专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN201711346623.4有效
  • 张韵;倪茹雪 - 中国科学院半导体研究所
  • 2017-12-14 - 2021-11-12 - H01S5/32
  • 本公开提供了一种半导体激光器及其制备方法,所述半导体激光器由下至上依次包括:沟槽型图形化衬底、n型层、有源层和p型层;其中,所述沟槽型图形化衬底上具有多个相互平行的沟槽,所述沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行。本公开半导体激光器及其制备方法,通过长条状沟槽的延伸方向与激光器的光子谐振方向平行,即使光子谐振方向与外延材料中低穿透位错区域平行,在振荡过程中,此区域的非辐射复合较低、增益较大,可以率先实现激射,降低激射阈值,从而有效提高了半导体激光器的光学效率和性能。
  • 半导体激光器及其制备方法

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