专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统-CN202310304788.4在审
  • 权烔辉;闵忠基;尹普彦;张气薰 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-27 - 2023-10-17 - H10B41/35
  • 提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括:源极结构;第一堆叠结构和第二堆叠结构,其包括堆叠在源极结构上以彼此间隔开的第一栅电极;伪结构,其在第一堆叠结构和第二堆叠结构之间在源极结构上,并且包括堆叠为彼此间隔开的第二栅电极;第一分离区,其穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构,并且彼此间隔开;第二分离区,其在第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每一个与伪结构之间延伸;沟道结构,其穿过第一堆叠结构和第二堆叠结构,并且分别包括沟道层,通过沟道层连接到源极结构;以及第一源极接触结构,其穿过伪结构,并且分别包括第一接触层,第一接触层通过第一接触层的下表面连接到源极结构。
  • 半导体装置包括数据存储系统
  • [发明专利]用于处理基板的装置和方法-CN201910368829.X有效
  • 李基胜;闵忠基;曹守铉;李玉成 - 细美事有限公司
  • 2019-05-05 - 2023-07-04 - G03F7/16
  • 本发明涉及通过旋转涂覆在基板上形成膜的装置和方法。装置包括:具有在其中处理第一基板的第一空间的第一工艺腔室;具有在其中处理第二基板的第二空间的第二工艺腔室;液体分配单元,其设置在第一和第二工艺腔室中,并分配处理液以分别在第一和第二基板上形成液态膜;气流供应单元,其设置在第一和第二工艺腔室中,并分别在第一和第二空间中形成下向气流;和控制器,其控制液体分配单元和气流供应单元。各液体分配单元包括分配预处理液的预处理喷嘴、和将涂覆溶液分配到第一和第二基板中相应的一个上的涂覆溶液喷嘴。控制器控制液体分配单元以分配预处理液和随后的涂覆溶液到第一和第二基板上,并根据分配的预处理液的量调节下向气流的供应状态。
  • 用于处理装置方法
  • [发明专利]基板处理方法和装置-CN201811207541.6有效
  • 李基胜;曺守铉;闵忠基 - 细美事有限公司
  • 2018-10-17 - 2023-04-07 - H01L21/67
  • 本发明构思提供了一种用于对基板进行热处理的装置和方法。该方法包括:第一处理操作,即在供处理基板的处理空间被关闭的状态下将基板与设置有加热器的支撑板间隔开至第一高度并加热基板;在第一处理操作之后的第二处理操作,即降低基板使得基板位于第二高度并加热基板;在第二处理操作之后的第三处理操作,即升高基板使得基板与支撑板间隔开以位于第三高度并加热基板;以及在第三处理操作之后的第四处理操作,即降低基板使得基板位于第四高度并加热基板。因此,通过调节处理空间的气流速度,可以使中心区域与边缘的温差最小化,并且可以迅速地排出工艺副产物。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]半导体器件和包括其的数据存储系统-CN202211187807.1在审
  • 权烔辉;闵忠基;张气薰 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-28 - 2023-03-31 - H10B12/00
  • 本公开涉及半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括:第一基板;第二基板,包括第一区域和第二区域;堆叠结构,在第一区域中并从第一区域延伸到第二区域,堆叠结构包括层间绝缘层和栅极层,其中栅极层包括在第二区域中具有台阶形状的栅极焊盘;覆盖绝缘层,至少部分地覆盖堆叠结构;上绝缘层,在堆叠结构和覆盖绝缘层上;外围接触结构,包括接触第二基板并与栅极层间隔开的多个贯通通路,以及外围接触图案,在所述多个贯通通路上并将所述多个贯通通路的至少一部分彼此连接;存储器垂直结构;支撑垂直结构;以及栅极接触插塞,在栅极焊盘上以电连接到栅极焊盘。
