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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610074659.7有效
发明人：李坤宪;黄正同;洪文翰;丁世汎;郑礼贤;郑子铭;梁佳文 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，首先提供一基底，此基底上已形成有第一型金氧半晶体管、输出输入第二型金氧半晶体管以及核心第二型金氧半晶体管。然后，形成第一应力层，以覆盖住基底、第一型金氧半晶体管、输出输入第二型金氧半晶体管与核心第二型金氧半晶体管。接着，至少移除核心第二型金氧半晶体管上的第一应力层，以至少保留第一型金氧半晶体管上的第一应力层。随后，于核心第二型金氧半晶体管上形成第二应力层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]电荷泵单元及电荷泵电路-CN201610075957.1有效
发明人：杨政德 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷泵单元，电荷泵单元包括第一N型金氧半场效晶体管、第一P型金氧半场效晶体管、第二N型金氧半场效晶体管及第二P型金氧半场效晶体管。第一N型金氧半场效晶体管及第一P型金氧半场效晶体管相串接，并由第一时钟信号控制。第二N型金氧半场效晶体管及第二P型金氧半场效晶体管相串接，并由第二时钟信号控制。第一N型金氧半场效晶体管接收第一输入电压，而第二N型金氧半场效晶体管接收第二输入电压。第一时钟信号变换电位的时点及第二时钟信号变换电位的时点相异。第一时钟信号的升缘领先第二时钟信号的对应降缘。
电荷单元电路

[发明专利]具有辅助栅极的非易失性存储单元结构及其存储器数组-CN201611041736.9在审
发明人：曹沐潆;陈纬仁 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2016-11-24 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：各非易失性存储单元包含P型金氧半选择晶体管以及与P型金氧半选择晶体管串联的P型金氧半浮动栅极晶体管。各字线电连接至P型金氧半选择晶体管的选择栅极。各位线电连接至各非易失性存储单元中的P型金氧半浮动栅极晶体管的掺杂区。各源极线电连接至P型金氧半选择晶体管的掺杂区。
具有辅助栅极非易失性存储单元结构及其存储器数组

[发明专利]单一金属闸极互补式金氧半导体元件-CN200610002787.0有效
发明人：王志豪;陈尚志;蔡庆威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-01-28 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是有关于一种单一金属闸极互补式金氧半导体元件。依据本发明的一种半导体元件，包含在基板结构上形成p－型金氧半导体电晶体，p－型金氧半导体电晶体包含位于基板结构上的源极/汲极及其扩散区域、定义于源极与汲极之间的通道区域、覆盖于通道区域上的闸介电层及位于闸介电层上的闸极相对于半导体基板而言，闸极是利用具有n－型功函数的材料形成，并处理闸极使闸极相对于半导体基板而言具有中能隙型或p－型功函数。本发明提供了一种利用单一金属来形成闸极的互补金氧半导体元件及其制造方法，适用于形成n－型金氧半导体电晶体及p－型金氧半导体电晶体。
单一金属互补式金氧半导体元件

[发明专利]肖特基二极管及其制造方法-CN201510971913.2有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管，包括金半接触结和位于所述金半接触结周侧的PN结；金半接触结的N型区由位于场氧的底部的N型掺杂区组成；金半接触结的金属形成于场氧去除后的N型掺杂区表面。PN结的P型区形成于金半接触结周侧的有源区中，组成金半接触结的N型区的N型掺杂区同时延伸到有源区中组成PN结的N型区；PN结的P型区的底部区域还延伸到场氧的底部并且金半接触结相交叠。本发明能提高金半接触结性能的稳定性，提高器件的击穿电压，减少器件的反向漏电。
肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]可擦写可编程只读存储器-CN01136877.2有效
发明人：杨青松;沈士杰;徐清祥 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2001-11-02 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种可擦写可编程只读存储器，至少包含两串接的P型金氧半场效晶体管，其中第一P型金氧半场效晶体管(PMOS)做为选择晶体管(selecttransistor)，其闸极连接至选择闸极电位(VSG)，第一端点(源极)连接至源极线电位(VSL)，第二端点(汲极)则串接至第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的第一端点，该第二P型金氧半场效晶体管(PMOS)的第二端点连接至位元线电位(VBL)，上述第二P型金氧半场效晶体管
擦写可编程只读存储器

[发明专利]开关电路及显示装置-CN201110232087.1无效
发明人：张荣杰;傅渭峰 -专利权人：苏州佳世达电通有限公司;佳世达科技股份有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H03K17/60 文献下载
摘要：本发明是关于一种开关电路及显示装置，其包含：P型金氧半晶体管，其源极耦接于第一电源；第一电阻，其第一端耦接于电源转换单元，且该第一电阻的第二端耦接于该P型金氧半晶体管的栅极；及第一电容，其第一端耦接于该P型金氧半晶体管的栅极，且该第一电容的第二端耦接于该P型金氧半晶体管的源极。
开关电路显示装置

[发明专利]内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路-CN200910140911.3有效
发明人：黄志丰;张光铭 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种内建增强型金氧半场效晶体管的功率晶体管芯片及其应用电路，使用增强型金氧半场效晶体管搭配两串联电阻，来作为交/直流电压转换电路的启动电路，以在交/直流电压转换电路的脉宽调变电路开始正常工作后，可以关闭启动电路的运作此外，增强型金氧半场效晶体管还内建于功率晶体管芯片中，由于增强型金氧半场效晶体管可采用功率晶体管的相同工艺来制作，故不会增加额外的掩模与工艺，而可简化工艺、节省成本。
增强型金氧半场晶体管功率芯片及其应用电路

