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[发明专利]一种接合基板、弹性波装置及模组-CN202310783360.2在审
发明人：枋明辉;刘志煌;刘艺霖;黄世维;杨胜裕 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种接合基板、弹性波装置及模组。该接合基板，包括：支撑基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；所述支撑基板靠近第一表面的近表面层为吸波层；所述吸波层为多孔结构，所述多孔结构的孔径直径在1nm以下。采用本发明提供的接合基板，能够使得弹性波的纵向泄露能量在吸波层中传递消耗殆尽，让杂散讯号无法再反射回器件表面，从而有效的吸收弹性波器件的纵向泄露的能量，减少体波反射，解决弹性波器件杂散讯号。
一种接合弹性装置模组

[发明专利]一种接合基板、弹性波装置及模组-CN202310783364.0在审
发明人：枋明辉;刘志煌;刘艺霖;黄世维;杨胜裕 -专利权人：泉州市三安集成电路有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种接合基板、弹性波装置及模组。该接合基板包括：支撑基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；所述支撑基板靠近第一表面的近表面层中具有低声速层；所述低声速层为多孔结构，所述多孔结构的孔径直径在5nm以上且200nm以下。采用本发明提供的接合基板，能够将声表面波能量集中在压电薄膜层表面附近，限制声表面波的能量向衬底泄露，获得更高的品质因数Q，提升SAW特性，降低损耗。
一种接合弹性装置模组

[发明专利]一种压电谐振器及其制备方法-CN202310677828.X在审
发明人：雷永庆;舒赟翌;朱雁青 -专利权人：麦斯塔微电子（深圳）有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种压电谐振器及其制备方法，其中，该压电谐振器包括沿延伸面分布的谐振区域和梁区域，该压电谐振器包括：基底，基底包括对应谐振区域和梁区域的腔体、以及对应谐振区域的通孔，通孔连通腔体和外部空间；压电组件，压电组件设置于对应梁区域的基底上。通过上述方式，简化了压电谐振器的结构，从而降低了压电谐振器的制作成本。
一种压电谐振器及其制备方法

[发明专利]体声波谐振器及其制备方法、滤波器-CN202310710126.7在审
发明人：丁志鹏;刘炎;詹道栋;孙成亮 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请提供一种体声波谐振器及其制备方法、滤波器。该体声波谐振器包括：衬底，所述衬底包括依次层叠设置的第一半导体层、绝缘层及第二半导体层；所述第二半导体层的表面刻蚀形成凹槽，所述凹槽贯穿所述第二半导体层；所述凹槽内形成有保护件，所述凹槽的竖向截面具有平滑轮廓以消除在所述保护件形成过程中出现的空洞缺陷。该体声波谐振器可以形成高质量的种子层、底电极、压电层以及顶电极，有效提高了体声波谐振器的器件性能。
声波谐振器及其制备方法滤波器

[发明专利]单晶压电薄膜体声波谐振器、滤波器以及电子设备-CN202310810799.X在审
发明人：杨清瑞;宋学毅;庞慰 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件领域且提供一种单晶压电薄膜体声波谐振器、滤波器以及电子设备，该谐振器包括在第一方向上依次层叠的衬底、声反射层和单晶压电薄膜，该谐振器还包括：位于所述单晶压电薄膜的靠所述声反射层一侧的下叉指电极，所述下叉指电极包括第一叉指电极和第二叉指电极，所述第一叉指电极包括沿第二方向排列的第一指，所述第二叉指电极包括沿所述第二方向排列的第二指，所述第一指与所述第二指在所述第二方向上交替排列；以及位于所述单晶压电薄膜的靠所述声反射层一侧的第一匹配层，所述第一匹配层至少位于相邻的第一指和第二指之间。由此，通过在第一指与第二指之间设置匹配层，从而能够在确保谐振器的电极化率的同时，抑制寄生模式。
压电薄膜声波谐振器滤波器以及电子设备

