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[发明专利]一种基于相变材料的非易失性可调谐方向耦合器-CN201811451093.4有效
发明人：徐培鹏;谢恒;宋以鹏;张芳;周俊;张巍 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变材料的非易失性可调方向耦合器，包括SOI基片，SOI基片上沿水平方向设置有平行分布的输入硅波导和输出硅波导，特点是输出硅波导的上表面沿长度方向设置有相变材料GST波导层，GST波导层位于耦合区域内且均匀的分为N段，每一段均能工作在晶态或非晶态状态，其中N为3‑20内的任意自然数，耦合器通过改变处于晶态和非晶态的GST波导层的段数实现任意比例的功率耦合，优点是便于片上集成、能量消耗低、较宽的工作带宽、较低的插入损耗以及输出功率可调。
一种基于相变材料非易失性可调谐方向耦合器

[发明专利]微环调制器-CN202111544976.1有效
发明人：张宇光;肖希;王磊;胡晓;陈代高 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明实施例提供的微环调制器，包括：衬底层；位于所述衬底层上的平板波导层；并列设置在所述平板波导层中的耦合波导及微环谐振结构，所述微环谐振结构包括沿所述衬底层厚度方向依次层叠设置的第一掺杂结构和第二掺杂结构，所述第一掺杂结构与所述第二掺杂结构的掺杂类型相反；以及与所述微环谐振结构电连接的电极。
调制器

[发明专利]用于基于半导体的MZM调制器的相位匹配的光波传播和RF波传播的方法和装置-CN201880018129.1有效
发明人：周建英 -专利权人：新飞通光电公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：具有与行波结构中的RF波导相互作用的基于半导体的光波导的光调制器。半导体光波导通常包括沿波导的pn结。为了降低光信号和RF信号之间的相位偏离，行波结构可以包括其中相位偏离被反转的一个或多个补偿部分。补偿部分可以包括掺杂剂浓度的改变、光波导的额外长度和/或RF波导的额外长度。描述了对应的方法。
用于基于半导体 mzm 调制器相位匹配光波传播 rf 方法装置

[发明专利]一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器-CN202310699135.0在审
发明人：祝连庆;李鸿鹏;鹿利单;董明利;张旭;夏嘉斌 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明提供了一种低电压高速信号驱动的可调光衰减器，包括：绝缘体上硅基层，所述绝缘体上硅基层包括顶部硅层和氧化物掩埋层，其中，在所述顶部硅层形成光波导，以及在所述顶部硅层位于所述光波导两侧，并沿所述光波导延伸的方向，串联阵列20个PN二极管。本发明用于光子芯片中高速信号的加载，调节光子计算芯片中光强大小，减少驱动所需功耗，实现光芯片中低电压高速信号的加载。
一种电压高速信号驱动调光衰减器

[发明专利]带有梳状传输线的单片电光调制器-CN201911241879.8有效
发明人：刘亚东;苏宗一;潘栋 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了单片电光(E‑O)调制器的各种实施例，其可以被制造在绝缘体上硅衬底上。单片电光调制器包括允许光信号在其中传播的光波导。单片电光调制器还包括梳状传输线，用于传导对光信号进行调制的电调制信号。梳状传输线包括与光波导平行延伸的电导体。导体中的至少一个包括将导体形成为具有像梳子一样的多个齿的形状的凹部或狭槽。可以设计梳状传输线以实现沿光波导的光信号的传播速度与沿梳状传输线的电调制信号的群速度之间的紧密匹配，有助于实现单片电光调制器的高工作速度。
带有传输线单片电光调制器

[发明专利]热光移相器、热光移相器制造方法及热光移相器阵列-CN202310065973.2在审
发明人：王庆;杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种热光移相器、热光移相器制造方法及热光移相器阵列，该热光移相器阵列包括若干个热光移相器构成的阵列通道；其中，相邻通道间对应热光移相器的加热电阻具有预设阻值差，两个对应热光移相器的加热电阻通过互连金属线串联，以使串联的每一组加热电阻的阻值和相等，每一组加热电阻通过金属电极并联。本发明通过采用两两加热电阻串联的方式，使每一组加热电阻的阻值和相等，组与组之间采用并联的方式互连，只需要控制一个输入电压即可实现移相器阵列相邻通道间的相位差的控制，且避免了特大电阻的出现。
移相器制造方法阵列

