[发明专利]一种抗原检测材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201711278878.1 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN108163802B 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 杨春江;李瑞萱 申请(专利权)人: 北京纳百生物科技有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G01N33/543;G01N33/551;G01N33/576
代理公司: 44525 深圳迈辽知识产权代理有限公司 代理人: 赖耀华
地址: 100176 北京市大兴区北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种抗原检测材料的制备方法,包括以下步骤:首先采用电化学刻蚀方法制备微米多孔硅基底,然后对多孔硅基底进行表面修饰,使其组装分别含有疏水长碳和具有反应性端基的两种硅烷的复合单层膜,最后将特定抗体接枝到经过修饰的多孔硅基底材料表面生成复合单分子层,使该表面成为一种结合有特定抗体的超疏水生物功能表面。本发明制备的超疏水生物功能化的多孔硅材料可以用来检测抗原疾病,其原理是该含有抗体的材料表面可与含有抗原的液体发生作用产生粘附力,通过检测其对待检测样品液滴粘附力的有无及大小来判断待测样品中是否含有某种特定的疾病抗原。本发明中涉及的检测材料制备工艺简单,检测过程方便,具有很高的实际应用价值。
搜索关键词: 多孔硅基 抗体 制备 水生物 抗原检测 抗原 粘附 检测 制备方法和应用 电化学刻蚀 多孔硅材料 反应性端基 表面修饰 待测样品 单分子层 复合单层 功能表面 疾病抗原 检测材料 检测样品 制备工艺 作用产生 功能化 长碳 硅烷 接枝 疏水 液滴 修饰 组装 复合 疾病 应用
【主权项】:
1.一种抗原检测材料的制备方法,该材料以多孔硅为基底材料,其特征在于:所述材料的制备过程包括以下步骤:/n(1)用电化学刻蚀方法制备微米多孔硅基底;/n(2)对步骤(1)得到的多孔硅基底进行表面修饰:将步骤(1)具有多孔结构的硅基材浸涂在含有疏水长碳链硅氧烷和具有反应性端氨基的硅氧烷的混合溶液中,同时组装含有两种硅烷的复合单层膜,从而使该基底表面同时具有超疏水性和与抗体发生反应的特性,并且通过调整组装混合溶液两种硅氧烷功能分子的百分比来改变这两种分子在多孔硅基材表面的占比;以体积分数计,所述混合溶液的组成为:具有反应性端氨基的硅氧烷:0.8%~1.6%、含有疏水长碳链硅氧烷:0.2%~3.2%,溶剂:95.2%~99.0%;/n(3)将特定抗体接枝到步骤(2)中反应性端氨基的位点从而在多孔硅基底材料表面形成抗体分子与疏水长碳链硅烷复合单分子层,复合单分子层建立在具有微米多孔结构的硅基材表面,使该表面成为一种结合有特定抗体的超疏水生物功能表面。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京纳百生物科技有限公司,未经北京纳百生物科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711278878.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 电容-悬臂梁式电场测量传感器件的制备工艺流程-201910973280.7
  • 胡军;何金良;韩志飞;薛芬;余占清;曾嵘;张波;李琦 - 清华大学
  • 2019-10-14 - 2020-02-11 - B81C1/00
