专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果38个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]单控双级升压式PFC电路及浪涌抑制电路-CN202310366470.9在审
  • 周祥兵;高潮;郭慧;韩佳乐;顾裕谭;汪瑞 - 扬州江新电子有限公司
  • 2023-04-07 - 2023-08-11 - H02M7/217
  • 本发明包含单控双级升压式PFC电路和浪涌抑制电路。该PFC电路采用一个控制芯片控制两级升压电路,且只需要一个功率电感。其前一级为子PFC,后一级为主PFC,后一级电路的功率输入来源于前一级升压电感的耦合电感。子PFC采用Cz电容网络替代传统的单电容滤波,为后一级提供更为灵活的输出电压。控制部分还通过调整功率电路的工作频率和工作占空比,实现PFC电路工作效率最优化,同时实现PFC电路和PFC后一级电路的整体效率达到一个动态最优化。另外,浪涌抑制电阻由传统串在主功率回路移至储能电容下端,与储能电容串联,同时采用晶体管延时短路,使其功耗大大降低,且不再需要继电器。
  • 单控双级升压pfc电路浪涌抑制
  • [实用新型]一种用于功率集成电路电源到地的ESD保护结构-CN202122967899.2有效
  • 蔡小五;杜寰;周祥兵 - 扬州江新电子有限公司
  • 2021-11-30 - 2022-04-12 - H01L27/02
  • 本实用新型公开了一种用于功率集成电路电源到地的ESD保护结构,依次包括Si层、埋氧化层、P型衬底和P型衬底上的N型深阱,N型深阱上依次排布有第一N阱、第一P阱和第二N阱;第一N阱内包括第一N+注入区和第一P+注入区;第二N阱内包括第二P+注入区和第二N+注入区;第一P阱内包括多个N+注入区和多个P+注入区间隔排列;第一N+注入区和第二N+注入区连接至电源端;第一P阱内的多个N+注入区和多个P+注入区相互并联并连接至接地端。本实用新型通过简单的外部辅助触发电路连接SCR器件,当ESD事件发生时,外部电路结构开启,外部电路的导通电流触发SCR,从而帮助SCR器件开启,既不需要改变SCR器件内部结构,又降低了SCR触发电压。
  • 一种用于功率集成电路电源esd保护结构
  • [发明专利]基于MOS器件的新型RCC电路-CN202110209787.2有效
  • 庄宗其;高潮;朱晨豪;杨周;姚世强;周祥兵;陈敦军 - 扬州江新电子有限公司
  • 2021-02-25 - 2022-04-08 - H02M3/338
  • 本发明公开了一种基于MOS器件的新型RCC电路,采用了Q1和Q2双晶体管片上设计,两个晶体管共用一个晶圆,减小体积、降低成本、提升可靠性控制。电路沿用RCC电路主变压器中的第三辅助绕组Na,采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Q1提供驱动信号,无须控制芯片。电路进一步采用了集成式的高频电流逐周期检测方案,与自激驱动腔共用一个线圈,省去了电流检测电阻,实现了无损耗电流检测。电路还采用了积分反馈法实现原边反馈,通过在关断时间内,对Q1漏极电压进行积分计算,间接获取输出电压信息,从而实现对输出电压的实时精确调控。
  • 基于mos器件新型rcc电路
  • [发明专利]基于GaN HEMT器件的自激驱动与功率变换电路-CN202110209549.1有效
  • 王玉雯;高潮;庄紫怡;吉怡悦;周祥兵;陈敦军 - 扬州江新电子有限公司
  • 2021-02-25 - 2022-04-08 - H02M3/338
  • 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的自激驱动与功率变换电路。该电路采用了新型的GaN基HEMT器件,提高电路工作频率至MHz。器件采用了硅衬底,并采用了Q1和Q2双晶体管片上设计,两个晶体管共用一个晶圆,减小体积、降低成本、提升可靠性控制。器件还采用了集成式反向并联二极管结构,提升器件的反向导通特性。电路通过功率电路主变压器中的第三辅助绕组Na,采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Q1提供驱动信号,无须控制芯片,Q1的驱动需要通过针对GaN HEMT器件特殊的驱动缓冲电路来保证其可靠驱动。电路进一步采用了集成式的高频电流逐周期检测方案,与自激驱动腔共用一个线圈,省去了电流检测电阻,实现了无损耗电流检测。
  • 基于ganhemt器件驱动功率变换电路
  • [发明专利]一种用于LDMOS输出端的ESD保护结构-CN202111439779.3在审
  • 蔡小五;杜寰;周祥兵 - 扬州江新电子有限公司
  • 2021-11-30 - 2022-03-01 - H01L27/02
  • 本发明公开了一种用于LDMOS输出端的ESD保护结构,N型深阱上排布有第一N阱、第一P阱和第二N阱;第一N阱内包括第一N+注入区和第一P+注入区;第二N阱内包括第二P+注入区和第二N+注入区;第一P阱内包括多个N+注入区和多个P+注入区间隔排列;第一N+注入区和第一P+注入区连接至电源端;第二P+注入区和第二N+注入区连接至电源端;第一P阱内的多个N+注入区和多个P+注入区相互并联作为数据输出端;数据输出端与电阻R的一端相连接,电阻R的另一端与栅电极相连接。本发明通过简单的外部辅助触发电路连接SCR器件,当ESD事件发生时,外部电路结构开启,外部电路的导通电流触发SCR,从而帮助SCR器件开启,既不需要改变SCR器件内部结构,又降低了SCR触发电压。
  • 一种用于ldmos输出esd保护结构
  • [发明专利]具有阵列式多层法拉第屏蔽环结构的LDMOS器件-CN201810148566.7有效
  • 周祥兵;高小平;高潮;黄素娟 - 扬州江新电子有限公司
  • 2018-02-13 - 2020-10-30 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种具有阵列式多层法拉第屏蔽环结构的LDMOS器件,结构包括:P+衬底层、P‑外延层、P+注入层、P阱区、漂移区、栅下氧化层、栅极电极、源极电极、漏极电极、背面金属以及源极深槽互连金属;还包括至少三层的法拉利环屏蔽层,所述的法拉利环屏蔽层每层均为阵列式结构,且覆盖整个栅极电极并向源极和漏极延伸,各层法拉利环屏蔽层之间的阵列完全对齐。本发明能使栅下漏侧峰值电场得到更好的平坦化以及弱化;法拉第屏蔽环覆盖至源极一侧,在改善栅下漏侧峰值电场的同时,还可降低栅极漏电流,使器件可靠性得到提高,并且降低功耗;阵列式法拉第屏蔽环设计,在降低峰值电场的同时还有效提升器件的输出电流,提高器件的功率密度,降低功耗。
  • 具有阵列多层法拉第屏蔽结构ldmos器件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top