[发明专利]填充方法及填充装置在审
| 申请号： | 201680006561.X | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN107210221A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 松元俊二 | 申请（专利权）人： | 住友精密工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/683;H01L21/768;H01L23/14;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 黄纶伟,韩香花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的填充方法具备减压工序，对处理室(11)内进行减压；接触工序，使填充材料(3)与晶片(1)的表面接触；填充工序，通过对填充材料的与晶片相反侧的面(3a)的整面进行加压，而将填充材料差压填充至晶片的微细空间(2)；以及煅烧工序，遍及晶片整体而煅烧填充材料。 | ||
| 搜索关键词： | 填充 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种填充方法，将填充材料填充至设置于晶片的微细空间，该填充方法具备：减压工序，对载置有所述晶片的处理室内进行减压；接触工序，在经减压的所述处理室内，使所述填充材料与所述晶片的表面接触；填充工序，通过对所述填充材料的与所述晶片相反侧的面的整面进行加压，而将所述填充材料差压填充至所述晶片的所述微细空间；以及煅烧工序，遍及所述晶片的整体而煅烧所述填充材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