[发明专利]一种体声波谐振器、体声波谐振器的制备方法和电子设备-CN202210417755.6在审
发明人：焦卓凡 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开提供一种体声波谐振器、体声波谐振器的制备方法和电子设备，属于体声波谐振器技术领域，包括第一衬底、第一电极、压电层、第二电极和温度补偿层；第一衬底上具有第一凹槽；第二电极、压电层和第一电极沿背离第一衬底一侧依次设置；第一凹槽的开槽朝向第二电极，且第一凹槽在压电层上的正投影覆盖第二电极在压电层上的正投影；第一电极和所述第二电极在压电层上的正投影至少部分重叠；温度补偿层设置在第一电极靠近第一衬底的一侧，且温度补偿层和压电层接触；其中，第一电极背离第一衬底的一侧具有至少一个阶梯结构；阶梯结构包括凸起结构和设置在凸起结构靠近第一电极中心区域一侧的第二凹槽；第二凹槽和所述凸起结构均呈环状。
一种声波谐振器制备方法电子设备

[发明专利]声波组件-CN202210412360.7在审
发明人：林立人;戴国瑞;陈歆洁;林健财 -专利权人：瑞峰半导体股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种声波组件，包括：基板，具有上表面及下表面，于上表面的周边上设有多个焊垫；至少一个电子组件，设置在基板的上表面，使得在基板的上表面的周边的多个焊垫环绕电子组件；盖体结构，设置在具有电子组件的基板的上方，且盖体结构与基板形成封闭式空腔使得电子组件设置在封闭式空腔内；第一保护层，覆盖在基板的部分表面及覆盖在多个焊垫的部分表面上；导体层，设置在部分第一保护层、多个焊垫、在盖体结构的外侧表面及盖体结构的部分上表面；以及多个凸块，设置在位于盖体结构的上表面的导体层上。
声波组件

[发明专利]一种多层SAW器件中的杂散模态抑制-CN202180095073.1在审
发明人：安德烈·亚埃尔布斯;李昕熠;秦旭东 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及表面声波(Surface Acoustic Wave，SAW)器件。本发明具体提出了一种具有多层结构的SAW器件，其中，杂散模态在所述SAW器件中受到抑制。所述SAW器件(100)包括(111)硅层(101)和设置在所述硅层上的一组交错层(102)。此外，所述SAW器件包括设置在所述一组交错层上的经旋转的YX切型钽酸锂(lithium tantalate，LT)层(103)以及设置在所述LT层上的两个或两个以上电极。所述电极用于将电信号转换为在所述LT层中传播的SAW。
一种多层 saw 器件中的杂散模态抑制

[发明专利]一种体声波谐振器组件、制备方法以及通信器件-CN202110926424.0有效
发明人：丁焱昆;杨清华;唐兆云;赖志国 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种体声波谐振器组件、制备方法以及通信器件。该体声波谐振器组件包括：基板，基板的表面或者内部设置有至少一个声反射结构；至少一个谐振单元，所述谐振单元位于所述基板的表面，所述谐振单元在垂直于所述基板的厚度方向上的尺寸小于所述谐振单元在平行于所述基板的厚度方向上的尺寸；谐振单元在基板的投影与声反射结构在基板的投影至少部分重合，声反射结构用于防止谐振单元的横波泄漏至基板。本发明实施例提供的技术方案在提升器件牢固性的基础上，减小了体声波谐振器组件以及通信器件在垂直于基板厚度方向的尺寸，并且通过声反射结构防止了谐振单元的横波泄漏至基板。
一种声波谐振器组件制备方法以及通信器件

