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[发明专利]一种双重横模抑制的声表面波谐振器结构-CN202311218719.8在审
发明人：李晓辉;纪宣 -专利权人：苏州声芯电子科技有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重横模抑制的声表面波谐振器结构，属于声表面波滤波器技术领域，其包括压电基板和叉指换能器，叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条、第一叉指电极和第二叉指电极；叉指换能器的表面覆盖有钝化层，钝化层上设置有第一横模抑制结构和第二横模抑制结构，第一横模抑制结构与第二横模抑制结构相邻的一侧为第一临近侧面，第二横模抑制结构与第一横模抑制结构的相邻的一侧为第二临近侧面，第一临近侧面和/或第二临近侧面具有导出斜面结构。该声表面波谐振器结构不但能够抑制横向杂波，而且还能将横向杂波的能量向纵向两侧导出，从而实现双重横模抑制的效果。
一种双重抑制表面波谐振器结构

[发明专利]弹性波装置-CN202280019895.6在审
发明人：木村哲也;久保新太郎 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制压电层的厚度的偏差的弹性波装置。弹性波装置(10)具备：支承构件(13)，具有支承基板；压电层(14)，设置在支承构件(13)上；以及激励电极，设置在压电层(14)上。在支承构件(13)设置有空洞部(13c)。在俯视下，激励电极的至少一部分与空洞部(13c)重叠。压电层(14)中的在俯视下与空洞部(13c)重叠的部分为薄膜部(15)。薄膜部(15)具有第1方向(w1)和与第1方向(w1)正交的第2方向(w2)。薄膜部(15)具有位于第1方向(w1)上的中央的中央部(15c)和在第1方向(w1)上夹着中央部(15c)相互对置的第1部分(15a)和第2部分(15b)，并且具有外周缘。薄膜部(15)的第1部分(15a)以及第2部分(15b)中的外周缘的至少一部分位于比中央部(15c)中的外周缘靠第2方向(w2)上的外侧。
弹性装置

[发明专利]具有拓扑输运功能的声表面波器件及其调控方法和应用-CN202310280981.9有效
发明人：蔡海;郑如萍;唐在启 -专利权人：北京深谋科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有拓扑输运功能的声表面波器件及其调控方法和应用，当h1＝h4,h2＝h3时，第一声子晶体结构和第二声子晶体结构存在具有相同大小的表面模式禁带，并且它们的拓扑性质不同。将具有不同拓扑性质的第一声子晶体结构和第二声子晶体结构拼接形成不同的分界面，例如“Z”字形的分界面时，在它们的公共禁带中可以观察到沿着分界面传输的声表面波，这种传输模式具有免疫背向散射的特点，这大大降低了传输时的损耗；本发明的声表面波器件，具有拓扑保护的性质，使得SAW在不同拓扑性质的第一声子晶体结构和第二声子晶体结构拼接形成不同的分界面传输时可以免疫缺陷和大角度转角引起的损耗，且相应拓扑通道中的传输模式可以免疫背向散射，增加传输效率。
具有拓扑输运功能表面波器件及其调控方法应用

[发明专利]体声波谐振器、滤波器和电子设备-CN201910882208.3有效
发明人：杨清瑞;庞慰;张孟伦 -专利权人：天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；压电层，声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域；与顶电极同层布置的附加结构，所述附加结构与顶电极在径向方向上具有将两者间隔开的间隙；和沿所述有效区域的边缘布置的插入层，所述插入层包括在谐振器的厚度方向上设置于所述附加结构的下方的第一插入部，且在所述谐振器的俯视图中，所述第一插入部与所述附加结构重叠，所述第一插入部由空气或介质材料形成。本发明还涉及滤波器与电子设备。
声波谐振器滤波器电子设备

[发明专利]声表面波滤波器以及多工器-CN201780068594.1有效
发明人：高峰裕一;岩本英树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：滤波器(15)具备切割角为θ°的LiTaO3压电层(227)、高声速支承基板(228)、低声速膜(226)以及IDT电极(22)，根据IDT电极(22)的波长λ、IDT电极(22)的膜厚TIDT、IDT电极(22)的比重ρ、电极占空比D、压电层(227)的厚度TLT以及低声速膜(226)的膜厚TVL求出瑞利波的杂散成为极小的压电层(227)的最佳切割角θB，压电层(227)的切割角θ(°)满足θB‑4≤θ≤θB+4的关系。
表面波滤波器以及多工器

