[发明专利]半导体功率器件的封装结构及封装结构的电极有效
| 申请号： | 201811151918.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109449135B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 唐新灵;赛朝阳;张朋;林仲康;王亮 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体功率器件的封装结构及封装结构的电极，对封装结构内部的电极进行改进，按照从内到外电极的电阻逐渐减小的方式设计电极。由于，所有电极之间的互感，导致电流呈现外部大，中心小，与集肤效应类似的分布；并且由于电极的电阻相同，电流分布主要受集肤效应影响。由内至外电极电阻增大，从而削弱集肤效应的影响，使得各电极的电流趋于一致。在制作电极阶段，改变电极尺寸，不改变电极的分布以及封装结构的尺寸，因此并不影响器件大小，可以较好的在不增加封装尺寸的前提下实现多个半导体功率器件均流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 封装 结构 电极 | ||
【主权项】：
1.一种电极，其特征在于，用于半导体功率器件的封装结构，所述电极为多个，所述电极的电阻由内向外依次增大。
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