[发明专利]光电信号转换器及其模拟数字转换电路-CN200710141843.3有效
发明人：曾泓玮;胡凌彰;吕世香;孙文堂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-08-14 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：一种光电信号转换器及其模拟数字转换电路，该光电信号转换电路包括一检测模块、第一P型金氧半晶体管、第一N型金氧半晶体管、第一开关单元以及一输出模块。第一P型金氧半晶体管与第一N型金氧半晶体管构成一反相器结构。第一开关单元配置在此反相器结构的输入端与输出端之间，并依照第一控制信号来决定是否导通。
光电信号转换器及其模拟数字转换电路

[发明专利]可预防闩锁效应的逻辑电路-CN202111451817.7在审
发明人：温咏儒;刘汉麒;柯星佑 -专利权人：原相科技股份有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种可预防闩锁效应的逻辑电路，其通过在P型金氧半晶体管的N型井区配置额外的重掺杂N型有源区，并在N型金氧半晶体管的P型井区配置额外的重掺杂P型有源区，以阻止寄生硅控整流器的导通来预防发生闩锁效应。
预防效应逻辑电路

[发明专利]非混合型的互补型金氧半晶体管播放机马达驱动电路-CN200410033825.X无效
发明人：林万荣 -专利权人：合邦电子股份有限公司
申请日： 2004-04-14 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： G11B19/20 文献下载
摘要：本发明是关于一种非混合型的互补型金氧半晶体管播放机马达驱动电路，主要是令数字音讯(影像)播放机的马达驱动电路由非Bi－CMOS型的互补型金氧半晶体管构成；其是由一前级及一驱动级组成，其中前级是利用串接的互补型金氧半晶体管以产生较高的触发电压
混合互补型金氧半晶体管播放机马达驱动电路

[发明专利]水平扩散金氧半导体元件-CN201410155578.4在审
发明人：苏潮源;吴清逸;陈弘斌;张俊彦 -专利权人：奇景光电股份有限公司;原景科技股份有限公司
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明揭露一种水平扩散金氧半导体元件，尤其是揭露一种水平扩散N型金氧半导体元件以及水平扩散P型金氧半导体元件。水平扩散N型金氧半导体元件包括半导体基底、磊晶层在半导体基底上、图案化的隔离层在磊晶层上、N型双扩散区于图案化的隔离层的第一主动区中、N型浓掺杂漏极区设置于N-型双扩散区中、P型体掺杂区设置于图案化的隔离层的第二主动区中、一对相邻的N型浓掺杂源极区和P型浓掺杂源极区设置于P型体掺杂区中、第一栅极结构设置于通道区上以及第二栅极结构设置于第二主动区上。N型双扩散区的制作方式包括离子布植及磊晶层掺杂。
水平扩散半导体元件

[发明专利]一种静电放电保护电路-CN201410132386.1有效
发明人：陈哲宏 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电放电保护电路，包括一二极管，设置于一N型井区，一包括一高浓度P型掺杂区与不相邻的一高浓度N型掺杂区；一金氧半(NMOS)晶体管，设置于一P型井区，包括一汲极、一源极与一闸极，汲极与源极皆由高浓度N型掺杂区所形成；其中P型井区更包括一相邻于源极的高浓度P型掺杂区，金氧半(NMOS)晶体管的汲极电性连接于二极管的高浓度N型掺杂区，金氧半(NMOS)晶体管的源极与相邻的高浓度P型掺杂区电性地接地，且金氧半
一种静电放电保护电路

[发明专利]具有热防护功能的晶体管结构-CN200310104671.4无效
发明人：张崇兴 -专利权人：华宇电脑股份有限公司
申请日： 2003-10-29 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：此晶体管结构的一类型包括主要N型金氧半晶体管、次要P型金氧半晶体管以及热防护单元；次要P型金氧半晶体管的漏极端与栅极端分别连接到主要N型金氧半晶体管的栅极端与热防护单元；此两晶体管结构整体架构是仿效标准的N型金属氧化物半导体晶体管；次要P型金属氧化物半导体晶体管的源极端作为此晶体管结构的栅极端。此晶体管结构的漏极端和源极端分别为主要N型金属氧化物半导体晶体管的漏极端与源极端；此热防护单元藉由感测热量、中断流过晶体管的电流以及开闭晶体管，以避免此晶体管结构的两金属氧化物半导体晶体管发生热故障。
具有防护功能晶体管结构

[发明专利]一种利用铁锰氧体-金纳米催化剂处理有机污染物的方法-CN202011438283.X有效
发明人：秦蕾;李灿;陈志达;邓豪;叶皓阳;谌文静;陈文芳;符玉葵;王志红 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C02F1/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用铁锰氧体‑金纳米催化剂处理有机污染物的方法，该方法是采用铁锰氧体‑金纳米催化剂对有机污染物进行处理，其中铁锰氧体‑金纳米催化剂包括铁锰氧体、纳米金颗粒和负价金离子，纳米金颗粒和负价金离子共同沉积在铁锰氧体表面相比MFO单体和纳米金胶体类催化剂，本发明中采用的铁锰氧体‑金纳米催化剂具有经济效益好、稳定性好、催化活性高、重复利用性能好、易于回收利用等优点，作为一种可以广泛使用的经济型铁氧体‑金纳米催化剂，能够高效降解去除环境中的有机污染物特别是能够将四环素类抗生素物质降解
一种利用铁锰氧体纳米催化剂处理有机污染物方法

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