[发明专利]弹性波装置-CN202280018337.8在审
发明人：木村哲也 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明使Q值提高。弹性波装置具备：支承构件，在第1方向上具有厚度；压电层，设置在所述支承构件的所述第1方向上；以及IDT电极，设置在所述压电层的所述第1方向上，该IDT电极具有在与所述第1方向正交的第2方向上延伸的多个第1电极指、连接了所述多个第1电极指的第1汇流条电极、在与所述第2方向正交的第3方向上与所述多个第1电极指中的任一个对置并在所述第2方向上延伸的多个第2电极指、以及连接了所述多个第2电极指的第2汇流条电极，在所述支承构件，在所述压电层侧，在所述第1方向上俯视时至少一部分与所述IDT电极重叠的位置设置有空洞部，在所述压电层，设置有在所述第1方向上俯视时将至少一个第1电极指与所述第2汇流条电极之间的区域的所述压电层贯通的至少一个第1贯通孔，所述第1贯通孔与所述空洞部连通，在所述第3方向上具有长度，在所述第1方向上俯视时与至少一个第2电极指的一部分重叠。
弹性装置

[发明专利]一种声表面波谐振装置、声表面波滤波装置及电子设备-CN202311188657.0在审
发明人：李国强;衣新燕 -专利权人：广州市艾佛光通科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本申请实施例涉及通信领域，尤其涉及一种声表面波谐振装置，包括叉指换能器及分别设于叉指换能器两侧的第一反射器和第二反射器；叉指换能器具有有效孔径区及相对设置的第一声速区和第二声速区，有效孔径区设于第一声速区和第二声速区之间；第一反射器和第二反射器分别独立包括与有效孔径区位置对应的主反射栅、与第一声速区位置对应的第一辅助反射栅及与第二声速区位置对应的第二辅助反射栅。本申请还涉及一种声表面波滤波装置及电子设备。本申请利用第一反射器和第二反射器上的主反射栅反射沿叉指换能器的长度方向传播的声表面波，及第一辅助反射栅和第二辅助反射栅反射倾斜泄漏传播的声表面波，从而提升本申请声表面波谐振装置的Q值。
一种表面波谐振装置滤波电子设备

[发明专利]谐振器、滤波器、多工器和射频前端模组-CN202311188896.6在审
发明人：刘旻俊;杜波;王华磊;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司;锐石创芯（重庆）科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本申请涉及一种谐振器、滤波器、多工器和射频前端模组。该谐振器包括压电衬底以及设于压电衬底上的叉指换能器，叉指换能器包括平行且间隔排列的两个汇流条、位于两个汇流条之间的多个电极指；汇流条和电极指之间设有导电件和连接件，连接件与导电件和汇流条相连；电极指的一端与一个导电件连通，另一端与另一个导电件间隔，连接于不同汇流条的电极指相互间隔且交替排列；多个电极指沿汇流条的长度方向相互重叠的孔径区域的边缘设有低声速结构；导电件的厚度大于电极指的厚度。本申请谐振器通过设置加厚导电件、连接件和低声速结构，以形成双活塞模式，能够将能量更好地限制在孔径区域，提高谐振器Q值，并提高横模抑制效果。
谐振器滤波器多工器射频前端模组

[发明专利]接合体及其制造方法-CN202180023310.3在审
发明人：川崎隆裕;富冈卓哉 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明的课题在于，针对借助由硅氧化物膜形成的接合层而将压电性材料基板接合在包含硅的支撑基板上得到的接合体，抑制高频失真。接合体5A具有：包含硅的支撑基板1、压电性材料基板4A、以及设置在支撑基板1的表面1a上的接合层2，该接合层2由硅氧化物膜形成。接合层2的折射率为1.468以上1.474以下。
接合及其制造方法

