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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构-CN200910054945.0有效
发明人：聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-16 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：一种物理气相沉积线圈的处理方法及物理气相沉积线圈结构，其中物理气相沉积线圈的处理方法包括：提供物理气相沉积线圈；对所述物理气相沉积线圈进行清洗；在所述物理气相沉积线圈内表面形成与所述物理气相沉积线圈材料一致的薄膜本发明提高物理气相沉积系统的均一性和稳定性。
物理沉积线圈处理方法及物理气结构

[发明专利]一种铝合金部件及其制备方法-CN202111461957.2在审
发明人：杨峥 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：所述铝合金部件包括：铝合金基底；位于所述铝合金基底上的阳极氧化层；位于所述阳极氧化层上的物理气相沉积层；其中，所述物理气相沉积层包括第一物理气相沉积层和第二物理气相沉积层，所述第一物理气相沉积层位于所述阳极氧化层与所述第二物理气相沉积层之间
一种铝合金部件及其制备方法

[实用新型]一种铝合金部件及电子设备-CN202123013873.0有效
发明人：杨峥 -专利权人：北京小米移动软件有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：所述铝合金部件包括：铝合金基底；位于所述铝合金基底上的阳极氧化层；位于所述阳极氧化层上的物理气相沉积层；其中，所述物理气相沉积层包括第一物理气相沉积层和第二物理气相沉积层，所述第一物理气相沉积层位于所述阳极氧化层与所述第二物理气相沉积层之间
一种铝合金部件电子设备

[发明专利]物理气相沉积设备和物理气相沉积方法-CN201711146898.3在审
发明人：李扬德;卢昆;高宽 -专利权人：东莞颠覆产品设计有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种物理气相沉积设备和物理气相沉积方法。物理气相沉积设备包括壳体、发射源、承载装置和动力装置，其中，壳体的内部形成真空镀膜室，发射源、承载装置和动力装置位于真空镀膜室内，动力装置连接至承载装置以使位于承载装置上的待镀膜产品产生上下振动、由里向外的翻转以及沿预定方向的旋转本发明的物理气相沉积设备镀膜时，不仅省略了大量人工手动上挂这一步骤，极大地提高了加工效率，一次加工的产品是普通挂具方式镀膜的几十倍之多，极大地降低了加工成本，镀膜过程的自动化程度更高；而且可以使得待镀膜产品能够获得完整全面的
物理沉积设备方法

[发明专利]物理气相沉积设备及物理气相沉积工艺-CN201210269186.1有效
发明人：边国栋 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种物理气相沉积装置，包括一反应腔室，所述反应腔室包括：位于所述反应腔室内以将所述反应腔室隔离成上部腔室和下部腔室的介质窗，所述介质窗具有透光性且密封所述下部腔室；位于所述下部腔室内的基片支撑部件本发明提供的物理气相沉积设备，可大大提高基片加热时的均匀性，提高基片的去气效果。本发明还公开了一种物理气相沉积工艺。
物理沉积设备及物理气工艺

[发明专利]物理气相沉积装置及物理气相沉积方法-CN200880130931.6无效
发明人：汤本敦史;丹羽直毅;广木富士男;山本刚久 -专利权人：多摩-技术转让机关株式会社
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明提供使即使通过等离子体或电弧放电等加热也难以形成微粒的物质成膜的物理气相沉积装置及物理气相沉积方法。所述物理气相沉积装置包括在内部具备蒸发源材料(15)和对蒸发源材料(15)进行加热的加热部(16)的蒸发室(10)、在内部具备粉体的粉体供给源(20)、成膜室(30)，通过加热部(16)对蒸发源材料(15)进行加热而生成微粒(纳米粒子)，使微粒和粉体从超音速喷管(35)喷出并承载于超音速气流，从而使微粒和粉体物理气相沉积于成膜对象基板(33)。
物理沉积装置及物理气方法

[实用新型]一种电镀磨头-CN202320481248.9有效
发明人：张兴华 -专利权人：深圳西斯特科技有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B24B41/04 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种电镀磨头，包括柄部与磨削部，所述磨削部设于所述柄部的一端，所述磨削部的外表面覆盖有物理气相沉积氮化钛层。上述的电镀磨头，通过物理气相沉积的方式在磨削部表面覆盖物理气相沉积氮化钛层，能够增加物理气相沉积氮化钛层在磨削部上的把持力，从而提高了磨削部的表面强度和抗磨损性能，由于氮化钛的硬度较大，所以能够减少磨削加工中物理气相沉积氮化钛层受到的损坏，避免和减少了物理气相沉积氮化钛层脱落，从而提高磨削加工的寿命。
一种电镀

[发明专利]物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法-CN200710094497.8有效
发明人：聂佳相;苏娜;胡宇慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G01M3/40 文献下载
摘要：一种物理气相淀积沉积腔室气密性检测方法，包括：运行第一控片，所述第一控片的运行时间大于或等于检测反应时间；对第二控片执行物理气相淀积操作；检测所述第二控片的阻值；所述第二控片的阻值符合检测基准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性符合产品要求；所述第二控片的阻值大于检测基准时，所述物理气相淀积沉积腔室的气密性不符合产品要求。可及时地检测出所述物理气相淀积沉积腔室开始运行后发生的异常，利于及时排障，以减少所述物理气相淀积沉积腔室处于异常状态时生产产品的数量，且不改变所述物理气相淀积沉积腔室内的环境。
物理气相淀积沉积气密性检测方法

