[发明专利]具有再分布线结构的扇出型半导体封装件在审
| 申请号： | 201910450006.1 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110783305A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 金钟润;李锡贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 11330 北京市立方律师事务所 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种包括再分布线结构的扇出型半导体封装件。扇出型半导体封装件包括：再分布线结构，所述再分布线结构包括多个再分布线绝缘层和多个再分布线图案，每一个所述再分布线图案位于所述多个再分布线绝缘层中的一个再分布线绝缘层的上表面和下表面之一上；至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片布置在所述再分布线结构上并且所占据的覆盖区域的水平宽度小于所述再分布线结构的水平宽度；以及模制构件，所述模制构件在所述再分布线结构上包围所述至少一个半导体芯片并且所述模制构件的水平宽度小于所述再分布线结构的水平宽度，其中，所述多个再分布线绝缘层具有阶梯结构。 | ||
| 搜索关键词： | 再分布 线结构 绝缘层 半导体芯片 模制构件 半导体封装件 布线图案 扇出型 覆盖区域 阶梯结构 上表面 下表面 包围 占据 | ||
【主权项】：
1.一种扇出型半导体封装件，包括：/n再分布线结构，所述再分布线结构包括多个再分布线绝缘层和多个再分布线图案，每一个所述再分布线图案位于所述多个再分布线绝缘层中的一个再分布线绝缘层的上表面和下表面之一上；/n至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片位于所述再分布线结构上并且所占据的覆盖区域的水平宽度小于所述再分布线结构的水平宽度；以及/n模制构件，所述模制构件在所述再分布线结构上包围所述至少一个半导体芯片并且所述模制构件的水平宽度大于所述再分布线结构的水平宽度，/n其中，所述多个再分布线绝缘层具有阶梯结构。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910450006.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：解决5G GaN芯片焊接高可靠性要求的封装焊接结构
- 下一篇：基板连接构造体
- 同类专利
- 半导体封装件-201910695471.1
- 吴周贤;金宣澈;金贤基 - 三星电子株式会社
- 2019-07-30 - 2020-02-14 - H01L23/498
- 一种半导体封装件，包括：第一基板，设置在第一基板上的第二基板，设置在第一基板和第二基板之间的半导体芯片，在第一基板和第二基板之间延伸并与半导体芯片间隔开的焊料结构，以及设置在半导体芯片和第二基板之间的凸块。焊料结构将第一基板和第二基板电连接。
- 具有再分布线结构的扇出型半导体封装件-201910450006.1
- 金钟润;李锡贤 - 三星电子株式会社
- 2019-05-28 - 2020-02-11 - H01L23/498
- 提供了一种包括再分布线结构的扇出型半导体封装件。扇出型半导体封装件包括：再分布线结构，所述再分布线结构包括多个再分布线绝缘层和多个再分布线图案，每一个所述再分布线图案位于所述多个再分布线绝缘层中的一个再分布线绝缘层的上表面和下表面之一上；至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片布置在所述再分布线结构上并且所占据的覆盖区域的水平宽度小于所述再分布线结构的水平宽度；以及模制构件，所述模制构件在所述再分布线结构上包围所述至少一个半导体芯片并且所述模制构件的水平宽度小于所述再分布线结构的水平宽度，其中，所述多个再分布线绝缘层具有阶梯结构。
- 基板连接构造体-201910649266.1
- 间濑知行 - 株式会社丰田自动织机
- 2019-07-18 - 2020-02-11 - H01L23/498
