[发明专利]一种低伏电压调整二极管制造方法在审
| 申请号： | 201811609229.X | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109599332A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李志福 | 申请（专利权）人： | 朝阳无线电元件有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 侯蔚寰 |
| 地址： | 122000 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低伏电压调整二极管制造方法，涉及半导体分立器件制造技术领域，具体为，所述该低伏电压调整二极管制造方法的工艺过程为：芯片氧化，光刻隔离，隔离N+扩散，光刻P+区，注入，退火，光刻N+区，注入，退火，光刻引线孔，正面金属化，合金，减薄，背面金属化，划片。该低伏电压调整二极管制造方法，采用复合穿通工艺制备PN结，设计采用N+P+P‑N+四层结构，通过工艺控制调整两个薄基区的厚度，降低PN结击穿电压，这种结构易于集成，不但适用于单管制造，更方便制成多路ESD保护器件，这种工艺方法制成的低伏电压调整二极管器件具有反向漏电流小、动态电阻小的突出特点，极大地提升极低稳压器件的稳压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电压调整 二极管制造 光刻 退火 半导体分立器件 隔离 背面金属化 二极管器件 反向漏电流 动态电阻 工艺过程 工艺控制 工艺制备 击穿电压 四层结构 稳压器件 稳压性能 薄基区 金属化 引线孔 穿通 单管 多路 划片 减薄 合金 制造 复合 芯片 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种低伏电压调整二极管制造方法，其特征在于：所述该低伏电压调整二极管制造方法的工艺过程为：芯片氧化，光刻隔离，隔离N+扩散，光刻P+区，注入，退火，光刻N+区，注入，退火，光刻引线孔，正面金属化，合金，减薄，背面金属化，划片；所述该低伏电压调整二极管制造方法的具体步骤为：（1）在N+衬底上异型外延一层高阻P—外延层；（2）在P‑外延层上制备一个P+阱区；（3）在阱区内制备N+区，形成N+P+P‑N+四层结构；（4）N+P+P‑N+四层结构在施加反向偏压时（衬底加负极），N+P+势垒耗尽层随着偏压增加，延伸扩展到衬底N+区，形成一个穿通过程，穿通后的PN结呈现雪崩状态，区别于传统低压稳压管的齐纳型隧道击穿。
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- 本发明涉及一种基于无线传输的肖特基二级管及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底表面形成高Ge组分Si1‑xGex层；采用连续激光扫描所述高Ge组分Si1‑xGex层，以及使连续激光扫描后的所述高Ge组分Si1‑xGex层自然冷却后再结晶；对所述再结晶后的高Ge组分Si1‑xGex层进行离子注入，形成N型Si1‑xGex层；在所述N型Si1‑xGex层上形成N型压应变Ge层；在所述N型压应变Ge层上形成第一电极和第二电极。应用本发明实施例可以提高由压应变Ge制备的肖特基二极管的电子迁移率。
- 一种用于无线能量传输的肖特基二极管及其制备方法-201811621058.2
- 李薇 - 西安科锐盛创新科技有限公司
- 2018-12-28 - 2019-05-03 - H01L21/329
- 本发明涉及一种用于无线能量传输的肖特基二极管及其制备方法，所述方法包括：制备硅衬底；在第一温度下，在所述衬底的一侧表面上形成第一厚度的第一Ge层；在第二温度下，在所述第一Ge层表面上形成第二厚度的第二Ge层；在第一预设环境下，将所述第二Ge层进行热退火处理，得到张应变Ge层；在所述张应变Ge层上形成第一N型Ge1‑xSnx层；向所述第一N型Ge1‑xSnx层注入磷离子，形成第二N型Ge1‑xSnx层；在所述第二N型Ge1‑xSnx层表面形成第一电极和第二电极。应用本发明实施例，能够提高肖特基二极管的电子迁移率，从而提升微波无线能量传输系统的最大转换效率。
- 用于无线充电的肖特基二极管及其制备方法-201811619930.X
- 李薇;刘奕晨 - 西安科锐盛创新科技有限公司
- 2018-12-28 - 2019-04-30 - H01L21/329
- 本发明涉及一种用于无线充电的肖特基二极管及其制备方法，其中，制备方法包括：(a)选取单晶Si衬底；(b)在所述Si衬底的第一表面生长Ge层；(c)在所述Ge层表面生长Ge1‑xSnx层；(d)刻蚀所述Ge1‑xSnx层形成中间高两侧低的脊状结构；(e)在所述Ge1‑xSnx层两侧低凹处生长SiGe层；(f)分别在所述Ge1‑xSnx层和所述Si衬底的第二表面制备金属电极以完成所述肖特基二极管的制备；本发明本发明通过在Ge外延层四周生长SiGe从而在Ge中引入应力，实现直接带隙Ge材料的制备；从而制备的肖特基二极管具有较高的迁移率，适用于微波无线能量传输系统内整流二极管，可大大提升无线能量传输转换效率。
- 一种用于无线能量传输的肖特基二极管制备方法和结构-201811621071.8
- 张超 - 西安科锐盛创新科技有限公司
- 2018-12-28 - 2019-04-30 - H01L21/329
- 本发明涉及一种用于无线能量传输的肖特基二极管制备方法和结构，所述方法包括：制备硅衬底；在所述衬底上依次形成第一厚度的第一Ge层和第二厚度的第二Ge层；在所述第二Ge层上形成N型Sn层；利用激光工艺使所述第一Ge层、所述第二Ge层和所述N型Sn层形成晶化Ge1‑xSnx层；在所述晶化Ge1‑xSnx层表面形成第一电极和第二电极。应用本发明实施例，能够提高肖特基二极管的电子迁移率，从而提升微波无线能量传输系统的最大转换效率。
- 二极管的制造方法-201410314806.8
- 赵圣哲 - 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
- 2014-07-03 - 2019-04-30 - H01L21/329
- 本发明提供一种二极管的制造方法，包括：在外延层中形成N型区；在所述外延层和N型区的表面形成氧化层；对所述氧化层进行刻蚀，以将所述外延层中待形成沟槽部分和待形成P型区部分表面的氧化层去除；对所述待形成沟槽部分进行刻蚀，以形成沟槽；在所述待形成P型区部分形成P型区；在形成有所述N型区和所述P型区的外延层上形成介质层和金属层，以形成所述二极管。本发明提供的二极管的制造方法，能够提高二极管的成品率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
