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[发明专利]一种制冷红外探测器及其铟柱制备方法-CN202311038571.X在审
发明人：李伟伟;龚汉红;段鹏;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种制冷红外探测器及其铟柱制备方法，属于半导体制造技术领域，该制冷红外探测器的铟柱制备方法，包括提供一待互连的第一芯片，第一芯片为制冷红外探测器的器件芯片或制冷红外探测器的读出电路芯片；在第一芯片上淀积介质材料，用以形成第一铟柱，第一铟柱包括：第一柱段，第一柱段具有预设高度，第一柱段的底部连接于第一芯片表面上；第二柱段，第二柱段的底部与第一柱段的顶部相连，第一柱段和第二柱段均为顶部横截面积小于底部横截面积的圆台状结构，第二柱段的底部横截面积不大于第一柱段的顶部横截面积。通过第一铟柱上的第一柱段和第二柱段，避免因对准误差带来的侧滑，也很好地控制了碲镉汞芯片与硅电路芯片之间的间距。
一种制冷红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种新型红外探测器杜瓦-CN202310897114.X有效
发明人：吴建乐;熊雄;周勇强;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01J5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型红外探测器杜瓦，包括：外壳部件，外壳部件包括依次连接的下金属壳体、绝缘壳体、以及上金属壳体，其中，绝缘壳体内具有用于容纳吸气剂的容置空间；其中，下金属壳体和上金属壳体均具有用于与吸气剂的电极丝相连接的吸气剂安装部。本发明的外壳部件能取代传统绝缘子、外壳件等零件，在吸气剂焊接过程中不需要进行传统绝缘子焊接，减少了外壳部件所需要的零件数量以及焊缝数量。从而达到了节约工时同时提高效率、简化工艺步骤以及降低工艺难度的目的。同时，焊缝数量的减少也降低了由焊缝不良造成的泄漏风险。
一种新型红外探测器

[实用新型]一种红外探测器-CN202321263916.7有效
发明人： 毛剑宏;杨天伦 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种红外探测器，包括底座，底座的内部通过螺纹连接有螺钉，底座的下端面紧贴有底板，底板的下端内部紧固粘黏有磁块，磁块的下端面紧固吸附有磁片，磁片的下端面紧固粘黏有支撑板，支撑板的下端面紧贴有外壳，该红外探测器，通过转动扭紧螺钉，方便安装固定底板位置，以便磁块紧固吸附磁片，方便快速拆装支撑板和外壳进行维修更换，底板和磁块的设计可以适用于吸附其他带有磁片或铁片的吸顶灯或者摄像头等装置快速安装，从而扩大了使用范围；通过转动拆除外壳，可以对线路板内部安装的电气元件进行维修，提高外壳拆装效率，探头的设计可以扩大传感器辐射范围，从而提高使用价值。
一种红外探测器

[发明专利]碲镉汞红外探测器的形成方法-CN202311007631.1在审
发明人：陈世锐;龚汉红;丁俊毅;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-08-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞红外探测器的形成方法，包括：提供碲镉汞半导体基底；去除碲镉汞半导体基底表面自然氧化形成的氧化层；在碲镉汞半导体基底的表面形成光刻胶层；光刻光刻胶层，使得剩余的光刻胶层为多个大小和形状均相同的点阵形状；在光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面和光刻胶层的表面均形成钝化层；去除光刻胶层以及光刻胶层的表面的钝化层，以在钝化层内形成开孔。本发明线通过图案化的光刻胶定义开孔的位置和形状，再在图案化的光刻胶层未覆盖的碲镉汞半导体基底的表面形成钝化层。在钝化层中形成了比较一致的多个开孔，没有腐蚀过多的钝化层，使得开孔之间的钝化层的横截面面积达标，减小了钝化层的表面出现漏电的几率。
碲镉汞红外探测器形成方法

[发明专利]一种表征杜瓦真空性能的装置与方法-CN202311055566.X在审
发明人：周小棚;熊雄;程明亮;李锐平;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01M3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表征杜瓦真空性能的装置与方法，包括：测试容器，所述测试容器具有用于固定杜瓦的固定部，所述测试容器的内部具有用于容纳杜瓦的容置空间，其中，所述杜瓦的冷指基座的底部区域设于所述测试容器的外部；超疏水引流盖板，所述超疏水引流盖板包括与所述杜瓦的冷指基座的底部区域相贴合的第一区域、环绕于所述第一区域外的第二区域、以及环绕于所述第二区域外的第三区域；其中，所述第一区域和所述第二区域形成槽，所述第三区域相对于水平面倾斜设置。本发明采用超疏水盖板定向引流，减弱液珠凝结影响质量变化速率以及温度变化速率。
一种表征真空性能装置方法

