[发明专利]沟槽型瞬态电压抑制器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种沟槽型瞬态电压抑制器件及其制造方法，方法包括：在硅片上依次生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层后的硅片上刻蚀多个第一沟槽；使用所述第一氧化硅层、氮化硅层和所述第二氧化硅层作为掩膜对所述硅片进行刻蚀，以形成多个第二沟槽；对形成所述多个第二沟槽的硅片进行热氧化、离子注入和填充，以形成所述沟槽型瞬态电压抑制器件。通过该方案，可以提高期间性能和可靠性。

主权项

1.一种沟槽型瞬态电压抑制器件的制造方法，其特征在于，包括：在硅片上依次生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；在生长第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层后的硅片上刻蚀多个第一沟槽；使用所述第一氧化硅层、氮化硅层和所述第二氧化硅层作为掩膜对所述硅片进行刻蚀，以形成多个第二沟槽；对形成所述多个第二沟槽的硅片进行热氧化、离子注入和填充，以形成所述沟槽型瞬态电压抑制器件；所述对形成所述多个第二沟槽的硅片进行热氧化、离子注入和填充，包括：对形成所述多个第二沟槽的硅片进行热氧化，以在每个第二沟槽内壁的所述硅片范围内形成第三氧化硅层；刻蚀掉所述第二氧化硅层和所述第三氧化硅层；对刻蚀掉所述第二氧化硅层和所述第三氧化硅层的硅片表面进行热氧化，并制备所述第一氧化硅层和所述氮化硅层；刻蚀掉所述第二沟槽底部的所述第一氧化硅层和所述氮化硅层，并对所述每个第二沟槽进行热氧化，以在所述每个第二沟槽的底部形成第二氧化硅层；刻蚀掉所述每个第二沟槽的侧壁上和所述硅片上的所述第一氧化硅层和所述氮化硅层；对刻蚀掉所述第一氧化硅层和所述氮化硅层的硅片进行离子注入；在进行离子注入后的硅片上填充多晶硅层和/或金属层。