  • 一种基于逆压电效应的电容‑悬臂梁式电场测量传感器件的制备工艺流程,包括硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤,所述硅晶片加工步骤、SOI晶片加工步骤、组合步骤依次进行。其有益效果是:采用微加工技术制备传感器,实现传感器的小体积和低成本,有利于工业批量生产;制备流程保证了传感器的可靠性;制备过程将压电材料制备技术与硅微加工技术相结合,保证了工艺的兼容性;流程设计保证了工艺步骤的最简化和生产周期的最小化。
  • 微纳米结构组件制造方法、以及以该法制造的微纳米结构组件-201911056423.4
  • 林育菁 - 歌尔股份有限公司
  • 2019-10-31 - 2020-02-11 - B81C1/00
  • 制造微纳米结构组件的方法,包括:提供滤膜;提供MEMS传感器,MEMS传感器上具有开口且能够经其进行感测;将滤膜结合到MEMS传感器上使滤膜覆盖开口。提供滤膜包括:将基板(108)覆以滤膜材料层(107),在滤膜材料层上再覆以光刻胶层(106);对基板(108)加热以软化光刻胶层;用模具对基板(108)加压,模具由叠合的图案层(104)和背层(102)组成,背层受到加压以使得图案层接触光刻胶层;在持续用模具对光刻胶层加压的同时冷却光刻胶层以使其固化,在光刻胶层上形成与图案层相符的图案;移除模具;通过干蚀刻移除在图案上残留的光刻胶;以光刻胶层为掩模,对滤膜材料层(107)进行干蚀刻或湿蚀刻以将光刻胶层的图案转移到滤膜材料层上。
  • 一种MEMS器件的制作方法-201611140082.5
  • 施林波;陈福成 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-12-12 - 2020-02-11 - B81C1/00
  • 本发明提供一种MEMS器件的制作方法,所述方法包括:提供MEMS晶圆,所述MEMS晶圆的正面形成有图案化的过滤层;在所述MEMS晶圆中形成开口,所述开口贯穿所述MEMS晶圆的背面;在所述图案化的过滤层上形成胶带;自所述MEMS晶圆的背面减薄所述MEMS晶圆,使所述MEMS晶圆减薄到目标厚度;剥离所述胶带。根据本发明提供的MEMS器件的制作方法,首先在MEMS晶圆中形成贯穿所述MEMS晶圆的背面的开口,然后采用胶带对所述MEMS晶圆正面进行保持,自所述MEMS晶圆的背面减薄所述MEMS晶圆,使所述MEMS晶圆减薄到目标厚度,从而避免了需要临时键合的工艺,从而实现低成本、高良率制作超薄MEMS器件。
  • 一种半导体器件及制备方法、电子装置-201610312181.0
  • 王强 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-05-12 - 2020-02-11 - B81C1/00
  • 本发明提供了一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上依次形成有第一半导体材料层、牺牲层和图案化的第二半导体材料层,其中,所述第二半导体材料层包括主芯片区域和接触区域;在所述第二半导体材料层的侧壁上形成间隙壁;图案化所述牺牲层,以在所述牺牲层中形成隔离沟槽,同时去除所述接触区域中所述第二半导体材料层侧壁上的所述间隙壁;在所述牺牲层和所述第二半导体材料层上形成覆盖层,以覆盖所述接触区域中的侧壁,同时填充所述隔离沟槽;湿法蚀刻去除所述牺牲层和剩余的所述间隙壁,以在所述第一半导体材料层和所述第二半导体材料层之间形成空腔。所述方法解决了接触区域断裂的问题。
  • 一种半导体器件及其制造方法-201610933794.6
  • 张建华;汪新学 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-10-31 - 2020-02-11 - B81C1/00
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,包括:提供基底,所述基底包括半导体衬底,形成于所述半导体衬底上的介质层,以及形成于所述介质层上的振动膜层;在所述基底上形成保护层,所述保护层中形成有暴露所述基底表面的开口;沉积覆盖所述基底及保护层的覆盖层,所述覆盖层的材料与所述保护层相同;刻蚀所述覆盖层,以在所述开口的拐角处形成间隙壁。与现有工艺相比,本发明提出的半导体器件的制造方法,可避免在刻蚀氮化硅的过程中在保护层开口中产生氮化硅残留物。
