[发明专利]用于N型金氧半导体源极漏极应用的共掺杂处理在审
| 申请号： | 201980010112.6 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN111656528A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 鲍新宇;叶祉渊;华·春 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L29/167;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种包括使用选择性外延生长形成的Si:As源极与漏极延伸部和Si:As或Si:P源极与漏极特征的装置及形成此装置的方法。通过同时的膜形成与膜蚀刻沉积本文用于源极与漏极延伸部和源极与漏极特征的外延层，其中以相较于将沉积材料沉积在基板的非单晶位置上更慢的速率蚀刻单晶层上的已沉积材料。因此，外延层沉积在单晶表面上，而没有一层沉积在诸如硅之类的相同基底材料的非单晶表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 型金氧 半导体 源极漏极 应用 掺杂 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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