[发明专利]一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件，所述方法在半导体器件制造过程中在外延层上形成介质岛，在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得器件在开态下的击穿可靠性大大提高；同时，由于介质岛的存在，使得栅介电层的厚度增加，降低了栅极电容，减小器件的开关损耗。同时，在制造过程中以介质岛作为掩膜，可以自对准形成第一掺杂类型源区，节省了一块光刻版，使得工艺成本下降。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，至少包括：提供第一掺杂类型的半导体衬底，在所述第一掺杂类型的半导体衬底的正面形成具有第一区和第二区的第一掺杂类型外延层；在所述第一区和所述第二区中分别形成至少两个第二掺杂类型深阱；在所述第一掺杂类型外延层上形成多个介质岛，所述介质岛包括第一介质岛和第二介质岛，其中，所述第一介质岛分别部分覆盖所述第一区、所述第二区中的相邻两个所述第二掺杂类型深阱之间的区域，并且所述第一介质岛与所述的相邻两个所述第二掺杂类型深阱均不接触，所述第二介质岛分别部分覆盖位于所述第一区、所述第二区中的所述第二掺杂类型深阱中拟形成的第一掺杂类型源区之间的区域；在所述第一区中形成位于所述第一介质岛的两侧的第一掺杂类型沟道，所述第一掺杂类型沟道延伸至所述第一区中拟形成第一掺杂类型源区的区域；在所述第一掺杂类型外延层上形成分别覆盖所述第一介质岛的栅极结构，且所述栅极结构露出所述第二介质岛和分别位于所述第一区、所述第二区中的所述拟形成第一掺杂类型源区的区域；以所述栅极结构和所述第二介质岛为掩膜执行第一掺杂类型源区离子注入，在所述第一区、所述第二区中形成第一掺杂类型源区；其中，所述第一掺杂类型和所述第二掺杂类型相反。