  • 基于MEMS工艺的碱金属原子微型气室的制备方法-201911062199.X
  • 王锦曦;闫树斌 - 中北大学
  • 2019-11-02 - 2020-02-07 - B81C1/00
  • 本发明一种基于MEMS工艺的纯碱金属原子微型气室的制备方法,包括RCA清洗、光刻、刻蚀低温阳极键合、划片阶段。可制造出高精度、低应力、高纯度的MEMS原子气室,(1)避免了玻璃‑硅‑玻璃常规原子气室不同质造成原子退极化驰豫引起的噪声问题。(2)阳极键合克服了不同质粘合层原子成键结合力弱造成气密性不佳的问题。(3)克服了因表面平整度不佳而造成的键合失败或气密性不高的问题。(4)克服了碱金属外溢导致的密度较低的问题。(5)低温键合可以避免器件性能的衰减或损坏,减小或消除高温键合引入的残余应力和翘曲变形。(6)解决了单腔室原子气室在制备时容易留下残余反应物从而影响后续光通过的问题,相比双腔式原子气室体积尺寸更微型化。
  • 一种抗原检测材料及其制备方法和应用-201711278878.1
  • 杨春江;李瑞萱 - 北京纳百生物科技有限公司
  • 2017-12-06 - 2020-02-07 - B81C1/00
  • 本发明提供一种抗原检测材料的制备方法,包括以下步骤:首先采用电化学刻蚀方法制备微米多孔硅基底,然后对多孔硅基底进行表面修饰,使其组装分别含有疏水长碳和具有反应性端基的两种硅烷的复合单层膜,最后将特定抗体接枝到经过修饰的多孔硅基底材料表面生成复合单分子层,使该表面成为一种结合有特定抗体的超疏水生物功能表面。本发明制备的超疏水生物功能化的多孔硅材料可以用来检测抗原疾病,其原理是该含有抗体的材料表面可与含有抗原的液体发生作用产生粘附力,通过检测其对待检测样品液滴粘附力的有无及大小来判断待测样品中是否含有某种特定的疾病抗原。本发明中涉及的检测材料制备工艺简单,检测过程方便,具有很高的实际应用价值。
  • 一种酸碱响应的各向异性浸润不对称硅纳米圆柱阵列的制备方法-201810081118.X
  • 张俊虎;葛鹏;杨柏 - 吉林大学
  • 2018-01-29 - 2020-02-07 - B81C1/00
  • 一种酸碱响应的各向异性浸润不对称硅纳米圆柱阵列的制备方法,属于材料科学技术领域。本发明结合界面自组装和胶体晶体刻蚀的方法,在硅基底表面制备出六方非紧密堆积的纳米圆柱阵列,通过不对称地在柱阵列的左右两侧修饰酸碱响应功能基团,我们实现了诱导强酸强碱沿着不同方向单向浸润的“两面神”基底,该基底同样可以诱导酸碱度介于1和13之间的液体从单向浸润,向各向异性浸润、各向同性浸润、反方向各向异性浸润、反方向单向浸润转换。“两面神”基底在被酸碱处理后,对水同样展示了响应浸润行为,水可以在两个方向的单向浸润之间相互转换。本发明步骤简单,不涉及昂贵的仪器,其卓越的刺激响应性会在许多领域有着重要应用。
  • 用于制造微机电设备、特别是电声模块的工艺-201910660882.7
  • F·夸利亚;M·费雷拉;M·德尔萨尔托 - 意法半导体股份有限公司
  • 2019-07-22 - 2020-02-04 - B81C1/00
  • 本公开涉及用于制造微机电设备、特别是电声模块的工艺。一种用于制造MEMS设备的工艺包括形成第一组件,第一组件包括:介电区域;再分布区域;以及多个单元部分。第一组件的每个单元部分包括:被布置在介电区域中的裸片;以及多个第一和第二连接元件,它们延伸至再分布区域的相对面并且通过在再分布区域中延伸的路径被连接在一起,第一连接元件被耦合至裸片。工艺进一步包括:形成包括多个相应的单元部分的第二组件,多个相应的单元部分中的每个相应的单元部分包括半导体部分和第三连接元件;机械耦合第一和第二组件,以将第三连接元件连接至对应的第二连接元件;并且然后去除第二组件的每个单元部分的半导体部分的至少一部分,从而形成对应膜。
