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[发明专利]一种改善单向产品切割背崩的芯片制作工艺-CN202310917532.0在审
发明人：崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种改善单向产品切割背崩的芯片制作工艺，涉及一种半导体功率器件芯片加工领域。本发明分别采用两种不同特殊配比蚀刻酸进行作业，在保证P面正常蚀刻速率的基础上，降低N面蚀刻速率，此种方法不仅避免了切割背崩问题，同时也释放了晶片在制造过程中产生的应力。在半导体市场竞争越演越烈的今天，拥有一流的半导体制造技术，保证产品质量是每个半导体分立器件制造厂必备的利器，因此为了保证半导体分立器件的各项能力及可靠性，研究一种高可靠性的功率器件产品的制作工艺具有很重要的意义。
一种改善单向产品切割芯片制作工艺

[实用新型]稳定型瞬态抑制二极管-CN202320630972.3有效
发明人：崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：稳定型瞬态抑制二极管。涉及半导体器件。提供了一种生产成本低，又能有效提高器件可靠性和稳定性以及降低器件应力的稳定型瞬态抑制二极管。包括从下而上依次连接的N+层、N层、P+层；所述P+层上设有向下蚀刻至N层的椭圆结构的蚀刻槽；所述刻蚀槽上设有从下而上依次连接的SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜，所述SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜端部分别延伸至P+层的顶面，并与器件的边缘设有间距；所述P+层的顶面中部设有与SIPOS膜、SI3N4膜和SiO2膜连接的上电极金属层。本实用新型在工作中，在高压TVS制造工艺中，将SIPOS膜钝化与Si3N4及SiO2膜钝化方式结合，在SIPOS膜沉积后，利用LPCVD在其表面继续生长一层Si3N4及致密的SiO2膜，具有结构简单、制造方便的显著特点。
稳定瞬态抑制二极管

[实用新型]半导体晶片自动刷除MOR设备-CN202320764773.1有效
发明人：李先州;游佩武;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：半导体晶片自动刷除MOR设备。涉及芯片加工设备。本实用新型包括主体承片台和刷杆；主体承片台的顶面设有晶片放置位；晶片放置位上设有若干真空气孔，通过真空气孔吸气将晶片固定于主体承片台上；刷杆的顶部通过螺纹杆旋转控制刷杆在晶片放置位上水平往复运动，实现刷杆上的刷毛在晶片沿沟槽平行刷除，解决了人工刷除效率低，多次反复换向等问题，有效避免了人工刷除造成破片风险的问题。
半导体晶片自动 mor 设备

[发明专利]一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺-CN202310309831.6在审
发明人：崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺。涉及半导体器件，尤其涉及一种低应力高可靠性的高压TVS产品及其PN结钝化工艺。提供了一种生产成本低，又能有效提高器件可靠性和稳定性以及降低器件应力的一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺。本发明在工作中，在高压TVS制造工艺中，将SIPOS膜钝化与Si3N4及SiO2膜钝化方式结合，在SIPOS膜沉积后，利用LPCVD在其表面继续生长一层Si3N4及致密的SiO2膜，减少了玻璃熔融过程造成的PN结处杂质污染及玻璃与硅间的结合应力，降低反向漏电流，提升产品可靠性；具有结构简单、制造方便的显著特点。
一种高压 tvs 产品及其 pn 钝化工艺

[实用新型]晶圆旋涂防偏真空吸头-CN202222833252.5有效
发明人：崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：晶圆旋涂防偏真空吸头。涉及晶圆加工设备。包括主吸头部和吸头套；主吸头部通过连接件与主轴可拆卸固定连接，主轴旋转，使所述主吸头部在晶圆上转动。吸头套可拆卸固定设置在主吸头部的外侧；根据加工晶圆的规格选择适配的吸头套，拆卸安装简便，无需拆卸主吸头部。本设计通过限位卡片设计，使限位卡片端处宽度与晶片参考边宽度一致，限位卡片长度根据参考边距离主轴中心位置设计（卡片长度=参考边到晶圆圆心距离‑主轴中心到卡槽一内边距离），可快速准确地将待旋涂晶圆放在吸盘中心，减少由于晶片放置偏位导致的旋涂过程中的边缘堆积或涂不满问，实现涂布一致性。
晶圆旋涂防偏真空吸头

