[发明专利]一种用于无线能量传输的肖特基二极管制备方法和结构在审
| 申请号： | 201811621071.8 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109698128A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张超 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/02;H01L29/161;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于无线能量传输的肖特基二极管制备方法和结构，所述方法包括：制备硅衬底；在所述衬底上依次形成第一厚度的第一Ge层和第二厚度的第二Ge层；在所述第二Ge层上形成N型Sn层；利用激光工艺使所述第一Ge层、所述第二Ge层和所述N型Sn层形成晶化Ge1‑xSnx层；在所述晶化Ge1‑xSnx层表面形成第一电极和第二电极。应用本发明实施例，能够提高肖特基二极管的电子迁移率，从而提升微波无线能量传输系统的最大转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 制备 无线能量传输 晶化 无线能量传输系统 最大转换效率 电子迁移率 表面形成 第二电极 第一电极 激光工艺 硅衬底 衬底 微波 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于无线能量传输的肖特基二极管制备方法，其特征在于，包括：制备硅衬底；在所述衬底上依次形成第一厚度的第一Ge层和第二厚度的第二Ge层；在所述第二Ge层上形成N型Sn层；利用激光工艺使所述第一Ge层、所述第二Ge层和所述N型Sn层形成晶化Ge1‑xSnx层；在所述晶化Ge1‑xSnx层表面形成第一电极和第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811621071.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