  • 一种传感器芯片的制造方法-201910952655.1
  • 苏卫国 - 无锡必创传感科技有限公司
  • 2019-10-09 - 2020-02-04 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种传感器芯片的制造方法,包括:对支撑衬底朝向支撑衬底的一侧进行刻蚀形成参考压力腔,并在参考压力腔的中心区域形成支撑结构;将支撑衬底和结构衬底通过介质绝缘层键合在一起;在结构衬底形成弹性敏感膜结构,弹性敏感膜结构与参考压力腔和支撑结构所在区域重叠;从支撑衬底背向结构衬底的表面对所述支撑衬底进行刻蚀,以形成贯通至参考压力腔的引压孔并将支撑结构去除。本发明利用制程中的支撑结构,对所制备的弹性敏感膜结构进行支撑,避免了弹性敏感膜结构的变形,同时,本发明先在支撑衬底朝向结构衬底的一侧形成较浅的参考压力腔并在其侧壁形成刻蚀保护层,防止了参考压力腔尺寸的失控问题,保证了弹性敏感膜的尺寸精度。
  • 芯片层叠塑料封装的MEMS惯性器件的开封方法-201710317894.0
  • 林晓玲;何春华;梁朝辉 - 中国电子产品可靠性与环境试验研究所
  • 2017-05-08 - 2020-01-31 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种能够暴露器件中加速度计MEMS、陀螺仪MEMS及ASIC芯片的芯片层叠塑料封装的MEMS惯性器件的开封方法。该开封方法包括如下获得器件的初步内部结构信息、获得空腔位置及芯片的详细分布情况信息,并根据详细分布情况信息,对于ASIC芯片在上层且加速度计MEMS及陀螺仪MEMS在下一层以及ASIC芯片在下层且加速度计MEMS及陀螺仪MEMS在上层的叠层结构的MEMS惯性器件分别进行化学腐蚀处理后检查分析,可以将加速度计MEMS、陀螺仪MEMS及共用的ASIC芯片等分别暴露出来,并且可以保证封装空腔内的器件结构完好无损,满足芯片层叠塑料封装的MEMS惯性器件的内部目检的需求。
  • 在基体的表面形成多种面形结构的方法-201611020535.0
  • 顾佳烨;游家杰;邱鹏 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2016-11-18 - 2020-01-31 - B81C1/00
  • 本申请提供一种在基体的表面形成多种面形结构的方法,该方法包括:在基体的表面形成至少两种掩模图形,不同种的掩模图形具有不同的掩模材料和/或表面形状,其中,不同的掩模材料与所述基体之间具有不同的刻蚀选择比;刻蚀所述至少两种掩模图形和所述基体的表面,以将所述至少两种掩模图形按照相应的刻蚀选择比转移到所述基体的表面,以在所述基体的表面形成由所述基体的材料形成的至少两种面形结构。根据本实施例,可以通过一次刻蚀在基体的表面形成不同的表面形状。
  • 一种共晶键合方法和半导体器件-201611050071.8
  • 邱鹏;顾佳烨;游家杰 - 上海新微技术研发中心有限公司
  • 2016-11-24 - 2020-01-31 - B81C1/00
  • 本申请提供一种共晶键合方法和半导体器件,该方法包括:在第一基片的表面形成第一键合材料图形;在第二基片的表面形成第二键合材料图形;在所述第一基片的表面和/或所述第二基片的表面形成围绕所述第一键合材料图形和/或所述第二键合材料图形的突起的环状部件,所述环状部件与所述第一键合材料图形和/或所述第二键合材料图形的外周之间形成容纳空间;将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐,并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片,以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合。根据本申请,能阻挡溢流物。
