[发明专利]体声波谐振器、其制作方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201910329139.3 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110868186B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H3/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；所述下电极层或所述上电极层的内部设有凹槽，所述凹槽内部填充有与对应电极层的电极材料不同的填充材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，在所述下电极层或所述上电极层的内部设置凹槽，凹槽内部填充与对应电极层的电极材料不同的填充材料，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 声波 谐振器 制作方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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