[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202010059709.4 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111244182B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 马万里;马云骁;李双 | 申请（专利权）人： | 深圳市昭矽微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 谭露盈 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法，在N型基底上形成多个沟槽，进行P型离子的注入，在形成从沟槽的内壁向N型基底内部延伸的P+区，大大扩展了P+区的范围和深度，从而能够提高金属氧化物半导体场效应晶体管的EAS参数。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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