- 本发明的基板连接构造体具备：基板，所述基板具有板状的基材、第一布线层以及第二布线层，并且通孔贯通基材，其中，该基材具有第一面和与该第一面相反一侧的第二面，该第一布线层相对于第一面设置，该第二布线层相对于第二面设置；连接金属体，其具有与第二布线层连接的连接部和插入至通孔内的凸部；以及安装部件，其安装于基板，连接金属体仅在凸部的顶端面处与安装部件连接。
- 一种低电感高均流的IGBT模块-201921017010.0
- 袁磊;李子夜;贾健豪 - 合肥中恒微半导体有限公司
- 2019-07-02 - 2020-02-11 - H01L23/498
- 本实用新型公开了一种低电感高均流的IGBT模块，包括散热铜板、设置于散热铜板上的陶瓷覆铜板、贴装于陶瓷覆铜板上的偶数组IGBT芯片和二极管，陶瓷覆铜板由对称分布的第一陶瓷覆铜板和第二陶瓷覆铜板构成；第一、第二陶瓷覆铜板上分隔有多块相互独立的铜层，每组IGBT芯片和二极管分布于同一块铜层上，且每组IGBT芯片和二极管之间均通过与之邻近的铜层间接键合。陶瓷覆铜板分开对称设计可以降低功率半导体模块的电感，提高功率半导体模块在实际应用中芯片的均流性；IGBT芯片与二极管的间接键合结构以陶瓷覆铜板作为载流介质，降低了键合线之间的互感，从而降低了功率半导体模块的电阻和电感，提高了功率半导体模块的使用寿命。
- 一种新型DBC板-201920718185.8
- 王学华 - 北京易威芯能科技有限公司
- 2019-05-20 - 2020-02-07 - H01L23/498
- 本实用新型提供了一种新型DBC板；所述DBC板包括表层电路、电气隔离层、表层铜层模块、中间树脂材料导热绝缘层和底层铜层；所述表层电路位于表层铜层模块的上表面，由表层铜经激光蚀刻形成；所述电气隔离层位于表层铜层模块之间，用于电气隔离；所述表层铜层模块固接于中间树脂材料导热绝缘层的上表面；所述中间树脂材料导热绝缘层固接于底层铜层的上表面；本实用新型的DBC板结构采用包含厚Cu层，超薄绝缘材料层的结构设计，能够大幅提高功率模块的散热效率，提高功率模块的热容能力，降低功率器件封装体积。
- 柔性功率芯片-201810814523.8
- 杨正春;张洪浩;臧传来;潘鹏;黄胜明;魏军;李华一;李琨 - 天津理工大学
- 2018-07-23 - 2020-02-04 - H01L23/498
- 本发明公开柔性功率芯片，包括一种柔性基底材料，两种不同的导电衬底，一种功率芯片版图，若干芯片引脚，柔性基底材料选择PET薄膜，在PET薄膜上采用印刷电子技术印刷上银浆衬底，银衬底起到集流体的作用。在银衬底上指定部分印刷碳浆衬底，最后将所需要的功率芯片制作成版图印刷到碳衬底上，制作完成的柔性功率芯片可以为单个或多个串联，其芯片外观与功能可根据不同的用户要求来进行设计，形式和功能都可多样化。本发明提供一种工艺技术简单环保，成本较低而且可以弯曲的柔性功率芯片。
- 半导体装置-201822108437.3
- 斋藤伸治;小野美隆 - 东芝存储器株式会社
- 2018-12-14 - 2020-02-04 - H01L23/498
- 本实用新型的实施方式提供一种可靠性较高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：衬底(1)，配置着配线(2)；半导体元件(5)，配置在衬底(1)上；第1阻焊剂(3)，配置在配线(2)上，具有开口区域(A)，且配线(2)的一部分面朝开口区域(A)；接合线(6)，在开口区域(A)，将配线(2)与半导体元件(5)连接；以及第2阻焊剂(4)，覆盖面朝开口区域(A)的配线(2)。
- 氮化铝陶瓷板结构-201920993495.0
- 于正国;罗玉杰 - 赛创电气(铜陵)有限公司
- 2019-06-28 - 2020-02-04 - H01L23/498
- 本实用新型公开了氮化铝陶瓷板结构，包括基板本体，所述基板本体的顶部热熔连接有第一透光层，所述第一透光层的顶部粘黏有第一粘结层，所述第一粘结层的顶部固定连接有导电层，所述导电层的顶部粘黏有第二粘结层，所述第二粘结层的顶部热熔连接有第二透光层，所述第二透光层的顶部热熔连接有陶瓷板，所述陶瓷板的表面涂覆有防污层。本实用新型通过设置第一透光层与第二透光层，能够对基板本体与陶瓷板的透光率起到增益的功效，解决了现有的氮化铝陶瓷基板透光性能较差、导致封装芯片在使用过程中显指显示度降低且高耗能，无法满足高显指产品的生产需求，不便于大规模推广的问题，该氮化铝陶瓷板结构，具备透光性能好等优点。
