[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010699618.7 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN112447848A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 卢宣颖;金完敦;李贤培;柳东坤;林东灿 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：位于衬底上的层间介电层；填充所述层间介电层的第一沟槽的第一连接线，所述第一沟槽具有第一宽度；以及填充所述层间介电层的第二沟槽的第二连接线，所述第二沟槽具有大于所述第一宽度的第二宽度，并且所述第二连接线包括：覆盖所述第二沟槽的内侧壁的第一金属层，覆盖所述第二沟槽的底表面的阻挡层，以及位于所述第一金属层和所述阻挡层上的第二金属层，所述第一连接线和所述第一金属层包括第一金属，并且所述第二金属层包括不同于所述第一金属的第二金属。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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