[发明专利]基于半导体衬底的凹槽型场效应正反馈晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202010339710.2 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN111477685B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 万景;肖凯;陈颖欣 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;章丽娟 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于半导体衬底的凹槽型场效应正反馈晶体管及制备方法，该正反馈晶体管通过凹槽型栅氧化层结构以改进平面栅氧化层正反馈晶体管的缺陷，通过引入关键的沟道区域掺杂以及与沟道区域掺杂反型的衬底掺杂和低漏掺杂区域，形成正反馈机理所需的特殊能带结构，从而达到与普通正反馈晶体管相似的电学性能与功能；此外，该正反馈晶体管具有与MOSFET相似的对称物理结构，在正栅极和栅极侧墙的掩蔽作用下，可通过与MOSFET类似的自对准离子注入工艺在沟道区域上形成低漏掺杂区域和阴极区域/阳极区域掺杂；本发明的正反馈晶体管制备工艺与传统的CMOS兼容，增加了栅氧化层电容，使电荷保留时间上升，延长了数据存储时间，提升了该器件作为存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 半导体 衬底 凹槽 场效应 正反馈 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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