[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201820256425.2 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN208315529U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 戈登·M·格里芙尼亚 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 马芬;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底包括多个半导体管芯。在所述多个半导体管芯上方形成多个开口，并且所述多个开口部分地延伸到所述半导体衬底的表面中。导电层在介于所述开口之间的所述半导体衬底的所述表面的其余部分上方形成并且形成到所述开口中。本实用新型所解决的一个技术问题是物理地支撑超薄半导体管芯。本实用新型所实现的一个技术效果是提供改进的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 衬底 半导体管芯 本实用新型 半导体 开口 技术效果 导电层 延伸 支撑 改进 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括多个半导体管芯；多个开口，所述多个开口在所述多个半导体管芯上方形成并且部分地延伸到所述半导体衬底的表面中；以及导电层，所述导电层在介于所述开口之间的所述半导体衬底的所述表面的其余部分上方形成并且形成到所述开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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