[发明专利]间隙填充层、其形成方法、以及半导体装置在审
申请号: | 201910837421.2 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN110880511A | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 申美笑;闵忠基;金己焕;金相赫;金孝亭;林根元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11529 | 分类号: | H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L21/311 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了包括间隙填充层的装置、形成间隙填充层的方法、以及半导体装置。包括间隙填充层的装置可包括在下层上的上层,其限定从上层的顶表面朝着下层延伸的沟槽,并且间隙填充层可以是填充沟槽的多层结构。间隙填充层可包括:第一介电层,其填充沟槽的第一部分并具有靠近上层的顶表面的顶表面;第二介电层,其填充沟槽的第二部分并具有靠近上层的顶表面并且比第一介电层的顶表面更朝着下层凹陷的顶表面;以及第三介电层,其填充沟槽的剩余部分并覆盖第二介电层的顶表面。 | ||
搜索关键词: | 间隙 填充 形成 方法 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910837421.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的