[发明专利]LDMOS射频功率器件的双向SCR保护结构在审
| 申请号： | 201910841593.7 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN110556414A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 赵发展;蔡小五;淮永进;周祥兵 | 申请（专利权）人： | 扬州江新电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 32102 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 董旭东 |
| 地址： | 225003 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子电路领域内的一种LDMOS射频功率器件的双向SCR保护结构，包括依次设置的Si层、封装层和P型衬底，在P型衬底上形成有DNW，在DNW里形成有两个高压PX和一个NX，NX位于两个高压PX之间，在PX区域和NX区域内依次注入形成有P+、N+、N+、N+、P+区域，位于中间的N+区域跨越NX区域并嵌入PX区域，T1、T2为引出端，从T1到T2，P+、PX、NX、PX、N+构成正向ESD电流泄放路径SCR1，从T2到T1，P+、PX、NX、PX、N+构成反方向ESD电流泄放路径SCR2。本发明具有较低的触发电压和维持电压，能耗较小，具有双向保护的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 泄放 射频功率器件 微电子电路 保护结构 触发电压 双向保护 维持电压 依次设置 反方向 封装层 引出端 正向 嵌入 能耗 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS射频功率器件的双向SCR保护结构，其特征在于：包括依次设置的Si层、封装层和P型衬底，在P型衬底上形成有DNW，在DNW里形成有两个高压PX和一个NX， NX位于两个高压PX之间，在PX区域和NX区域内依次注入形成有P+、N+、N+、 N+、 P+区域，位于中间的N+区域跨越NX区域并嵌入PX区域， T1、T2为引出端，从T1到T2，P+、PX、NX、PX、N+构成正向ESD电流泄放路径SCR1，从T2到T1，P+、PX、NX、PX、N+构成反方向ESD电流泄放路径SCR2。/n
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