[发明专利]一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备-CN202110954797.9有效
发明人：王矿伟;杨清华;唐兆云;赖志国;吴明;王家友;钱盈 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种体声波谐振器及其封装方法和电子设备，包括：提供第一衬底，第一衬底的一侧具有谐振结构，谐振结构包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的压电层；在第一衬底的一侧形成第一导电件、第二导电件和第一封装件，第一导电件与第一电极电连接，第二导电件与第二电极电连接；提供封装基板，封装基板的一侧具有第一连接端、第二连接端和第二封装件；将第一衬底与封装基板贴合，并使第一导电件与第一连接端电连接，使第二导电件与第二连接端电连接，使第一封装件与第二封装件固定连接形成环状封装挡墙，从而不需要先采用第二衬底对第一衬底进行封装后，再与封装基板电连接，进而可以简化工艺流程，降低生产周期和成本。
一种声波谐振器及其封装方法电子设备

[发明专利]体声波滤波器-CN201880034665.0有效
发明人：李源祥 -专利权人： RFHIC 公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：提供了一种用于使预设频率范围内的电信号通过的体声波(BAW)滤波器(130)。BAW滤波器(130)包括：金刚石基板(114)；钝化层(111)，其形成在所述金刚石基板(114)上；第一金属层(110)，其形成在所述钝化层(111)上；压电层(104')，其形成在所述第一金属层(110)上；第二金属层(116)，其形成在压电层(104')上；金属焊盘(120)，其形成在所述第一金属层(110)上。所述金属焊盘(120)、所述第一金属层(110)、所述压电层(104')和所述第二金属层(116)形成电路径，该电路径允许预设频率范围内的电信号通过。
声波滤波器

[发明专利]体声波谐振器-CN201910552688.7有效
发明人：韩源;金泰润;孙尚郁;林昶贤 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；膜层，与所述基板形成腔；第一电极，至少部分地设置在所述腔的上部上并且包括比所述第一电极的其他部分厚的端部部分；插入层，包括邻近所述第一电极的所述端部部分设置的第一部分和设置在所述第一电极的上部上的第二部分；压电层，设置为覆盖所述插入层；以及第二电极，设置在所述压电层的上部上。
声波谐振器

[发明专利]具有空腔支撑结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备-CN201910751463.4有效
发明人：张孟伦;庞慰;杨清瑞;张全德;徐利军 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜空腔；底电极；顶电极；压电层，其中：声学镜空腔、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；且所述声学镜空腔内设置有支撑结构，所述支撑结构的下端设置于声学镜空腔的底部，所述支撑结构的上端在所述有效区域的高温区域与所述有效区域的下侧连接或接触，所述高温区域是指以有效区域的质心为圆心、r为半径的区域，所述半径r为高温区域所在有效区域的等效圆的半径的50％，所述等效圆为：以该有效区域的质心为圆心且圆的面积等于有效区域的面积的圆。本发明还涉及滤波器与电子设备。
具有空腔支撑结构声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]声波器件的制作方法及声波器件-CN201911370470.6有效
发明人：廖珮淳 -专利权人：武汉衍熙微器件有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种声波器件的制作方法及声波器件，所述制作方法包括：形成覆盖第一反射结构的第一电极层；形成覆盖所述第一电极层和第二反射结构的保护层；其中，所述第二反射结构和所述第一反射结构在衬底上并列排布，所述第一反射结构位于所述衬底的第一区域，所述第二反射结构位于所述衬底的第二区域；形成覆盖所述保护层的第二电极层；其中，所述第二电极层的厚度与所述第一电极层的厚度不同；去除位于所述第一电极层上方的保护层及第二电极层，直至显露覆盖所述第一电极层。
声波器件制作方法

[发明专利]具有粗糙面的体声波谐振器、滤波器和电子设备-CN201811355038.5有效
发明人：张孟伦;庞慰;刘伯华;杨清瑞 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极，与所述底电极对置；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；所述谐振器邻近所述有效区域的边界且在边界之外设置有空气隙；所述空气隙对应的表面中的至少一个表面为粗糙面，该粗糙面的粗糙度大于该粗糙面所在部件的该粗糙面周围部分表面的粗糙度。本发明还涉及一种具有上述谐振器的滤波器，一种具有该滤波器的电子设备。
具有粗糙声波谐振器滤波器电子设备

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