  • 一种微电极阵列芯片及其制作方法-201610674138.9
  • 吴蕾;李刚;金庆辉;赵建龙 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2016-08-16 - 2020-01-31 - B81C1/00
  • 本发明提供一种微电极阵列芯片及其制作方法,所述制作方法包括:在第一基底上制作微电极阵列结构;在第二基底上制作带有微管道阵列的覆盖层;将覆盖层揭下并在所述覆盖层上打孔,形成进样口阵列;将带有进样口阵列的覆盖层与微电极阵列结构对准贴合;在进样口处加入可热分解聚合物溶液并使其充满整个微管道,对其进行加热固化,而后揭去带有进样口阵列的覆盖层;在S7所述结构上形成具有刺激口阵列的光刻胶固化膜;对S8所述结构进行加热,使可热分解聚合物汽化挥发,形成微管道阵列结构;之后在微管道阵列结构上方粘接培养腔环。通过本发明所述的微电极阵列芯片及其制作方法,解决了现有技术中所述微电极阵列芯片无法对刺激位点进行精确定位的问题。
  • 压力传感器的封装方法-201610693394.2
  • 刘孟彬;毛剑宏 - 上海丽恒光微电子科技有限公司
  • 2016-08-19 - 2020-01-24 - B81C1/00
  • 本发明揭示了一种压力传感器的封装方法,在所述压力传感器的封装方法中,在所述钝化层上键合一基板,所述基板覆盖所述第一开口,形成第二空腔,从而通过所述基板将压力传感器的第二空腔进行密封,通过晶圆级封装的方法,降低封装工艺的复杂度;并且,在所述基板和钝化层中形成通孔结构,可以实现将器件结构的电性引出,实现了将所述芯片(控制电路)与压力传感器在纵向上集成起来,有利于减小封装结构的横向面积。
  • 一种调控金属互连线各向异性收缩率的方法-201711217161.6
  • 段智勇;贾斌;李梦珂;马刘红;钟英辉;苏宇锋;郑国恒 - 郑州大学
  • 2017-11-28 - 2020-01-14 - B81C1/00
  • 一种调控金属互连线各向异性收缩率的方法,包括如下步骤:把带有金属互连线微结构的硅片放在加热板上进行热处理,同时在硅片上下方分别放置正负电极板以对带有金属互连线微结构的硅片施加单轴驱动力,通过改变所加电极板放置方向来实现金属互连线在不同方向上的收缩;通过调整电极板电压值来控制金属互连线在受力方向上收缩量,进而实现各向异性收缩。把带有金属互连线微纳结构的硅片放在加热板上150℃~200℃进行热处理,同时在硅片上下方分别放置正负电极板,来对金属互连线施加静电场,通过静电场作用产生的电场力来实现对金属互连线单轴驱动力的施加。
  • 一种高度有序并且呈轴对称的纳米周期性结构的制备方法-201910870299.9
  • 张小龙;张永军;王雅新;陈雷;赵晓宇;朱琪 - 吉林师范大学
  • 2019-09-16 - 2020-01-10 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种高度有序并且呈轴对称的纳米周期性结构的制备方法,本发明属于纳米结构转换和复合材料合成技术领域,本发明方法以纳米碗结构为基础结构,通过入射光对纳米碗的热点分布进行调控,实现了银纳米粒子生长位置和大小的可控,并且制备出了高度有序、定域生长银纳米粒子组成的纳米环状周期结构。该方法不同于传统的物理方法和化学腐蚀方法,是一种全新的纳米周期结构制备的方法,该方法有望应用于更多有趣的周期结构的制备。
  • 一种周期波浪状纳米孔结构阵列的制备方法-201910870308.4
  • 张小龙;张永军;王雅新;陈雷;赵晓宇;朱琪 - 吉林师范大学
