[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201711349813.1 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107863380B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;H-J·舒尔策;R·巴布斯克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括绝缘栅双极性晶体管(IGBT)装置。所述IGBT装置包括发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第一构造区段和发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第二构造区段。第一构造区段和第二构造区段被布置在半导体器件的半导体衬底的主表面处。此外，IGBT装置包括集电极层和漂移层。集电极层被布置在半导体衬底的背面表面处，并且漂移层被布置在集电极层与第一构造区段和第二构造区段的发射极侧IGBT结构之间。另外，集电极层包括与第二掺杂区段横向地邻近的第一掺杂区段。第一掺杂区段和第二掺杂区段包括不同的电荷载子寿命、不同的传导性类型或不同的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括绝缘栅双极性晶体管装置，所述绝缘栅双极性晶体管装置至少包括发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第一构造区段和发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构的第二构造区段，其中所述第一构造区段的每个发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构包括本体区域、源极区域和栅极，其中所述第二构造区段的每个发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构包括本体区域、源极区域和栅极，其中所述第一构造区段和所述第二构造区段被布置在所述半导体器件的半导体衬底的主表面处，其中所述第一构造区段和所述第二构造区段包括不同的电荷载子调整构造，其中所述绝缘栅双极性晶体管装置包括集电极层和漂移层，所述集电极层和所述漂移层是所述半导体衬底的部分，其中所述集电极层被布置在所述半导体器件的所述半导体衬底的背面表面处，并且所述漂移层被布置在所述集电极层与所述第一构造区段和所述第二构造区段的所述发射极侧绝缘栅双极性晶体管结构之间，其中所述集电极层至少包括与第二掺杂区段横向地邻近的第一掺杂区段，其中所述第一掺杂区段和所述第二掺杂区段包括不同的电荷载子寿命、不同的传导性类型或不同的掺杂浓度，其中所述第一构造区段被定位从而与所述第一掺杂区段至少部分横向重叠，并且所述第二构造区段被定位从而与所述第二掺杂区段至少部分横向重叠。
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