[发明专利]一种横向半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010066930.2 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111244157B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 胡浩;朱斌;陈荣昕 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种横向半导体器件及其制造工艺，属于半导体器件领域。包括第一导电类型半导体衬底、第二种导电类型掺杂区、第一种半导体类型掺杂区、第一种导电类型重掺杂区、第二种导电类型重掺杂源区、第二种导电类型重掺杂漏区、源极S、栅极G和漏极D，在第二种导电类型掺杂区的内部设置有多个位于同一水平面上的、条形的第一种导电类型掺杂区，所述第一种导电类型掺杂区的一侧与所述第一导电类型半导体衬相连接，另一侧位于第二种导电类型掺杂区的内部。本发明提供的一种横向半导体器件，降低了器件的局部表面电场强度，提高了器件的耐压，且具有更小的比导通电阻及更大的导通电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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