  • 2019-09-16 - 2020-01-10 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种周期波浪状纳米孔结构阵列的制备方法,属于纳米材料合成技术领域,本发明的目的是提供一种周期波浪状纳米孔结构阵列结构,本发明方法以纳米点阵为基础结构,经超声清洗后,通过改变溅射的角度,利用磁控溅射技术制备出了周期波浪状纳米孔结构阵列,本发明方法属于物理沉积方法,溅射材料可以为金属、合金、半导体、氧化物及其相关异质结构,拓宽了目前在纳米孔结构制备材料方面的限制,同时也提供了一种更加复杂的纳米孔结构,有望于在定向输运、偏振、吸收方面有很好的应用。
  • 一种高度有序倾斜纳米柱的制备方法-201910870721.0
  • 张小龙;张永军;王雅新;陈雷;赵晓宇;朱琪 - 吉林师范大学
  • 2019-09-16 - 2020-01-10 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种高度有序倾斜纳米柱的制备方法,属于周期纳米材料制备技术领域,本发明的目的是解决目前一种制备方法仅能适用于一种材料的,无法推广到另一种材料的问题,本发明提出了一种高度有序倾斜纳米柱的制备方法,该方法以二维胶体阵列为基础,采用二次模版方法,制备出了高度有序的纳米棒状结构阵列,这种棒状结构可以为金属、合金、半导体及其相关异质结构。
  • 一种适合表面贴装工艺的压阻式加速度传感器及其制造方法-201710429714.8
  • 周志健;朱二辉;于洋;陈磊;杨力建;邝国华 - 广东合微集成电路技术有限公司
  • 2017-06-08 - 2020-01-03 - B81C1/00
  • 本发明涉及适合表面贴装工艺的压阻式加速度传感器及其制造方法。使用的晶圆结构包括衬底层、顶层、绝缘层及在衬底层内与绝缘层界面位置设有空腔;顶层和衬底层为反相掺杂;衬底层上设有电隔离沟槽;被电隔离沟槽包围的衬底层下面的绝缘层上设有金属引脚;在顶层上形成有加速度传感器的压阻条、电学引线区;电学引线区与压阻条部分及电隔离沟槽包围的衬底部分重合;在电学引线区和电隔离沟槽包围的衬底部分重合区设有电连接通道;顶层表面的绝缘层、顶层及绝缘层设有释放槽,形成加速度传感器的可动结构,键合保护盖板,形成密封空腔。本发明的压阻式加速度传感器便于后续与相应控制电路(IC)实现三维(3D)封装,工艺简单,加工工艺先后顺序灵活,成本低。
  • 一种MEMS器件的制作方法-201710059049.8
  • 王明军;汪新学 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2017-01-23 - 2020-01-03 - B81C1/00
  • 本发明提供一种MEMS器件的制作方法,所述方法包括:提供MEMS晶圆,在所述MEMS晶圆的正面依次形成第一牺牲层和刻蚀停止层;在所述第一牺牲层和刻蚀停止层上形成第二牺牲层;在所述MEMS晶圆的背面形成与所述刻蚀停止层对应的开口,所述开口露出部分所述第一牺牲层;去除露出的所述第一牺牲层,以完全露出所述刻蚀停止层;去除露出的所述刻蚀停止层;去除露出的所述第二牺牲层,以形成背腔。根据本发明提供的MEMS器件的制作方法,通过在第一牺牲层和第二牺牲层之间形成刻蚀停止层,然后去除所述第一牺牲层和所述刻蚀停止层,得到平整的开口底部,避免了后续去除第二牺牲层过程中形成碗形轮廓残留导致的MEMS器件破损,保证了MEMS器件的性能稳定和生产良率。
  • 用于十字形精准固态纳米孔的制备工具-201920660795.7
  • 马冬琴;伍根生;马晨波 - 南京林业大学
  • 2019-05-09 - 2019-12-31 - B81C1/00
  • 本实用新型提供一种用于十字形精准固态纳米孔的制备工具,包括十字形薄膜、电信号放大器、数字源表与控制系统;十字形薄膜的横向两端与竖向两端均连接有加压电路;电信号放大器为两个,分别串联至两个加压电路中;控制系统通过数字源表与两个加压电路相连,控制系统包括控制模块、数据处理模块以及交流脉冲电压模块;交流脉冲电压模块依次通过控制模块以及数据处理模块与数字源表相连。本实用新型能实现锥度极小的石墨烯纳米孔的制备,能通过十字形薄膜制孔材料实现多通道均匀快速制备纳米孔,同时能实时检测多通道内的离子电流,能通过计算纳米孔的实时孔径控制脉冲电压的施加,从而实现纳米孔的精准制备,在纳米孔制备技术领域具有广泛的前景。
