[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201910971630.6 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112736035B | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 孙正庆;徐朋辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的制作方法。该方法包括在存储单元阵列区和周边电路区中的第一绝缘介质层中定义出源/漏接触孔隔离沟槽；形成与第一绝缘介质层表面齐平的第二绝缘介质层；在存储单元阵列区和周边电路区表面形成图案转移层分步图形化存储单元阵列区的图案转移层和周边电路区的图案转移层，形成存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形，且存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形之间存在正高度差；以存储单元阵列区待转移图形和周边电路区待转移图形为窗口，去除相邻源/漏接触孔隔离沟槽之间的以及周边电路区中的第一绝缘介质层，在存储单元阵列区形成源/漏接触孔图形，并在周边电路区形成源/漏接触孔图形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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