[发明专利]一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法-CN202211213031.6在审
发明人：崔丹丹;游佩武;王跃;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法。涉及半导体器件。本发明通过在高电阻率CZ硅衬底上选择性扩散制造出低阻P+衬底，通过对高电阻率原片衬底和高掺杂的低阻P+衬底进行脱氧处理，降低器件衬底氧含量降低产品IR，衬底中氧含量高，容易产生较多的负荷中心，在生产过程中会产生更多的缺陷，造成产品反向漏电流大，氧含量要小于1x1017个/cm3，同时结合阱工艺，改变大电流时二极管结的击穿点，由边缘转移至中央区域，提升产品整体耐压能力，提升产品可靠性，提升产品可靠性。
一种电阻率扩散低压二极管制备方法

[发明专利]一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法-CN202211322246.1在审
发明人： 游佩武;吴迪;崔丹丹;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法。涉及一种半导体器件。包括：衬底；P+衬底区，所述P+衬底区从衬底的顶部向下扩散，位于所述衬底内；所述衬底的顶部靠近边缘处设有环形豁口；所述环形豁口与P+衬底区的顶面之间设有弧形肩部；和氧化物钝化膜，所述氧化物钝化膜设置在所述弧形肩部上，分别与所述衬底和P+衬底区连接，平面二极管的顶面和底面分别设有金属层。所述金属层包括：上金属层，所述上金属层设置在氧化物钝化膜上，中部与所述P+衬底区连接；所述下金属层设置在衬底的底部。本发明有效避免平面二极管芯片边缘先雪崩，提升二极管的抗浪涌能力及可靠性，提升产品品质。
一种浪涌能力平面二极管及其制备方法

[发明专利]增强反向雪崩能力的半导体器件及制备方法-CN202211311659.X在审
发明人：吴迪;游佩武;张凡文;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：增强反向雪崩能力的半导体器件及制备方法，涉及功率器件。包括：N‑层；有源区，所述有源区位于N‑层的端部，从所述N‑层顶面向下延伸；分压环，所述分压环与有源区间隔设置，从所述N‑层顶面向下延伸；氧化层，所述氧化层设置在所述N‑层的上方；沟槽区，所述沟槽区从所述氧化层的顶面向下穿过所述分压环并延伸至所述N‑层内；和沟槽介质层，所述沟槽介质层附着于所述沟槽区，从所述N‑层的顶面向下延伸。本发明将沟槽区限定在分压环上，调整分压环和有源区的距离，确保最强电场在分压环上，在反向时电流从主结（有源区）走，与最强电场分开，同时不与槽内介质层接触，从而提高了产品的反向雪崩能力。
增强反向雪崩能力半导体器件制备方法

[发明专利]一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法-CN202210449797.8在审
发明人：崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法。涉及半导体器件。包括以下步骤：S001：N+衬底选取；根据不同产品的耐压需求，选择不同电阻率的N+衬底硅片；S002：P区硼预沉积及扩散；在N+衬底表面沉积硼杂质，通过高温扩散，将N+衬底硅片划分成P区和的集电极区；S003：氧化；在晶片表面生长氧化膜；S004：一次正面N+待扩散区选择性光刻：在P区的上表面预留出待制备发射区的区域，其余用光阻剂保护；S005：氧化膜去除：将待制备发射区上方的氧化膜去除，暴露出正面待扩散的发射区；本发明实现了低反向漏电流、低功耗及高可靠性的稳压管器件功能。
一种新型集成低漏流稳压制备方法

[实用新型]稳定型低漏流稳压管-CN202221013460.4有效
发明人：崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：稳定型低漏流稳压管，涉及半导体器件。包括集电极区，P区，内刻蚀槽玻璃区，外刻蚀口玻璃区，发射极区和金属蒸发层。通过在普通稳压二极管的结构中引入三极管，即将二极管与三极管集成于同一结构中，此集成结构将稳压管的工作原理由原有的齐纳击穿变为雪崩击穿，实现了低反向漏电流、低功耗及高可靠性的稳压管器件功能。
稳定型低漏流稳压