  • 半导体器件包括数据存储系统
  • [发明专利]半导体装置及包括其的数据存储系统-CN202210664194.X在审
  • 金俊锡;权烔辉;金基雄;闵忠基;片荣范;黄昌善 - 三星电子株式会社
  • 2022-06-13 - 2022-12-20 - H01L27/11524
  • 提供了半导体装置和数据存储系统。半导体装置包括:衬底;第一堆叠结构,所述第一堆叠结构包括位于所述衬底上的第一栅电极;以及第二堆叠结构,所述第二堆叠结构位于所述第一堆叠结构上;其中,所述第一堆叠结构包括第一下阶梯区域、第二下阶梯区域和第三下阶梯区域,所述第二堆叠结构包括第一上阶梯区域、第二上阶梯区域、第三上阶梯区域以及穿透所述第二堆叠结构并且位于所述第一下阶梯区域至所述第三下阶梯区域上的至少一个穿通部分,所述第一下阶梯区域具有与所述第一上阶梯区域的形状相同的形状,所述第二下阶梯区域具有与所述第二上阶梯区域的形状相同的形状,并且所述第三下阶梯区域具有与所述第三上阶梯区域的形状相同的形状。
  • 半导体装置包括数据存储系统
  • [发明专利]半导体装置和包括半导体装置的电子系统-CN202210219592.0在审
  • 权烔辉;闵忠基 - 三星电子株式会社
  • 2022-03-08 - 2022-12-06 - H01L27/11519
  • 提供了一种半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括:外围电路结构,包括下基底、形成在下基底上的多个电路和连接到所述多个电路的多个布线层;上基底,覆盖外围电路结构,并且包括贯通开口;存储器堆叠结构,包括多条栅极线;存储器单元接触件,穿过所述多条栅极线中的至少一条栅极线,以接触所述多条栅极线之中的一条栅极线,存储器单元接触件通过贯通开口延伸到外围电路结构并且被构造为电连接到所述多个布线层之中的第一布线层;以及多个虚设沟道结构,穿过所述多条栅极线中的至少一条栅极线,以通过贯通开口延伸到外围电路结构。
  • 半导体装置包括电子系统
  • [发明专利]半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统-CN202210370873.6在审
  • 权烔辉;徐赞煜;闵忠基;尹普彦 - 三星电子株式会社
  • 2022-04-07 - 2022-10-18 - H01L23/48
  • 一种半导体器件包括:第一衬底;电路元件,在第一衬底上;下互连线,电连接到电路元件;第二衬底,在下互连线上;栅电极,彼此间隔开并沿垂直于第二衬底的上表面的第一方向堆叠在第二衬底上;沟道结构,贯穿栅电极,沿第一方向延伸,以及分别包括沟道层;贯通孔,沿第一方向延伸并将栅电极或沟道结构中的至少一个电连接到电路元件;绝缘区域,围绕贯通孔的侧表面;以及过孔焊盘,在第一方向上位于贯通孔与至少一条下互连线之间,并且在第二方向上与第二衬底间隔开,第二方向平行于第二衬底的上表面。
  • 半导体器件包括数据存储系统
  • [发明专利]半导体装置及包括其的电子系统-CN202111219025.7在审
  • 权烔辉;黄昌善;闵忠基 - 三星电子株式会社
  • 2021-10-20 - 2022-08-16 - H01L27/11524
  • 提供了半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括在基底上的具有单元阵列区域、单元接触区域和虚设区域的上级层。上级层包括:半导体层;单元阵列结构,包括在单元阵列区域的半导体层上顺序堆叠的第一堆叠结构和第二堆叠结构,第一堆叠结构和第二堆叠结构包括堆叠的电极;第一阶梯结构,位于单元接触区域的半导体层上,电极从单元阵列结构延伸到第一阶梯结构中,使得单元阵列结构连接到第一阶梯结构;竖直沟道结构,穿透单元阵列结构;虚设结构,位于虚设区域中,虚设结构与第二堆叠结构处于同一水平,虚设结构包括堆叠的第一层;以及单元接触插塞,设置在单元接触区域中,并且连接到第一阶梯结构。
  • 半导体装置包括电子系统
  • [发明专利]用于处理基板的方法和装置-CN202111648008.5在审
  • 安恩锡;闵忠基;李正悦;朴珉贞 - 细美事有限公司
  • 2016-03-31 - 2022-05-13 - G03F7/16