[实用新型]一种复合基板的制备装置-CN202220227877.4有效
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及复合基板的制备技术领域，公开一种复合基板的制备装置，包括：物理气相沉积腔室，为第一真空腔室且其内设有物理气相沉积组件，物理气相沉积组件能够对基板本体的表面进行物理气相沉积并形成镀层；键合腔室，能够与物理气相沉积腔室连通或者隔绝且为第二真空腔室，键合腔室内设有加压组件；移动组件，移动组件能够将物理气相沉积腔室内带镀层的基板本体转移至键合腔室内，加压组件能够将至少两个镀膜后的基板本体键合形成复合基板
一种复合制备装置

[发明专利]电极的制造方法及电阻式随机存取内存-CN201610121062.7有效
发明人：陈义中;彭徵安;张硕哲;温松颖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：使用射频物理气相沉积法在导体层上形成射频物理气相沉积过渡金属化合物层。在射频物理气相沉积过渡金属化合物层上形成牺牲层。进行平坦化制程，以移除牺牲层与部分射频物理气相沉积过渡金属化合物层。本发明可形成表面平坦、细致且具有足够厚度的射频物理气相沉积过渡金属化合物层，进而可提升组件的电性表现。
电极制造方法电阻随机存取内存

[发明专利]氮化钛层的制造方法及其装置-CN200710043276.8无效
发明人：徐锦添 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：现有的氮化钛层的制造方法中存在钛金属层从物理气相沉积反应腔转出到化学气相沉积反应腔过程中被氧化的问题。本发明制造氮化钛层的装置，包括物理气相沉积反应腔和物理气相沉积反应腔连接的气体过滤器，其中该气体过滤器还与一氮气供应装置连接。采用本发明的制造氮化钛层的装置，在物理气相沉积反应腔中将钛金属层表面上形成一保护层，该保护层可防止钛金属层从物理气相沉积反应腔转出到化学气相沉积反应腔过程中被氧化。
氮化制造方法及其装置

[实用新型]一种物理气相沉积炉-CN202121536975.8有效
发明人：董家海 -专利权人：浙江诺华陶瓷有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本实用新型涉及气相炉设备技术领域，更具体的说是一种物理气相沉积炉。本实用新型提供一种物理气相沉积炉，其有益效果为可以实现对工作的气相沉积炉进行温度测量，从而确保气相炉内的温度为加工的适宜温度。一种物理气相沉积炉，包括气相炉、抽气口、气孔和温度传感器，气相炉上设置有进气口，气相炉上设置有气孔，温度传感器与气相炉外壁接触。一种物理气相沉积炉还包括盛放板，多个盛放板均固定连接在气相炉内部。一种物理气相沉积炉还包括盛放槽，多个盛放板上均设置有盛放槽。
一种物理沉积

[发明专利]钕铁硼磁粉的制备方法-CN201611192973.5在审
发明人：孙良成;李慧;鲁飞;陈蓓新;刘树峰;张刚;邢正茂;白洋;王峰;李静雅;郑天仓;刘小鱼 -专利权人：包头稀土研究院;瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01F1/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种钕铁硼磁粉的制备方法，包括选择所需高熔质靶材，将钕铁硼磁粉和高熔质靶材分别置于物理气相沉积装置内；开启物理气相沉积装置，采用物理气相沉积将高熔质粒子沉积在分散的钕铁硼磁粉上；停止物理气相沉积
钕铁硼磁粉制备方法

[发明专利]物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备-CN201911067926.1有效
发明人：郭宏瑞;李冰;黄其伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开了一种物理气相沉积腔室和物理气相沉积设备。该物理气相沉积腔室包括，腔室本体，在所述腔室本体内设置有上电极组件，所述上电极组件包括用于承载磁控管的底板组件，与所述底板组件间隔叠置的背板，以及将所述底板组件与所述背板相连的连接组件，所述连接组件包括连接栓在使用这种物理气相沉积腔室时，可通过调节连接栓的栓杆与背板的连接长度，就可以实现调节底板组件的位置。由此，可根据要求或实际情况方便地调节底板组件与靶材之间的靶磁间隙的尺寸。
物理沉积设备

[发明专利]高尔夫杆头及其制造方法-CN201410046636.X在审
发明人：冯建东;陆钿炜 -专利权人：复盛应用科技股份有限公司
申请日： 2014-02-10 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： A63B53/04 文献下载
摘要：该高尔夫杆头包含球头本体以及物理气相沉积层。球头本体具有曲面。物理气相沉积层形成于曲面上。物理气相沉积层具有激光雕刻结构。本发明还提供了上述高尔夫杆头的制造方法。本发明所提供的高尔夫杆头及其制造方法是在球头本体的曲面上形成物理气相沉积层，因此可使球头本体的曲面呈现自然的金属光泽与质感。并且，物理气相沉积层上还通过激光雕刻工艺而形成激光雕刻结构，因此可使得球头本体的曲面呈现具有立体感的纹路。此外，激光雕刻结构中还填充染料层，因此可进一步使得曲面上的激光雕刻结构处呈现不同于物理气相沉积层的颜色。
高尔夫及其制造方法

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