[发明专利]一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法-CN202310779472.0在审
发明人：谭必松;邱伟强;陈天晴;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外焦平面器件的不稳定像元测试方法，包括：得到面阵裸电路背景电压；得到面阵均压，得到面阵均压时间序列拟合曲线；得到面阵每个像元时间序列拟合曲线；计算得到每个像元电压拟合标准差；计算得到每个像元拟合差标准差；计算得到每个像元电流谱密度；由每个像元拟合标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元拟合差标准差，判断单个像元的稳定性；由每个像元电流谱密度，判断单个像元的稳定性，本发明从像元电压Ue时间序列的时域和频域出发，通过像元的时间序列，计算：拟合STD、拟合差STD、电流谱密度三类判据，从而准确的判断不稳定像元。
一种红外平面器件不稳定测试方法

[发明专利]一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统-CN202310502746.1在审
发明人：熊伟钉;邱伟强;阎蒋伟;陈天晴;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本发明提供一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统，包括与红外焦平面探测器对准且相隔一预设距离设置的面源黑体，使得黑体辐射均匀照射在红外焦平面探测器上；包括：步骤S1，将面源黑体温度设置为第一预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在预设积分时间下的第一像元电压数据；步骤S2，将温度设置为第二预设温度，获取红外焦平面探测器的像元在同一预设积分时间下的第二像元电压数据；步骤S3，计算出像元响应电压；步骤S4，获取红外焦平面探测器的光学的F数、积分电容、像元面积以及普朗克光子发射率，并结合预设积分时间以及计算得到的像元响应电压计算得到量子效率。有益效果：测试方法简便，数据采集方便、数据处理简单。
一种红外平面探测器量子效率测试方法系统

[发明专利]一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统-CN202310510434.5在审
发明人：杜宇;熊伟钉;李克俊;安美;陈天晴;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01J5/90 文献下载
摘要：本发明提供一种红外焦平面探测器的量子效率测试方法及系统，包括红外焦平面探测器以及与红外焦平面探测器对准且相隔一预设距离设置的面源黑体，使得黑体辐射均匀照射在红外焦平面探测器像元上，面源黑体工作在一预设温度下；并包括以下步骤：步骤S1，获取红外焦平面探测器的像元在不同积分时间下的像元电压数据；步骤S2，对红外焦平面探测器的像元电压数据随积分时间进行线性拟合，确定拟合直线的斜率；步骤S3，获取红外焦平面探测器的光学F数、红外焦平面探测器上读出电路的积分电容、像元面积以及普朗克光子发射率，并结合确定的拟合直线的斜率计算得到量子效率。有益效果：本发明测试方法简便可行，数据采集方便、数据处理简单。
一种红外平面探测器量子效率测试方法系统

[外观设计]红外探测器（制冷型）-CN202330240616.6有效
发明人：叶炳毅;熊雄;余波;叶邦伟;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：红外探测器（制冷型）。2.本外观设计产品的用途：用于红外信号探测与转换，是光电子产品配件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
红外探测器制冷

[发明专利]一种红外光学元件低温光谱测试装置及测试方法-CN202310576004.3在审
发明人：马昕剑;熊雄;叶炳毅;金鑫;陆正添;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明涉及红外技术领域，具体涉及一种红外光学元件低温光谱测试装置及测试方法，装置包括，杜瓦主体，杜瓦主体上设有用于红外光学元件低温冷却的低温传导机构；装配箱，设于杜瓦主体上，低温传导机构位于装配箱内，装配箱的侧壁上设有一用于输出光谱光路的测试孔，装配箱内设有，旋转杆，可转动地设于装配箱内；多测位的装配支架，设于旋转杆上，装配支架上具有多个装配端，至少一装配端上设置红外光学元件，装配端于旋转杆的带动下可沿圆周方向移动至低温传导机构的待测位置。本发明可测试光学元件低温环境的光谱，消除了低温测试时背景红外辐射的误差。
一种红外光学元件低温光谱测试装置方法

