[实用新型]一种功率MOSFET场效应晶体管有效
| 申请号： | 201920365999.8 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN209785944U | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 许胜 | 申请（专利权）人： | 深圳淇诺科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 44439 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 何兵;饶盛添 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区华强北*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种功率MOSFET场效应晶体管，设有栅极、源极和漏极，包括：晶圆层，所述晶圆层的一面设有所述栅极和所述漏极，所述栅极设有朝外的栅极接触部，所述漏极具有朝外的漏极接触部；塑封层，覆盖在所述晶圆层背向所述漏极的一面，所述源极设有背向所述漏极方向延伸穿透所述塑封层的延伸部，所述延伸部背向所述漏极接触部的一面设有源极接触部；所述漏极覆盖在所述晶圆层背向所述塑封层的一面，所述漏极和所述晶圆层具有一连通所述栅极接触部的凹槽。本实用新型涉及的一种功率MOSFET场效应晶体管具有方便现有的非倒置栅极的功率MOSFET场效应晶体管倒置栅极改造的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 晶圆 场效应晶体管 功率MOSFET 塑封层 本实用新型 漏极接触部 栅极接触 倒置 延伸部 朝外 源极 源极接触部 方向延伸 覆盖 穿透 改造 | ||
【主权项】：
1.一种功率MOSFET场效应晶体管，设有栅极、源极和漏极，其特征在于，包括：/n晶圆层，所述晶圆层的一面设有所述栅极和所述漏极，所述栅极设有朝外的栅极接触部，所述漏极具有朝外的漏极接触部；/n塑封层，覆盖在所述晶圆层背向所述漏极的一面，所述源极设有背向所述漏极方向延伸穿透所述塑封层的延伸部，所述延伸部背向所述漏极接触部的一面设有源极接触部；/n所述漏极覆盖在所述晶圆层背向所述塑封层的一面，所述漏极和所述晶圆层具有一连通所述栅极接触部的凹槽。/n
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