[发明专利]一种半导体结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底中定义有多个芯片区域及位于相邻所述芯片区域之间的切割道区域；形成第一层级结构于所述衬底上；形成绝缘间隔层于所述第一层级结构上；形成第二层级结构于所述绝缘间隔层上。本发明通过台阶的改版，在晶圆切割道里形成至少一具有阶梯结构的叠层结构，例如金字塔结构，该叠层结构包括在垂直方向上交替堆叠的两种材料层，可以缓解晶圆切割道区域与芯片区域(特别是存储阵列区)的应力差异，在晶圆切割道区域的叠层结构中形成沟道套刻标记或对准标记，可以保证晶圆切割到区域与芯片区域真实的对准表现一样，从而减少工艺偏移，有利于提高生产良率。