[实用新型]基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构有效
| 申请号： | 201821130694.0 | 申请日： | 2018-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN208368514U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王洪;周泉斌 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 向玉芳 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构。该外延结构从下至上由依次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN：Fe/GaN高阻层、GaN超晶格层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层组成；GaN：Fe/GaN高阻层由故意铁掺杂GaN层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；GaN超晶格层由低压/低V/III比GaN层和高压/高V/III比GaN层周期性交替连接组成。本实用新型外延结构晶体质量高、缓冲层背景载流子浓度低、沟道载流子限域性好、泄漏电流小，制备的器件具有高击穿电压、高电流密度、低关态漏电、以及优良的夹断特性，且高温、高频下性能退化小，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 衬底 本实用新型 超晶格层 射频器件 高阻层 缓冲层 载流子 高击穿电压 沟道载流子 周期性交替 漏电 交替连接 泄漏电流 性能退化 依次层叠 制造成本 成核层 铁掺杂 关态 夹断 帽层 限域 制备 掺杂 | ||
【主权项】：
1.基于Si衬底的GaN基射频器件外延结构，其特征在于，所述的GaN基射频器件外延结构从下至上由依次层叠的Si衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN：Fe/GaN高阻层、GaN超晶格层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层组成；其中，GaN：Fe/GaN高阻层由故意铁掺杂GaN层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；所述的故意铁掺杂GaN层和非故意掺杂GaN层每层的厚度都为100nm～200nm；GaN超晶格层由低压/低V/III比GaN层和高压/高V/III比GaN层周期性交替连接组成；所述的低压/低V/III比GaN层和高压/高V/III比GaN层每层的厚度都为20～50nm。
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