[发明专利]半导体器件-CN201810124748.0有效
发明人：绵贯真一;中柴康隆;若林胜 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，实现内置有硅光调制器的半导体器件的小型化。半导体器件具有光调制器，该光调制器将第1光波导路、相位调制部(PM)、第2光波导路依次连接，沿第1方向(Y)对光进行引导，其中，相位调制部具有：半导体层(SL)，其由单晶硅构成，第1方向上的长度(L1)比与第1方向正交的第2方向(X)上的宽度(W1)大；芯部(CR)，其是形成于半导体层的光波导区域，沿第1方向延伸；一对板部(SB)，其在第2方向上配置于芯部的两侧；第1电极(Mp)，其与一个板部连接；和第2电极(Mn)，其与另一个板部连接。并且，芯部具有沿第1方向延伸的p型半导体区域和n型半导体区域，第2方向与半导体层的晶体取向100一致。
半导体器件

[发明专利]光学感测模块-CN202180068036.1在审
发明人： C·达尔维;S·梅里特;H·阿贝迪亚斯尔;J·德里斯科尔;A·贡达连科;R·格罗特;S·佩蒂基安;D·A·尼尔松 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种用于漫反射组织监测的传感器系统，所述传感器系统包括：一个或多个集成光子硅或氮化硅宽带收发器电路，所述一个或多个收发器电路用于多波长漫反射组织监测，其中所述一个或多个收发器电路包括发射器光子集成电路(PIC)，所述发射器PIC包括光学相控阵列(OPA)，所述OPA包括引导机构以在所述组织上引导所发射的光。
光学模块

[发明专利]一种半埋入式狭缝波导的电光调制器-CN202310304981.8在审
发明人：陈明;李仁杰;韩文豪;时鑫瑜;王向阳;赵万里;徐捷;苑立波 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明提供一种半埋入式狭缝波导的电光调制器，包括半埋入式狭缝波导、氧化铝介质层，石墨烯和衬底，在埋入式狭缝波导上覆盖两层石墨烯，在波导与石墨烯之间及两层石墨烯之间插入氧化铝介质，最后在最上层介质上再加载狭缝波导；通过对石墨烯施加电压来改变石墨烯对光的吸收，以此改变波导输出的光功率，从而实现对光的调制。本发明利用现有成熟的工艺，制作简单，相比其他结构，利用狭缝波导对光的局部拘束来获得更高的消光比，可有效缩短器件长度。本发明提供的利用狭缝波导的电光调制器结构具有小型化，调制速度快的优势，再光通信和光子芯片领域有广泛应用场景。
一种埋入狭缝波导电光调制器

[发明专利]一种高速硅光调制器相移臂及其制备方法-CN202111429663.1有效
发明人：余胜;曹权 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;武汉飞思灵微电子技术有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明涉及光通信领域，提供了一种高速硅光调制器相移臂及其制备方法，高速硅光调制器相移臂包括：脊型波导；P型掺杂区和N型掺杂区分别位于所述脊型波导的两侧；P型掺杂区包括P型重掺区和P型轻掺区；所述P型重掺区位于所述脊型波导的边界区域，所述P型轻掺区位于所述脊型波导的核心区域；N型掺杂区包括N型重掺区和N型轻掺区；所述N型重掺区位于所述脊型波导的边界区域，所述N型轻掺区位于所述脊型波导的核心区域；本发明通过在脊型波导内光场相对较弱的边界区域进行较高浓度的离子掺杂，在脊型波导内光场相对较强的核心区域进行较低浓度的离子掺杂，使得在提高硅光调制器带宽的同时，不会引起光学损耗较大幅度的增加。
一种高速调制器相移及其制备方法

[发明专利]基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关-CN201910477482.2有效
发明人：蒋卫锋;苗金烨;李涛 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于水平三波导耦合器的硅基模式选择开关，包括衬底层，下包层和上覆盖层；在下包层上铺有左侧掺杂平板波导层和右侧掺杂平板波导层，左侧掺杂平板波导层上设有左侧电极和输入波导；右侧掺杂平板波导层上设有右侧电极和主干波导；采用基于ENZ‑ITO的水平MOS电容器，通过调整外加电压，调节ITO层的双载流子积聚层的浓度，达到快速相变来实现模式复用的状态转换，实现了高速开关转换，提高了光与物质互作用，为片上模式复用技术打下良好基础，进一步实现应用于模分复用网络的灵活模式路由，为实现光通信、光子系统中高性能光信号处理芯片或器件奠定了基础。
基于水平波导耦合器模式选择开关