[发明专利]消除电位偏置效应的超大面阵红外探测器-CN202310213025.9在审
发明人：谭必松;龚汉红;陈世锐;程佩琪;李克俊;林欢欢;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种消除电位偏置效应的超大面阵红外探测器，包括：碲镉汞薄膜，碲镉汞薄膜分为第一离子区和多个间隔的第二离子区，第一离子区和多个第二离子区分别形成多个PN结；多个间隔的电极层，均位于碲镉汞薄膜的背面，电极层与第二离子区接触，并且每个第二离子区均与一个电极层接触；多个钝化层，均位于碲镉汞薄膜的背面，每相邻两个电极层之间均设置一个钝化层；读出电路，通过多个铟柱与所有电极层均连通；导电膜，位于所有碲镉汞薄膜的正面；公共电极，与读出电路均电连接。在大面阵芯片中，本发明消除了边缘像元的开启电压与中心区域像元的开启电压之间的差异，从而使得边缘像元和中心区域像元实现了同步开启。
消除电位偏置效应大面红外探测器

[实用新型]一种制冷红外器件的整装测试装置-CN202223252926.9有效
发明人： 毛剑宏;杨天伦 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制冷红外器件的整装测试装置，涉及制冷红外器件技术领域。本实用新型包括支撑板、测试台和安装槽，支撑板上表面设置有若干第一阻尼器，测试台安装在第一阻尼器上表面，安装槽设置在测试台上表面，安装槽内部底面设置有两个滑槽，两个滑槽相对设置，两个滑槽内部均装嵌有滑杆，两个杆两端均装嵌有滑块，两个滑块与滑杆之间滑动配合，两个滑块上表面安装有连接块，连接块一表面安装有若干第二阻尼器，第二阻尼器一端安装有夹板。本实用新型通过夹板、升降气缸和压板结构，方便固定制冷红外器件的位置，保证制冷红外器件测试时的稳定性，无需人为进行固定，提高装置的固定效果，减少操作人员的工作强度。
一种制冷红外器件整装测试装置

[发明专利]碲镉汞表面复合钝化层的金属化开口方法及表面钝化结构-CN202211103691.9在审
发明人：杜宇;张国锋;黄先念;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及红外探测器制备领域，具体涉及一种碲镉汞表面复合钝化层制备及开口方法及其表面钝化结构，步骤S1，通过磁控溅射方式于碲镉汞上生长出碲化镉薄膜层；步骤S2，通过热蒸发方式于碲化镉薄膜层上沉积出硫化锌薄膜层，碲化镉薄膜层和硫化锌薄膜层共同形成复合钝化膜层；步骤S3，于复合钝化膜层上涂光刻胶并进行光刻，获得光刻孔；步骤S4，将具备光刻后的复合钝化膜层的碲镉汞置于腐蚀液中浸泡，腐蚀液对光刻孔内的复合钝化膜层蚀刻出接触孔，获得开口后的碲镉汞；本发明工艺简单，成本低廉，复合钝化膜层可有效保护碲镉汞材料表面，在后期成品中有效减少暗电流；减少冗余工序，腐蚀液扩腐轻微，开孔均匀性优。
碲镉汞表面复合钝化金属化开口方法结构

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片的分割方法-CN202310253513.2在审
发明人：陈世锐;李伟伟;丁俊毅;居龙飞;谭必松;杜宇;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞红外探测器芯片的分割方法，包括：使用保护层保护芯片区域，腐蚀去除切割道区域的钝化层和碲镉汞层，在所述切割道区域形成切割槽，所述切割槽内露出碲锌镉层的表面；从所述切割槽切割所述碲锌镉层。本发明在切割碲锌镉层之前，将碲镉汞层腐蚀掉，再切割碲锌镉层，减少了切割时的应力，从而减少了碲镉汞红外探测器芯片损坏的几率。
碲镉汞红外探测器芯片分割方法

[发明专利]半导体图形的形成方法及制冷红外探测器的制造方法-CN202310254591.4在审
发明人：杜宇;陈世锐;黄先念;段鹏;姚佳静;刘竟然;谭必松;毛剑宏 -专利权人：浙江珏芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体图形的形成方法及制冷红外探测器的制造方法，形成方法包括：提供基片，基片上覆盖有剥离材料层；形成光刻胶材料层覆盖剥离材料层，对光刻胶材料层执行第一前烘烤，并冷却预设时间后，再执行第二前烘烤；执行曝光工艺及显影工艺，去除部分光刻胶材料层及剥离材料层，以形成光刻胶图形及剥离图形，剥离图形相对光刻胶图形沿基片表面内缩形成侧向凹槽；执行镀膜工艺，形成半导体薄膜覆盖基片的表面及光刻胶图形的外壁，剩余的侧向凹槽作为剥离窗口；执行剥离工艺，形成半导体图形。本发明中，解决镀膜后半导体薄膜较难剥离及剥离后质量不佳的问题。
半导体图形形成方法制冷红外探测器制造

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