- 集成电路器件及其制造方法-201910633897.4
- 朴秀晶;林东灿;文光辰;徐柱斌;崔朱逸;藤崎纯史 - 三星电子株式会社
- 2019-07-15 - 2020-01-31 - H01L23/498
- 提供了一种集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括：衬底；位于所述衬底上的接合焊盘；以及穿过所述衬底并连接到所述接合焊盘的贯穿通路结构。所述贯穿通路结构包括导电插塞、覆盖所述导电插塞的侧壁和下表面的第一导电阻挡层、以及覆盖所述第一导电阻挡层的侧壁的第二导电阻挡层。
- 一种3D封装结构及其制作方法-201910830776.9
- 李恒甫;曹立强 - 上海先方半导体有限公司
- 2019-09-02 - 2020-01-31 - H01L23/498
- 本发明公开了一种3D封装结构及其制作方法，该3D封装结构包括：电互连结构，包括自下而上依次层叠设置且电连接的第一再分布层、多个导电通孔、第二再分布层以及多个第一电接触垫及第二电接触垫；绝缘隔离层，位于电互连结构上，绝缘隔离层中设置多个保形导电结构，至少一部分保形导电结构位于绝缘隔离层的上表面上，至少另一部分保形导电结构与第一电接触垫电连接；第一芯片，设置在绝缘隔离层中，与第二电接触垫电连接；绝缘塑封层，位于绝缘隔离层上，绝缘塑封层中设置多个第三电接触垫，多个第三电接触垫与位于绝缘隔离层的上表面上的保形导电结构电连接；第二芯片，设置在绝缘塑封层中，与第三电接触垫电连接。
- 一种陶瓷封装基座及其可伐环-201821888014.1
- 刘永良;刘奇;张东阳;肖凯;关小静;孙小堆 - 郑州登电银河科技有限公司
- 2018-11-16 - 2020-01-31 - H01L23/498
- 本实用新型提出了一种陶瓷封装基座及其可伐环，包括下片、可伐环，以及设于下片与可伐环之间的上片，所述可伐环为环状，所述可伐环在中心轴线垂直方向的投影形状为梯形，所述可伐环为矩形环状，所述可伐环的厚度为0.05mm‑0.15mm，所述可伐环尺寸范围以适应不同型号陶瓷基座,以此解决陶瓷封装基座材料节能降耗的技术问题。
- IGBT集成模块的连接结构-201822263888.4
- 周丽娟;周仲修 - 长沙锦诺新能源科技有限公司
- 2018-12-31 - 2020-01-31 - H01L23/498
- 本实用新型涉及一种IGBT集成模块的连接结构，包括：母排、弹性导电连接件、IGBT芯片、框体，其特征在于：所述母排通过所述弹性导电连接件与所述IGBT芯片电气连接，所述框体固定所述母排和所述芯片；本实用新型所提供的IGBT集成模块电气性能稳定、散热稳定、抗振动、产品寿命长、环境适应性好，该IGBT集成模块生产工艺简单，大批量生产可采用机器智能化生产。
- 芯片封装结构-201921141727.6
- 周辉星 - PEP创新私人有限公司
- 2019-07-19 - 2020-01-31 - H01L23/498
- 本公开提供了一种芯片封装结构，包括：至少一个裸片，具有裸片活性面和裸片背面，裸片活性面包括电连接点和绝缘层；具有材料特性的保护层，形成于裸片活性面，且保护层内形成有导电填充通孔，至少一部分导电填充通孔和至少一部分电连接点电连接；具有材料特性的塑封层，塑封层用于包封裸片；导电层，至少部分形成于保护层表面，至少一部分导电层和至少一部分导电填充通孔电连接；介电层，形成于导电层上；芯片封装结构具有一系列的材料和结构特性，从而减小封装过程中的翘曲，降低裸片精准度需求，减小面板封装工艺的难度，并且使封装后的芯片结构具有耐久的使用周期，尤其适用于大型面板级封装以及大电通量、薄型芯片的封装。
- 芯片封装结构-201921141738.4
- 周辉星 - PEP创新私人有限公司
- 2019-07-19 - 2020-01-31 - H01L23/498
- 本公开提供了一种芯片封装结构，包括：至少一个裸片，所述裸片包括裸片活性面和裸片背面；导电结构，包括晶片导电层和面板级导电层；保护层；塑封层，所述塑封层用于包封所述裸片；介电层。所述封装结构具有一系列的结构和材料特性，从而减小封装过程中的翘曲，降低裸片对位精确度需求，减小封装工艺的难度，并且使封装后的芯片具有耐久的使用周期，尤其适用于大型面板级封装及对大电通量、薄型芯片的封装。
