所述堆叠结构在所述衬底上的垂直投影位于所述绝缘结构外；

形成第一导电接触结构，所述第一导电接触结构的顶面高于所述衬底的顶面，所述第一导电接触结构的底面与所述衬底接触，所述第一导电接触结构在所述衬底上的垂直投影位于所述绝缘结构的外侧面所包围的区域内并与所述绝缘结构的外侧面间隔预设距离；

从所述衬底背面形成第二导电接触结构，所述第二导电接触结构往所述衬底正面方向延伸，并与所述第一导电接触结构的底面接触，所述第二导电接触结构在所述衬底上的垂直投影位于所述绝缘结构的外侧面所包围的区域内并与所述绝缘结构的外侧面间隔预设距离；

其中，还包括从背面减薄所述衬底，并在减薄后的所述衬底背面形成绝缘介质层的步骤，所述第二导电接触结构在垂直方向上贯穿所述绝缘介质层，所述第二导电接触结构还与所述第一导电接触结构的一部分侧面接触。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述绝缘结构的横截面呈环状，所述第一导电接触结构的底面高于所述绝缘结构的底面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述绝缘结构的横截面呈圆环、椭圆形环或多边形环。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述第一导电接触结构的横截面积小于所述衬底被所述绝缘结构围绕的区域的横截面积。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述第二导电接触结构的外侧面至少有一部分与所述绝缘结构接触；或者所述第二导电接触结构在所述衬底上的垂直投影小于所述衬底被所述绝缘结构围绕的区域的横截面积，且所述第二导电接触结构不与所述绝缘结构接触。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述绝缘结构的横截面呈块状，所述第一导电接触结构在垂直方向上贯穿所述绝缘结构。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述绝缘结构的横截面呈圆形、椭圆形或多边形。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：还包括形成第三导电接触结构的步骤，所述第三导电接触结构与所述导电层接触。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：减薄所述衬底直至暴露出所述绝缘结构的底面。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：还包括形成第四导电接触结构的步骤，所述第四导电接触结构在垂直方向上贯穿所述绝缘介质层，并与所述衬底接触。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：所述衬底中设有停止层，所述绝缘结构的底面至少延伸至所述停止层的顶面。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于：形成所述绝缘结构的方法包括高密度等离子体化学气相沉积法。