[发明专利]一种碳化硅功率器件复合终端结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011059251.9 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112349770B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 王俊;俞恒裕;梁世维;刘航志;江希;彭子舜;岳伟;杨余;张倩 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/8258 |
| 代理公司： | 南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙) 36142 | 代理人： | 陈龙 |
| 地址： | 410006 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种碳化硅功率器件复合终端结构，其特征在于，包括器件元胞和复合终端，所述复合终端包括斜面刻蚀工艺形成的结终端延伸结构和离子注入工艺形成的结终端延伸结构。本发明还公开一种碳化硅功率器件复合终端结构的制备方法。本发明采用现有的工艺技术的同时提高了终端的耐压，进一步提高器件的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 器件 复合 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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