  • 用于支撑微桥结构的氮化硅-钛-氮化硅悬臂梁制造方法-201711454696.5
  • 何勇;方中;陈哲权;苏岩;姜波;周同 - 南京理工大学
  • 2017-12-28 - 2019-12-27 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种用于支撑微桥结构的氮化硅—钛—氮化硅悬臂梁制造方法,包括:在晶圆表面形成电极锚点;在晶圆表面制备牺牲层;在晶圆表面制备第一层氮化硅薄膜;在氮化硅薄膜和牺牲层上形成连接电极的通孔;在电机锚点上形成电极柱;在晶圆上制备钛薄膜;在晶圆上制备与第一层氮化硅薄膜应力状态相反的第二层氮化硅薄膜;刻蚀第一层氮化硅薄膜、钛薄膜、第二层氮化硅薄膜,形成悬臂梁结构;本发明在薄膜沉积过程中即可完成结构的应力平衡,无需添加额外的工艺步骤,方法更简单,更适应于大规模生产。
  • 一种复合固支梁的制备方法-201710834957.X
  • 张亭;王忆文;王弘喆;陈兆隽;安佳琪;鲍景富 - 电子科技大学
  • 2017-09-15 - 2019-12-27 - B81C1/00
  • 一种复合固支梁的制备方法,属于微机电系统技术领域。本发明提出了一种基于“金‑石墨烯‑金”三层复合材料形成的固支梁结构。本发明复合固支梁的制作工艺简单、成本低廉、操作可控性强,且兼具易于与CMOS电路集成的优势;运用本发明复合固支梁作为微机电系统开关,由于其相比石墨烯梁具有较小的杨氏模量和弹性系数,因而能够降低开关的驱动电压;同时,由于其相比传统金属梁具有高机械强度,因此能够解决其作为开关的可靠性问题,进而有利于其作为MEMS开关的商业化发展。
  • 一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法-201710351836.X
  • 郭醒;王光绪;刘军林;江风益 - 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
  • 2017-05-18 - 2019-12-24 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法,它通过主动制冷的液滴凝结技术,使置于一定蒸气环境下的聚合物表面温度低于环境温度,从而空气中的蒸气在聚合物表面成核,凝结长大并自组装成均匀分布的液滴,采用紫外固化实现聚合物固化和液滴蒸发,在聚合物表面得到均匀分布的微结构。本发明仅仅采用单相的聚合物材料,采用主动制冷实现聚合物温度降低,实现液滴凝结,用于替代传统的利用有机溶剂挥发制冷的表面微结构制备技术,简化了制备工艺,避免了由于有机溶剂使用带来的对人体的毒害以及环境污染等问题,具有工艺简单、成本低、微结构尺寸和形貌灵活可控和绿色环保的优点。
  • 扩片机压膜装置-201920546066.9
  • 陈晓杰;谢术文;李晓龙 - 歌尔科技有限公司
  • 2019-04-19 - 2019-12-24 - B81C1/00
  • 本实用新型公开了一种扩片机压膜装置,属于加工设备技术领域,包括上盖和下盖,所述上盖与所述下盖之间设置有弹性件,所述上盖的上侧设置有压杆,所述下盖连接有安装杆,所述安装杆穿过所述上盖与所述压杆转动连接,所述压杆的端部设置有与所述安装杆转动连接的偏心轮,所述下盖为环形结构,所述偏心轮转动时所述上盖压住或松开位于所述下盖内侧的工件,本设计通过控制压杆即可使上盖压紧工件,避免工作人员直接操作导致袖口的异物产生污染的情况,保证产品良率。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top