- 封装天线模组-201921157991.9
- 吴政达;于睿;林正忠;张湘辉 - 中芯长电半导体(江阴)有限公司;华为终端有限公司
- 2019-07-22 - 2020-01-31 - H01L23/498
- 本实用新型提供一种封装天线模组，封装天线模组包括重新布线层、天线结构、半导体芯片、第三封装层及封装天线连接器，其中，天线结构包括连接器窗口及至少堆叠设置于重新布线层的第二面上的第一天线结构及第二天线结构，封装天线连接器位于连接器窗口中并与重新布线层电连接。本实用新型通过位于连接器窗口中的封装天线连接器进行电性引出，可减少讯号损耗，且无需制备与重新布线层电连接的金属凸块，无需采用倒装工艺进行电连接，因而可提高封装天线模组位置布局的灵活性，进一步的提高WLP AiP的整体竞争优势。
- 半导体结构及其形成方法-201810786440.2
- 李兵;章国伟 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 2018-07-17 - 2020-01-24 - H01L23/498
- 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。形成金属层之后，在金属层上形成金属氧化层，以使后续形成的有机材料层形成在金属氧化层上，由于有机材料层中的碳和氢能够与金属氧化层中的氧形成化学键，从而可有效提高有机材料层和金属氧化层之间的结合力，即相当于提高了有机材料层在金属层上的附着性能，进而可改善有机材料层发生脱落的问题。
- 芯片封装方法及封装结构-201910656802.0
- 周辉星 - PEP创新私人有限公司
- 2019-07-19 - 2020-01-24 - H01L23/498
- 本公开提供了一种芯片封装方法和封装结构，一种芯片封装方法，包括：在裸片活性面上形成具有材料特性的保护层；将所述裸片活性面上形成保护层的裸片贴装于载板上，裸片活性面朝向所述载板，裸片背面朝离所述载板；形成用于包封所述裸片的具有材料特性的塑封层；剥离所述载板露出所述保护层；形成导电层和介电层；该封装方法可以减小或消除面板封装过程中的翘曲，降低面板上的裸片精准度需求，减小面板封装工艺的难度，并且使封装后的芯片结构具有耐久的使用周期，尤其适用于大型面板级封装以及大电通量、薄型芯片的封装。
- 芯片封装方法及封装结构-201910656851.4
- 周辉星 - PEP创新私人有限公司
- 2019-07-19 - 2020-01-24 - H01L23/498
- 本公开提供了一种芯片封装方法和封装结构，一种芯片封装方法，包括：在晶片的晶片活性面形成晶片导电层；在所述晶片导电层上形成具有材料特性的保护层；将所述晶片切割形成裸片并贴装于载板；形成包封裸片的具有材料特性的塑封层；剥离载板；形成面板级导电层和介电层；该封装方法可以减小或消除面板封装过程中的翘曲，降低面板上的裸片精准度需求，减小面板封装工艺的难度，并且使封装后的芯片结构具有耐久的使用周期，尤其适用于大型面板级封装及对大电通量、薄型芯片的封装。
- 芯片封装方法及封装结构-201910657495.8
- 周辉星 - PEP创新私人有限公司
- 2019-07-19 - 2020-01-24 - H01L23/498
- 本公开提供了一种芯片封装方法和封装结构，一种芯片封装方法，包括：在晶片的晶片活性面上形成晶片导电层；在晶片导电层上形成具有材料特性的保护层，所述保护层将晶片导电层包覆，并将所述晶片导电层的表面露出；将形成有晶片导电层和保护层的晶片切割形成裸片；将所述裸片贴装于载板上；在所述载板上的所述裸片背面形成具有材料特性的塑封层；剥离所述载板；形成和所述晶片导电层电连接的面板级导电层；形成介电层。所述封装结构具有一系列的结构和材料特性，从而减小封装过程中的翘曲，降低裸片对位精确度需求，减小封装工艺的难度，并且使封装后的芯片具有耐久的使用周期，尤其适用于大型面板级封装及对大电通量、薄型芯片的封装。
- 智能卡模块及其封装工艺-201911093836.X
- 冯学裕 - 澄天伟业(宁波)芯片技术有限公司
