[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910919132.7 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN110970411A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 渡边昌崇;河野直哉;菊地健彦 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L21/60;H01L23/485;G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾红霞;龙涛峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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