[发明专利]单片集成双波长半导体激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811485068.8 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111276867B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 杨成奥;牛智川;张宇;徐应强;谢圣文;张一;尚金铭;黄书山;袁野;苏向斌;邵福会 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/20;H01S5/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单片集成双波长半导体激光器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域。该半导体激光器包括：第一激光器、第二激光器、第一隔离槽和第二隔离槽，所述第一激光器包括第一激光器P电极，所述第二激光器包括第二激光器P电极和第二激光器桥电极；其中，所述第二激光器P电极位于第一激光器P电极与第二激光器桥电极之间，所述第一隔离槽制备于第一激光器P电极和第二激光器P电极之间；所述第二隔离槽制备于第二激光器P电极和第二激光器桥电极之间。本发明中，通过两个激光器电流和隔离槽的特殊设计，使得两个激光器可以同时或者分别单独工作。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 波长 半导体激光器 及其 制备 方法 | ||
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- 单智发;张永;陈阳华;姜伟;方天足 - 全磊光电股份有限公司
- 2020-04-20 - 2020-12-15 - H01S5/32
- 一种高性能DFB激光器结构，包括InP基底，在所述InP基底上从下而上依次采用MOCVD沉积的N‑InP缓冲层、N‑AlInAs外延层、N‑AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P‑AlGaInAs波导层、P‑AlInAs限制层、P‑InP限制层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、InGaAs欧姆接触层；在所述N‑InP缓冲层与所述N‑AlInAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP；本方案设计的一种高性能DFB激光器结构，在N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层中间插入一层N‑InAlAsP，可以获得高制量的MQW，提高激光器的可靠性，同时还能平滑N‑InP缓冲层与N‑InAlAs外延层之间的导带能阶差，减小DFB激光器的电阻，提高DFB激光器的性能。
- 一种DFB激光器外延结构-202020595628.1
- 单智发;张永;姜伟;陈阳华;方天足 - 全磊光电股份有限公司
- 2020-04-20 - 2020-09-29 - H01S5/32
- 一种DFB激光器外延结构，包括InP基底，在所述InP基底依次采用MOCVD沉积的InP外延层、AlInAsP插入层、AlInAs外延层、N‑AlGaInAs波导层、AlGaInAs MQW、P‑AlGaInAs波导层、P‑AlInAs限制层、P‑InP限制层、腐蚀阻挡层、InP联接层、光栅层、InGaAsP势垒过度层、以及InGaAs欧姆接触层；本方案设计的DFB激光器外延结构在所述InP外延层中插入若干与InP晶格匹配的InGaAs薄层，一方面可以降低InP基底位错对MQW的影响，另一方面，可以抑制基底中杂质的脱出，从而获得高制量的MQW，提高激光器的可靠性。
- 整形激光装置-201922476937.7
- 杨毅 - 上海蓝湖照明科技有限公司
- 2019-12-31 - 2020-07-17 - H01S5/32
- 本实用新型激光装置，包括边发射半导体激光芯片，边发射半导体激光芯片包括长条形发光区，发光区平行结平面方向为慢轴，垂直结平面方向为快轴，快轴的发光角度大于慢轴，快轴的发光半角为A，还包括导光棒，导光棒设置在边发射半导体激光芯片发光区一侧，导光棒一个端面与发光区相面对，该端面用于接收发光区发出的激光，导光棒的数值孔径Na满足条件Na＞sin(A)，激光进入导光棒后在其内部反射并传播；该发明的导光棒一端收集边发射半导体激光芯片发出的激光，收集进入导光棒的激光经过数次反射和角度扭转后，导光棒另一端出射，出射的激光得到理想圆周对称的面分部。该激光装置体积小、加工制造成本低，安装过程中调试、校对简单，便于推广和应用。
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