[发明专利]一种硅片背面金属化结构及其制造工艺在审
| 申请号： | 202010000190.2 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN110783292A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 高瑞峰;周骏贵 | 申请（专利权）人： | 南京市产品质量监督检验院 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 32207 南京知识律师事务所 | 代理人： | 康翔 |
| 地址： | 210019 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件和集成电路工艺技术领域，具体涉及硅器件背面金属化结构和工艺。所述结构在背面衬底硅片的表面至少沉积有第一金属层铪，然后沉积其他层。所述工艺包括正面保护、背面减薄、背面抛光、清洗、物理气相沉积等工艺步骤。本发明利用铪与硅形成欧姆接触的特点，在硅片的背面制备一层铪，具有更低的接触电阻和更好的粘附性，同时具有良好的导电性、导热性和合适的热膨胀系数，有效提高硅器件制造过程中的良率和使用中的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅器件 沉积 背面 导热性 集成电路工艺 物理气相沉积 导电性 半导体器件 背面金属化 第一金属层 热膨胀系数 背面减薄 背面抛光 衬底硅片 工艺步骤 接触电阻 欧姆接触 正面保护 制造过程 粘附性 硅片 良率 制备 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种硅片背面金属化结构，其特征在于：所述结构在背面衬底硅片的表面按距离硅片由近及远顺序依次至少沉积有第一金属层，第一金属层的材质是铪。/n
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