[发明专利]半导体结构及其制作方法、电容检测方法在审
| 申请号： | 201911207315.2 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112993004A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 肖瑟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/64;H01L21/265;G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构及其制作方法、电容检测方法，该半导体结构包括：深掺杂阱，与半导体衬底具有不同的掺杂类型，且包裹于半导体衬底内，以使深掺杂阱在堆叠方向上的两相对侧面分别与半导体衬底形成PN结；环形掺杂部，且形成于半导体衬底内；栅极绝缘层，设置于半导体衬底上；栅极，设置于栅极绝缘层背离半导体衬底的一侧，且栅极在半导体衬底上的正投影位于深掺杂阱以外；介电层，设置于半导体衬底上；第一探针垫，设置于介电层背离半导体衬底的一侧，第一探针垫在半导体衬底上的的正投影位于深掺杂阱内；导线，连接于第一探针垫与栅极之间。该半导体结构可以被准确、方便的测量栅极与半导体衬底之间的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 电容 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911207315.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种户外用防水性能好的蓄电池组
- 下一篇：一种表面缺陷检测的方法、装置及设备
- 同类专利
- 专利分类
