[发明专利]高电子移动率晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201910565684.2 | 申请日： | 2019-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN110660850A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 杜尚儒;刘家呈;张宗正;杨亚谕;沈豫俊;綦振瀛 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子移动率晶体管及其制造方法，其中该高电子移动率晶体管包含一基板；一通道层，形成于基板上；一阻障层，形成于通道层上，其中一二维电子气形成在通道层的邻近阻障层的一侧；一源极电极及一漏极电极，形成于阻障层上；一耗尽层，形成于阻障层上，且位于源极电极与漏极电极之间，耗尽层的材料包含氮化硼或氧化锌；以及一栅极电极，形成于耗尽层上。 | ||
| 搜索关键词： | 阻障层 耗尽层 通道层 电子移动率 漏极电极 源极电极 晶体管 基板 维电子气 栅极电极 氮化硼 氧化锌 邻近 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高电子移动率晶体管，其特征在于，包括：/n基板；/n通道层，形成于该基板上；/n阻障层，形成于该通道层上，使得一二维电子气形成在该通道层的邻近该阻障层的一侧；/n源极电极及漏极电极，形成于该阻障层上；/n耗尽层，形成于该阻障层上且位于该源极电极与该漏极电极之间，其中该耗尽层的材料包括氮化硼或氧化锌；以及/n栅极电极，形成于该耗尽层上。/n
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- 本发明提供一种新型MIS‑HEMT器件结构，包括衬底，衬底的表面形成有1～2μm厚的缓冲层，缓冲层的表面形成有30～35nm厚的势垒层，势垒层的表面形成有图形化的源电极和漏电极，源电极和漏电极之间由沟道势垒层直接氧化生成有金属氧化物绝缘层，金属氧化物绝缘层与源漏电极下的势垒层表面平齐，并在金属氧化物绝缘层的表面形成有栅电极。本发明还提供一种前述新型MIS‑HEMT器件结构制备方法。本申请在适当增加现有HEMT半导体器件中势垒层厚度基础上直接制备高质量金属氧化物绝缘层作为高K栅绝缘层，由此能够降低器件漏电流，提升器件性能稳定性，降低器件关键特性的恶化可能，制备方法在兼容现有HEMT器件制备流程前提下，只需增加一步氧化工艺即可成功实现器件制备。
- 半导体器件及其制造方法-201610008536.7
- 游政昇;林信志;黄坤铭;陈列全;褚伯韬;王升平;郭建利 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2016-01-07 - 2019-12-10 - H01L29/778
- 一种半导体器件包括位于衬底上的第一III‑V族化合物层、位于第一III‑V族化合物层上的第二III‑V族化合物层、设置在第二III‑V族化合物层上的栅极金属堆叠件、设置在栅极金属堆叠件的相对两侧处的源极接触件和漏极接触件、设置在栅极金属堆叠件和漏极接触件之间的栅极场板、形成在源极接触件和漏极接触件上的抗反射涂层(ARC)层以及形成在ARC层上的蚀刻停止层，其中，第一III‑V族化合物层的材料与第二III‑V族化合物层的材料不同。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
- 一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件-201920379975.8
- 李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 - 华南理工大学
- 2019-03-22 - 2019-12-10 - H01L29/778
- 本实用新型公开了一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，所述HEMT功率器件主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构，包括由外延缓冲层，GaN沟道层，Al
- 专利分类