- 2019-11-11 - 2020-01-24 - H01L23/498
- 本发明公开一种智能卡模块及其封装工艺，其中，本发明的智能卡模块通过采用基材层，第一金属层敷设于基材层的表面，第二金属层胶接于第一金属层背离基材层一侧的表面，第二金属层通过金属化孔电性连接于第一金属层，第二金属层背离第一金属层一侧的表面凸设形成两相对设置的连接凸起，两连接凸起于第二金属层的表面延伸设置，并形成固晶区域，芯片设于固晶区域。本发明的第一金属层和第二金属层通过金属化孔电连接，如此可省略打金线的工艺，从而较大程度的节省了生产时间和生产成本，同时芯片通过固晶工艺固定于两连接凸起，实现芯片和第二金属层的电性连接，相较于金线连接，本申请的电性连接更为稳定，因此可以提高智能卡模块性能的稳定性。
- 基于陶瓷衬底的三维集成封装转接板-201921216567.7
- 刘瑞 - 苏州甫一电子科技有限公司
- 2019-07-31 - 2020-01-24 - H01L23/498
- 本实用新型公开了一种基于陶瓷衬底的三维集成封装转接板。所述三基于陶瓷衬底的三维集成封装转接板包括陶瓷衬底，陶瓷衬底内分布有多个通孔，通孔沿厚度方向贯穿所述陶瓷衬底，通孔内填充有导电材料而形成导电通道，导电通道的两端分别与分布在所述陶瓷衬底第一表面、第二表面的导电线路和/或功能模块、焊球电连接，所述第一表面与第二表面背对设置。本实用新型所提供的陶瓷基三维封装基板的绝缘性能好、热学性能匹配好，在高温下工作仍能保持非常良好的结构；本实用新型还可以在根据实际需求进行陶瓷的调制，更好的满足热学膨胀系数方面的匹配。
- 半导体封装件-201910585222.7
- 金知晃;金吉洙;沈钟辅;李章雨;郑银姬 - 三星电子株式会社
- 2019-07-01 - 2020-01-21 - H01L23/498
- 一种半导体封装件包括：基板；安装在基板上的半导体芯片；位于半导体芯片上且包括再分布图案的中介层芯片；位于中介层芯片上的第一焊盘；位于中介层芯片上并且与第一焊盘间隔开的第二焊盘；以及电连接到第二焊盘和基板的接合线。第二焊盘通过再分布图案电连接到第一焊盘。中介层芯片的占用面积大于第一半导体芯片的占用面积。
- 半导体装置以及半导体装置的制造方法-201910626207.2
- 胁坂伸治;河野一郎;冈田修;福岛正人 - 青井电子株式会社
- 2019-07-11 - 2020-01-21 - H01L23/498
- 在层叠多个半导体芯片来构成的半导体装置中，在半导体芯片的散热不足的情况下，动作因热量而不稳定。半导体装置(80)具备：布线层(22)；主面经由第一连接部(28)而与布线层(22)连接的第一半导体芯片(25)；在俯视时配置于第一半导体芯片(25)的外侧并沿与布线层(22)垂直的方向延伸的多个导电接线柱(24)；连接于第一半导体芯片(25)的与主面相反一侧的背面和多个导电接线柱中的至少一个(24G)的导热部件(30)；与第一半导体芯片的背面以外的面、布线层及导电接线柱的侧面相接的密封树脂(29)；以及经由第二连接部(71)而与导电接线柱的与布线层相反的一侧的端部连接的第二半导体芯片(125)。
- 集成阵列发射/接收模块-201610210643.8
- D.乔扈里;M.鲁伯托 - 英特尔公司
- 2009-12-26 - 2020-01-21 - H01L23/498
- 本发明名称为集成阵列发射/接收模块。本发明公开了采用多层基底技术的毫米波阵列类型构架的集成方案。例如，装置可以包括第一基底层，第二基底层和第三基底层。第一基底层有第一多个阵列元件，第二基底层有第二多个阵列元件。第三基底层有用以与第一和第二多个阵列元件交换一个或多个射频（RF）信号的集成电路。第一和第二基底层被分隔大约半个波长（λ/2），所述波长对应于所述一个或多个RF信号。
- 封装基板及其制法-201610347780.6
- 胡竹青;许诗滨;许哲玮;刘晋铭;杨智贵 - 凤凰先驱股份有限公司
- 2016-05-23 - 2020-01-21 - H01L23/498
- 本发明提供一种封装基板及其制法，封装基板包括一绝缘层、多个嵌设于该绝缘层上且包含有柱体与电性连接垫的导电凸块、以及嵌埋于该绝缘层中并电性连接多个所述导电凸块的多个导电柱，各该柱体外露该绝缘层，且多个所述电性连接垫嵌埋于该绝缘层中，其中，该柱体的宽度小于该电性连接垫的宽度，以通过将多个所述导电凸块形成于该封装基板上而有利于后续与半导体芯片的结合。
