[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010118794.7 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314606A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成初始鳍部结构，所述初始鳍部结构包括多次层叠的初始牺牲层和位于初始牺牲层上的纳米线；在所述初始鳍部结构延伸方向的两端形成源漏开口，所述源漏开口暴露出所述初始鳍部结构的侧壁表面；去除部分所述源漏开口暴露出的初始牺牲层，形成牺牲层，在所述相邻纳米线之间的牺牲层侧壁形成第一凹槽；在所述第一凹槽内和所述纳米线侧壁形成第一侧墙材料层，所述第一侧墙材料层内具有第一离子；对所述第一侧墙材料层进行退火处理，使第一离子向纳米线内扩散，形成改性纳米线，所述改性纳米线内具有第一离子。所述方法形成的半导体结构的性能得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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