[发明专利]压电性材料基板与支撑基板的接合体及其制造方法-CN201880052346.2有效
发明人：堀裕二;山寺乔纮;高垣达朗 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：在将由铌酸锂等材质形成的压电性材料基板与设置有氧化硅层的支撑基板接合时，能够抑制接合体的特性劣化。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；氧化硅层(7)，其设置于支撑基板(3)上；压电性材料基板(1A)，其设置于氧化硅层(7)上、并由选自由铌酸锂、钽酸锂和铌酸锂‑钽酸锂组成的组中的材质形成。氧化硅层(7)中的氮浓度的平均值高于氧化硅层(7)与支撑基板(3)的界面(E)处的氮浓度、以及氧化硅层(7)与压电性材料基板(1A)的界面(D)处的氮浓度。
压电材料支撑接合及其制造方法

[发明专利]弹性波装置以及具备该弹性波装置的弹性波模块-CN201880055923.3有效
发明人：川崎幸一郎 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：弹性波装置(110)具备覆盖部(10)、外周支承层(20)、支承部(25)、压电性基板(30)、以及形成在压电性基板(30)上的多个功能元件(40)。外周支承层(20)在压电性基板(30)上配置在形成了多个功能元件(40)的区域的周围。覆盖部(10)隔着外周支承层(20)与压电性基板(30)对置配置。支承部(25)配置在由压电性基板(30)、外周支承层(20)、以及覆盖部(10)形成的中空空间。支承部(25)的高度比外周支承层(20)的高度低，且比多个功能元件(40)的高度高。在支承部(25)与覆盖部(10)之间或支承部(25)与压电性基板(30)之间形成间隙。
弹性装置以及具备模块

[发明专利]谐振子-CN202180094132.3在审
发明人：西村俊雄 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明涉及谐振子。谐振子(10)具备：压电层，具有相互对置的第一面以及第二面；IDT电极(7)，设置在压电层(5)的第一面侧；以及高声速基板(1)，设置在压电层(5)的第二面侧，压电层(5)由使与结晶Y轴正交的面绕结晶X轴旋转得到的切割角的水晶构成，在相对于压电层(5)的结晶X轴为90°±10°的传播方向(PD)上，高声速基板(1)的声速比压电层(5)的声速快，IDT电极(7)具有梳形电极，该梳形电极具有在传播方向(PD)上排列的多个电极指(7b)。
谐振子

[发明专利]弹性波装置-CN202280015611.6在审
发明人：谷口康政;岩本英树;奥永洋梦 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有效地抑制杂散的弹性波装置。本发明的弹性波装置(1)具备：支承构件(3)，包含支承基板(4)；压电体层(6)，设置在支承构件(3)上，具有相互对置的第1主面(6a)和第2主面(6b)；第1IDT电极(7A)，设置在第1主面(6a)；以及第2IDT电极(7B)，设置在第2主面(6b)。第2IDT电极(7B)埋入于支承构件(3)。在支承构件(3)中的埋入有第2IDT电极(7B)的多个电极指的部分的周围，设置有至少一个空洞部(9)。
弹性装置

[发明专利]复合基板及其制法以及电子器件-CN201780055823.6有效
发明人：野本祐辉;田中启;井上胜弘;胜田祐司 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明的复合基板是支撑基板和功能性基板直接接合而成的复合基板，其中，支撑基板为硅铝氧氮陶瓷烧结体。支撑基板中的音速优选为5000m/s以上。支撑基板的40℃～400℃的热膨胀系数优选为3.0ppm/K以下。
复合及其制法以及电子器件

[发明专利]弹性波装置-CN202280015427.1在审
发明人：岩本英树;永友翔 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制电特性的变动并且能够抑制高阶模的弹性波装置。本发明的弹性波装置具备：支承构件，包含支承基板(3)；压电体层(6)，设置在支承构件上，具有相互对置的第1主面(6a)和第2主面(6b)；第1IDT电极(7A)，设置在第1主面(6a)，具有多个电极指；以及第2IDT电极(7B)，设置在第2主面(6b)，具有多个电极指。第2IDT电极(7B)埋入于支承构件。在压电体层(6)的第1主面(6a)设置有电介质膜(29)，使得覆盖第1IDT电极(7A)。在将由第1IDT电极(7A)的电极指间距规定的波长设为λ时，电介质膜(29)的厚度为0.15λ以下。
弹性装置

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