- 具有适形目标焊盘的可变形电气触点-201880037900.X
- B·哈巴;G·Z·格瓦拉 - 伊文萨思公司
- 2018-05-22 - 2020-01-21 - H01L23/498
- 本发明提供了用于微电子组装和其他应用的具有适形目标焊盘的可变形电气触点。例如，在管芯级或晶片级的微电子组装期间，第一基板上的多个可变形电气触点可以被接合到第二基板上的多个适形焊盘。每个可变形触点变形至某个程度，该程度与第一基板和第二基板之间的接合压力的量相关。变形工艺还利用可变形电气触点擦拭每个相应的适形焊盘以形成新的金属与金属接触以便进行良好的传导。每个适形的焊盘在被可压缩材料加压时塌缩，以呈现电气触点的近似变形的形状，从而提供大导电表面积，同时还补偿水平不对准。可以升高温度以熔化电介质，该电介质封装电气连接、平衡两个基板之间的间隙和变化，并且将两个基板永久性地固定在一起。
- 一种IGBT H桥模块-201921057410.4
- 赵岩;邱玉石;杨胜国 - 阜新飞宇电子科技有限公司
- 2019-07-09 - 2020-01-17 - H01L23/498
- 一种IGBT H桥模块，覆铜绝缘铝基板上焊接四个IGBT管，四个IGBT管通过桥式转换板连接，桥式转换板两侧连接功能端子，覆铜绝缘铝基板封装于塑壳内。本实用新型的IGBT H桥模块，通过采用设置有喷锡窗口的铝基板和设置有定位孔的桥式转换板减轻了模块整体重量，增加了散热面积，扩大了散热空间，从而在电性能参数不变的前提下，解决了背景技术中存在的缺陷，实现批产工艺简单化。
- 半导体装置-201910603873.4
- 李周益;金东完;申硕浩;韩正勳;朴商五 - 三星电子株式会社
- 2019-07-05 - 2020-01-14 - H01L23/498
- 提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括半导体基底和位于半导体基底上的连接基体柱。绝缘层可以位于半导体基底上，绝缘层可以包括位于绝缘层中的开口，连接基体柱穿过开口延伸，其中，绝缘层的限定开口的侧壁包括位于比连接基体柱的最上部分低的水平处的水平台阶。
- 半导体封装件中的再分布层及其形成方法-201710534227.8
- 谢正贤;许立翰;吴伟诚;陈宪伟;叶德强;吴集锡;余振华 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2017-07-03 - 2020-01-14 - H01L23/498
- 实施例封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂以及将第一导电通孔电连接到第二导电通孔的导线。该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有沿第一方向延伸的第一长度方向尺寸的第一段，以及具有沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸的第二段。第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的边界上方延伸。本发明的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。
- 一种提高电解镀均一性的陶瓷封装基板组合板-201910302750.7
- 李钢;邱基华;陈烁烁 - 潮州三环(集团)股份有限公司
- 2019-04-12 - 2020-01-14 - H01L23/498
- 本发明公开了一种提高电解镀均一性的陶瓷封装基板组合板，其包括若干纵横并列排布的陶瓷基板所形成的陶瓷基板组合板、以及围设于所述陶瓷基板组合板的外边缘的环形回路带；所述陶瓷基板上具有基层金属；所述环形回路带至少包括内环形回路带和围设于所述内环形回路带外侧的外环形回路带，且两者之间连接有支路连接带，所述外环形回路带的外侧电连接有导镀孔，所述内环形回路带与所述陶瓷基板上的基层金属电连接。本发明的陶瓷封装基板组合板能提高镀层的均一性，降低镀层成本，而且还可提高基板封装的可靠性。
- 专利分类
