[发明专利]半导体结构、晶体管、可变电容及元器件有效
| 申请号： | 201911252048.0 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN110931564B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/94;H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包括：衬底以及位于衬底上的栅极结构，所述衬底包括势阱，势阱中形成有第一通道、第二通道、第三通道和第四通道，所述第一通道和所述第二通道连通，第一通道和第二通道注入相同的离子，第三通道和第四通道注入相同的离子。本发明还提供了一种晶体管和一种可变电容，均包括如上述所述的半导体结构。本发明还提供了一种元器件，包括晶体管以及位于所述晶体管旁边的可变电容，晶体管和可变电容的势阱相同。在本发明提供的半导体结构、晶体管、可变电容及元器件中，晶体管和可变电容的势阱为同一类型的势阱，由于是同一类型的势阱，无需考量类似N型势阱和P型势阱之间的最小隔离需求，可以有效缩减版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 晶体管 可变电容 元器件 | ||
【主权项】：
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