[发明专利]一种高压晶片的穿通扩散工艺及其中刻蚀气体的混合装置-CN201810344184.1有效
发明人： 游佩武;王毅;裘立强 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：一种高压晶片的穿通扩散工艺及其中刻蚀气体的混合装置。涉及一种新型的半导体二极管扩散工艺，尤其涉及一种在高压产品的穿通扩散工艺的改进。提出了一种逻辑清晰、步骤有序且加工效率高，使用时可对高电性能、大厚度的晶片进行高效穿通的高压晶片的穿通扩散工艺及其中刻蚀气体的混合装置。按以下步骤进行加工：步骤1）中SiO2阻挡层的厚度为10000‑30000A。步骤4）穿通预处理：在晶片的一侧端面上通过激光打出位于扩散窗口中的若干均匀分布的深槽，所述深槽的深度为200‑250um、且直径为20‑60um，相邻深槽的间距为20‑30um。步骤4）穿通预处理：在晶片的两侧端面上刻蚀出位于扩散窗口中的沟槽，单侧刻蚀的深度为50‑80um。本发明从整体上具有逻辑清晰、步骤有序以及加工效率高等优点。
一种高压晶片扩散工艺其中刻蚀气体混合装置

[实用新型]蒸镀坩埚组件-CN201921366837.2有效
发明人： 游佩武;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：蒸镀坩埚组件。涉及蒸镀设备，尤其涉及蒸镀坩埚组件。提供了一种结构简单，提高工作效率的蒸镀坩埚组件。包括铜坩埚，其特征在于，还包括石墨坩埚和支撑组，所述石墨坩埚通过支撑组设在铜坩埚内，所述支撑组包括支撑体和四个弹簧，所述支撑体设在铜坩埚的底部、且用于支撑石墨坩埚，四个弹簧呈环形设在铜坩埚的内壁，所述石墨坩埚位于四个弹簧之间。本实用新型方便加工，操作可靠。
坩埚组件

[发明专利]一种改善的二极管玻璃钝化的方法-CN201911204022.9在审
发明人： 游佩武;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种改善的二极管玻璃钝化的方法。涉及一种二极管加工工艺，尤其涉及一种改善的二极管玻璃钝化的方法。提供了一种加工简便、提升芯片切割品质的一种改善的二极管玻璃钝化的方法。本发明中包括芯片沟槽蚀刻、沟槽内设置玻璃层、使用刀刮法进行玻璃层钝化、涂布光刻胶层、曝光、显影、腐蚀等步骤的工艺优化，提成玻璃切割的品质。本发明的目的在于二极管使用刀刮法进行玻璃钝化时，在原有刀刮工艺的基础上进行工艺改善，防止芯片切割时玻璃破损，提升产品品质。本发明具有加工简便、降低废品率等特点。
一种改善二极管玻璃钝化方法

[发明专利]一种平面二极管的加工工艺-CN201910774375.6在审
发明人： 游佩武;王毅 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种平面二极管的加工工艺。涉及平面二极管，尤其涉及一种平面二极管的加工工艺。提供了一种方便加工，提高产品质量和使用寿命的平面二极管的加工工艺。本发明在工作中，包括以下步骤：初始氧化、有源区光刻、有源区预沉积、初始氧化、高阻N+环光刻、环区磷扩散、刻引线孔和金属化，两次初始氧化中，一次氧化是扩散base，二次氧化是扩散N+环；而且，在有源区边缘一周注入一个磷环，形成一圈高浓度高高阻磷环；提升产品的可靠性。
平面二极管光刻磷环源区扩散二次氧化使用寿命一次氧化源区边缘金属化磷扩散引线孔预沉积高阻环区加工

[实用新型]蜂窝形晶粒切割装置-CN201820555552.2有效
发明人： 游佩武;王毅;裘立强 -专利权人：扬州杰利半导体有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： B24C1/04 文献下载
摘要：蜂窝形晶粒切割装置。涉及晶片加工技术领域。提供了一种能耗小成本低且能切割不同厚度晶圆的蜂窝形晶粒切割装置。蜂窝形晶粒切割装置，包括上工作台和设于所述上工作台正下方的下工作台，所述上工作台由直线驱动装置驱动，所述上工作台上设有切割装置，晶圆置于所述下工作台上；所述切割装置包括固定在所述上台板上的轨道和液体喷头，所述轨道按蜂窝形布设在所述上台板上，所述轨道上设有滑块，所述滑块在所述轨道上滑动，所述液体喷头固定在所述滑块上，由所述滑块带动在所述轨道上滑动。本实用新型在切割时，能够将晶圆碎屑回收利用，从而降低了生产成本。
蜂窝形晶粒切割滑块上工作台轨道晶圆切割装置液体喷头滑动上台板切割直线驱动装置本实用新型回收利用晶片加工下工作台碎屑生产成本能耗驱动

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