  • 公开了用于向基板上供应液体的方法和装置。该方法用于处理基板,且包括:液体供应步骤,其在基板旋转的同时供应用于在基板上形成液体膜的处理液体;以及液体扩散步骤,其在液体供应步骤之后,通过使基板旋转来使被排出到基板上的处理液体扩散。所述液体扩散步骤包括:主扩散步骤,其使基板以第一扩散速度旋转;以及二次扩散步骤,其在主扩散步骤之后,使基板以第二扩散速度旋转。第二扩散速度高于第一扩散速度。因此,能够通过执行二次扩散步骤再次向基板涂覆处理液体,使得可以调整感光膜的厚度。
  • 用于处理方法装置
  • [发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN202011308644.9在审
  • 张起硕;黄昌善;闵忠基;徐基银;林钟欣 - 三星电子株式会社
  • 2020-11-20 - 2021-05-25 - H01L27/11582
  • 本发明涉及三维半导体存储器件及其制造方法。该三维半导体存储器件可以被提供,其包括:在第一基板上的外围电路结构,该外围电路结构包括外围电路;在外围电路结构上的第二基板;在第二基板上的电极结构,该电极结构包括堆叠在第二基板上的多个电极;以及穿透电极结构和第二基板的穿透互连结构。该穿透互连结构可以包括下绝缘图案、在下绝缘图案上的模制图案结构、在下绝缘图案与模制图案结构之间的保护图案、以及穿透插塞。该穿透插塞可以穿透模制图案结构和下绝缘图案,并且可以连接到外围电路结构。该保护图案可以处于比电极中的最下面一个的水平低的水平处。
  • 三维半导体存储器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202011183633.2在审
  • 石韩松;闵忠基;黄昌善;金奇奂;林钟欣 - 三星电子株式会社
  • 2020-10-29 - 2021-05-11 - H01L27/11582
  • 提供了半导体装置及其形成方法。该方法可包括形成层叠结构,该层叠结构可包括层叠区域和阶梯区域并且可包括交替地层叠的第一层和第二层。第二层可在阶梯区域中具有阶梯形状,并且阶梯区域可包括至少一个平坦区域和至少一个倾斜阶梯区域。该方法还可包括形成覆盖层叠结构的封盖绝缘层。该封盖绝缘层可包括具有第一上表面的第一封盖区域以及具有在比第一上表面低的水平处的第二上表面的第二封盖区域。该方法还可包括将封盖绝缘层图案化以形成多个突起,然后将封盖绝缘层平坦化,多个突起中的至少一个与阶梯区域交叠。
  • 半导体装置及其形成方法
  • [发明专利]用于处理基板的装置和方法-CN201710495929.X有效
  • 郑煐宪;闵忠基;曺守铉 - 细美事有限公司
  • 2017-06-26 - 2020-12-22 - H01L21/67
  • 提供了一种基板处理装置。该基板处理装置,包括:支撑单元,设置为支撑基板并旋转所述基板;处理液喷嘴,用于将处理液供应到由所述支撑单元支撑的所述基板;预湿液喷嘴,用于将预湿液供应到由所述支撑单元支撑的所述基板;和控制器,用于控制处理液喷嘴和预湿液喷嘴,其中,所述控制器控制所述处理液喷嘴和所述预湿液喷嘴,以进行用于将所述预湿液供应供到所述基板的预湿步骤,然后进行处理液供应步骤,所述处理液供应步骤用于将所述处理液供应到所述基板,并在所述处理液供应到所述基板的过程中,将预湿液供应到所述基板。
  • 用于处理装置方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201910869142.4在审
  • 黃昌善;石韩松;姜炫求;权炳昊;闵忠基 - 三星电子株式会社
  • 2019-09-16 - 2020-03-27 - H01L27/1157
  • 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域,上绝缘层位于堆叠结构上,覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层位于第一上端部分和第二上端部分之间。第一上端部分相对于基底延伸第一高度,第一高度不同于第二上端部分的相对于基底的第二高度。
  • 半导体装置

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