[发明专利]P型半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911133329.4 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110867489A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型半导体器件，栅极结构包括依次叠加的栅介质层和金属栅，在栅介质层和所述金属栅之间具有由TiN层组成的P型功函数层。P型功函数层具有功函数调节结构，功函数调节结构是由对TiN层进行表面处理形成。P型功函数层的功函数通过功函数调节结构调节。P型半导体器件的阈值电压由P型功函数层的功函数确定并由功函数调节结构调节。本发明还公开了一种P型半导体器件的制造方法。本发明能在厚度参数之外调节TiN层组成的P型功函数层的功函数并从而调节器件的阈值电压，从而能使P型功函数层的功函数调节不受到厚度的限制，有利于在等比例缩小的器件的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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