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[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202210069607.X在审
发明人：平谷拓生;藤原直树;菊地健彦 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明提供能够兼顾散热性和光封闭的半导体光元件及其制造方法。该半导体光元件具备：含有硅的衬底；以及半导体元件，其与所述衬底接合，所述半导体元件由化合物半导体形成且具有光学增益，所述衬底具有波导和第一区域，该第一区域在所述波导的延伸方向上与所述波导连接，所述第一区域具有多个凹部和多个凸部，所述凹部相比于所述衬底的与所述半导体元件接合的面而在所述衬底的厚度方向上凹陷，所述凸部相比于所述凹部的底面而在所述衬底的厚度方向上突出，所述多个凹部与所述多个凸部在与所述波导的延伸方向交叉的方向上交替排列，所述半导体元件与所述第一区域接合。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202110178391.6在审
发明人：藤原直树;八木英树;平谷拓生;菊地健彦;新田俊之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供能够提高增益区域和波导路耦合的耦合效率的半导体光元件及其制造方法。半导体光元件的制造方法具备以下工序：在具有波导路的SOI基板上接合半导体芯片，上述半导体芯片包括依次层叠的第一包覆层、芯层及第二包覆层，且具有光学增益；在上述第二包覆层的一部分上形成第一绝缘膜；将上述第二包覆层中的从上述第一绝缘膜露出的部分蚀刻至厚度方向的中途；形成第二绝缘膜，上述第二绝缘膜从上述第二包覆层中的被上述第一绝缘膜覆盖的部分覆盖至上述第二包覆层的残存部分的一部分；及通过对上述第二包覆层中的从上述第二绝缘膜露出的部分及上述芯层进行蚀刻，形成位于上述波导路上且沿着上述波导路的延伸方向前端尖细的第一锥形部。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体光学元件-CN202011169596.X在审
发明人：藤原直树;八木英树;小路元;平谷拓生;菊地健彦;新田俊之 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体光学元件，其能够得到良好的特性并且能够小型化。所述半导体光学元件具备：SOI基板，具有硅的波导；及增益区域，与所述SOI基板接合，由III‑V族化合物半导体形成，并具有光学增益，所述波导包括弯曲部和多个直线部，所述多个直线部经由所述弯曲部相互连接并以直线状延伸，所述增益区域位于所述多个直线部的每一个上。
半导体光学元件

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN201910919132.7在审
发明人：渡边昌崇;河野直哉;菊地健彦 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]具有形成在半导体基板上的多模耦合器的光学模块-CN201680043727.5在审
发明人：藤村康;森山礼;武智胜;菊地健彦 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明披露了使用包括主要由半导体材料制成的光混合器的MMI器件的光学模块。具有矩形平面形状并且包括多模耦合器的MMI器件安装在载体上。载体设置有沿载体的顶面的整个横向宽度延伸的台阶，该台阶在形成有MMI耦合器的区域中与MMI器件之间具有间隙。
具有形成半导体基板上耦合器光学模块