[发明专利]半导体装置的制造方法和成膜装置有效
| 申请号： | 201780080973.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN110121765B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 中岛伸二;锦博彦;见村浩英;齐藤裕一;武田悠二郎;村重正悟;石田和泉;冈部达 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/365 | 分类号： | H01L21/365;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;张艳凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，是具备基板和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，上述氧化物半导体TFT支撑于上述基板，以氧化物半导体膜为活性层，上述半导体装置的制造方法的特征在于，包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将上述基板加热到500℃以下的温度的状态下对设置于腔室内的上述基板供应上述MO气体和含有氧的气体，在上述基板上通过MOCVD法生长含有In和Zn的上述氧化物半导体膜，上述工序(B)是在上述腔室内形成了等离子体的状态下进行的。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
