[发明专利]一种基于无线充电的硅基肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811620028.X | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109599333A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 刘奕晨 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/872;H01L29/165 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于无线充电的硅基肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括：选取Si衬底；在所述Si衬底的表面上形成至少两层Ge层；在所述至少两层Ge层的表面，形成预设数量的SiGe/Ge应变超晶格插层，其中，一个SiGe/Ge应变超晶格插层包括一个SiGe层以及一个生长在所述SiGe层上的Ge层；在所述SiGe/Ge应变超晶格插层的表面，形成张应变Ge层；在所述张应变Ge层上形成第一电极和第二电极。应用本发明实施例能够提高由张应变Ge制备的硅基肖特基二极管的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 肖特基二极管 应变超晶格 张应变 插层 硅基 无线充电 衬底 两层 电子迁移率 第二电极 第一电极 预设 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于无线充电的硅基肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：选取Si衬底；在所述Si衬底的表面上形成至少两层Ge层；在所述至少两层Ge层的表面，形成预设数量的SiGe/Ge应变超晶格插层，其中，一个SiGe/Ge应变超晶格插层包括一个SiGe层以及一个生长在所述SiGe层上的Ge层；在所述SiGe/Ge应变超晶格插层的表面，形成张应变Ge层；在所述张应变Ge层上形成第一电极和第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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