[发明专利]光调制器及其形成方法-CN202310003328.8在审
发明人：陈代高;肖希;刘敏;刘佳;刘晔;周佩奇;刘阳;胡晓;张红广 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种光调制器及其形成方法，所述方法包括：在介质层上形成初始掺杂层；刻蚀所述初始掺杂层的第一预设区形成初始第一波导，并刻蚀所述初始掺杂层的第二预设区至预设高度形成刻蚀后的所述第二预设区；基于刻蚀后的所述第二预设区，形成初始第二波导；分别对所述初始第一波导和刻蚀后的所述第一预设区进行P型掺杂，对应形成第一波导和P型掺杂区；分别对所述初始第二波导和刻蚀后的所述第二预设区进行N型掺杂，对应形成第二波导和N型掺杂区；其中，所述第一波导和所述第二波导形成脊波导，所述P型掺杂区和所述N型掺杂区形成掺杂层；在所述掺杂层上形成包覆所述脊波导的覆盖层。
调制器及其形成方法

[发明专利]波导装置和掺杂波导装置的方法-CN201780074837.2有效
发明人： D.莱罗塞;H.阿贝戴斯尔;A.S.纳格拉 -专利权人：洛克利光子有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种波导装置和掺杂波导装置的方法，所述波导装置包括肋形波导区，所述肋形波导区具有：基底，以及从所述基底延伸的脊状物，其中：所述基底包括在所述脊状物的第一侧处的第一平板区，和在所述脊状物的第二侧处的第二平板区；第一掺杂平板区沿着所述第一平板区延伸；第二掺杂平板区沿着所述第二平板区延伸；第一掺杂侧壁区沿着所述脊状物的第一侧壁并且沿着所述第一平板的一部分延伸，所述第一掺杂侧壁区在第一平板界面处与所述第一掺杂平板区接触；并且第二掺杂侧壁区沿着所述脊状物的第二侧壁并且沿着所述第二平板的一部分延伸，所述第二掺杂侧壁区在第二平板界面处与所述第二掺杂平板区接触；并且其中所述脊状物的所述第一侧壁与所述第一平板界面之间的间隔不多于10μm；并且其中所述脊状物的所述第二侧壁与所述第二平板界面之间的间隔不多于10μm。
波导装置掺杂方法

[发明专利]一种共面带状线行波电极及硅基马赫曾德尔调制器-CN202011290716.1有效
发明人：徐珍珠;朱宇鹏;高旭东;曹继明;崇毓华;梅理 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开一种共面带状线行波电极及硅基马赫曾德尔调制器，具有共面波导‑共面带状线的宽带过渡结构，所述共面带状线行波电极包括第一接地线、信号线、第二接地线；所述第一地极接入端、所述信号接入端、所述第二地极接入端、所述第一过渡段、所述第二过渡段、所述场耗散过渡段构成共面波导‑共面带状线的过渡结构；所述第一地极接入端、所述信号接入端、所述第二地极接入端构成的共面波导结构；本发明通过共面带状线行波电极结构的利用，使得依靠一组行波电极即可实现单端推挽驱动，减小了电极面积，适用于多个调制器的集成，提高了集成度。
一种带状线行波电极马赫曾德尔调制器

[发明专利]具有RCBC电极结构的单片电光调制器-CN201910822026.7有效
发明人：刘亚东;蔡鹏飞;苏宗一;潘栋 -专利权人：希烽光电科技（南京）有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：本发明公开了单片电光(E‑O)调制器的各种实施例。单片电光调制器包括有源区域，该有源区域包括多个p‑n结二极管，以及延伸通过有源区域的调制电极和偏压电极。单片电光调制器还包括电阻器‑电容器‑偏压电容器(RCBC)电极结构，其被配置为接收电调制信号，直流(DC)偏压电压和电源电压。具体地，RCBC电极结构包括耦合到调制电极的电阻器和两个电容器，每个电容器耦合到偏压电极的相应端。有利地，RCBC电极结构使得p‑n结二极管能够独立于电调制信号的DC电平而被偏压。
具有 rcbc 电极结构单片电光调制器

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